Лаб 6 / Отчёт лаб 6

Министерство цифрового развития, связи и массовых коммуникаций Российской Федерации

Ордена Трудового Красного Знамени федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования

МОСКОВСКИЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ СВЯЗИ И ИНФОРМАТИКИ

(МТУСИ)

Факультет "Радио и телевидение"

Лабораторная работа №6

по дисциплине "Электроника"

"Изучение планарно-эпитаксиальной технологии"

Выполнил

Проверил Е. В. Объедков

Цель работы

Изучение основных технологических операций и в целом технологии изготовления интегральных схем (ИС) на примере полупроводниковых ИС на биполярных транзисторах.

Ход работы

Рисунок 1 – Результат прохождения теста

Для заданного варианта (вариант 13) составим интегральную схему:

Рисунок 2 – схема для варианта 13

Рисунок 3 – интегральная схема

Принцип интеграции заключается в объединении на кристалле ИС большого количества элементов и необходимых соединений между ними. Увеличение степени интеграции, то есть количества элементов в ИС, обеспечивает максимальную защиту элементов и соединений между ними и тем самым максимальную надёжность. Более того принцип группового изготовления обеспечивает высокую производительность и, следовательно, низкую себестоимость.

Москва 2024