Лаб 8 / Отчёт лаб 8

Министерство цифрового развития, связи и массовых коммуникаций Российской Федерации

Ордена Трудового Красного Знамени федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования

МОСКОВСКИЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ СВЯЗИ И ИНФОРМАТИКИ

(МТУСИ)

Факультет "Радио и телевидение"

Лабораторная работа №8

по дисциплине "Электроника"

"Исследование ТТЛ-элемента"

Выполнил

Проверил Е. В. Объедков

Цель работы

Изучение принципов построения и особенностей применения логических элементов транзисторно-транзисторной логики (ТТЛ) на биполярных транзисторах (БТ). Исследование статических и динамических характеристик ТТЛ-элемента на примере ТТЛ-инвертора.

Ход работы

Рисунок 1 – Схема логического элемента

Рисунок 2 – Передаточная характеристика

Исходя из графика передаточной характеристики:

U¹_вых = 3,8 В

U⁰_вых = 2,2 * 10^-2 В

U_л = U¹_вых - U⁰_вых = 3,78 В

Транзисторы схемы	Q1	Q2	Q3	Q4
Результаты моделирования при сигнале 1 на входе:
Потенциал эмиттера, В	1,966	0,768867	0,385874	0
Потенциал базы, В	2,234	1,528	0,807104	0,768867
Потенциал коллектора, В	1,528	0,807104	5	0,021891
Режимы транзисторов: (активный, инверсный, отсечки, насыщения)	Инверсный	Насыщение	Отсечка	Насыщение

Таблица 1 – Режимы транзисторов при входном сигнале высокого уровня 1

Рисунок 3 – Временная диаграмма при воздействии прямоугольного отпирающего импульса

Исходя из временной диаграммы:

t₁₀ = 11,3 нс; t₀₁ = 32,5 нс

t = (t₁₀ - t₀₁) / 2 = 21,9

CJE = 2 пФ – барьерная ёмкость эмиттерного перехода

CJC = 5 пФ – барьерная ёмкость коллекторного перехода

TF = 0,5 нс – время пролёта

Согласно варианту 5, умножим значения параметров транзисторов на 1,5:

CJE = 3 пФ

CJC = 7,5 пФ

TF = 0,75 нс

Рисунок 3 – Временная диаграмма при воздействии прямоугольного отпирающего импульса

Исходя из временной диаграммы:

t₁₀ = 15 нс; t₀₁ = 58 нс

t_изм = (t₁₀ - t₀₁) / 2 = 36,5

ТТЛ позволяет реализовать самые разные логические функции, в том

числе – основные – И, ИЛИ, НЕ и их комбинации.

Москва 2024