ответы КР 2

Электроника кр2

электроника Стр.1

о структуре

•По порядку чередования областей p-n-переходов различают транзисторы n- p-n и p-n-p типов.

•По числу переходов — одно-, двух- и многопереходные.

•По характеру распределения атомов примеси и движению носителей заряда — бездрейфовые и дрейфовые.

По полупроводниковому материалу

Транзисторы могут изготавливаться на основе кремния, германия, арсенида галлия, карбида кремния, нитрида галлия, фосфида индия и других материалов. Также существуют транзисторы на основе прозрачных полупроводников, полупроводниковых полимеров и углеродных нанотрубок.

По мощности

электроника Стр.2

В зависимости от максимальной мощности, рассеиваемой коллектором, транзисторы подразделяют на:

•маломощные (Рmax < 0,1 Вт);

•средней мощности (от 0,3 до 1,2 Вт);

•мощные (свыше 1,2 Вт).

По частоте работы

Транзисторы классифицируют на:

•низкочастотные (fmах < 3 МГц);

•среднечастотные (от 3 до 30 МГц);

•высокочастотные (от 30 до 300 МГц);

•сверхвысокочастотные (свыше 300 МГц).

Другие классификации

•По типу канала — n-канальные (с электронной проводимостью) и p-канальные (с дырочной проводимостью).

•По конструкции затвора — с управляющим p-n-переходом (JFET) и с изолированным затвором (МДП, МОП-транзисторы, например, MOSFET).

•По исполнению — дискретные транзисторы, транзисторы в составе интегральных схем, силовые транзисторы (например, IGBT — биполярные транзисторы с изолированным затвором).

•По конструкции — многоэмиттерные транзисторы (применяются в транзисторно-транзисторной логике для построения логических элементов И- НЕ), одноэлектронные транзисторы, транзисторы со встроенными резисторами

(RETs) и другие.

электроника Стр.3

Активный режим

Эмиттерный переход смещён в прямом направлении (открыт), а коллекторный — в обратном (закрыт). В этом режиме транзистор усиливает сигнал: ток базы управляет током коллектора, что позволяет усиливать входной сигнал. Это основной режим для усиления электрических сигналов.

Режим отсечки

Оба p-n-перехода смещены в обратном направлении. Через них протекают только малые и неуправляемые тепловые токи неосновных носителей заряда. Транзистор в этом режиме не проводит существенного тока, считается, что он «разомкнут». Используется в ключевых схемах как элемент, замыкающий или размыкающий

Режим насыщения

Оба p-n-перехода смещены в прямом направлении. При этом снижается потенциальный барьер, ограничивающий проникновение носителей заряда, и через эмиттер и коллектор начинают протекать токи насыщения. В этом режиме входной сигнал не усиливается, так как коллекторный ток не реагирует на изменения тока базы. Используется в цифровых схемах как элемент, замыкающий или размыкающий цепь.

Инверсный режим

Эмиттерный переход смещён в обратном направлении, а коллекторный — в прямом. Для симметричных транзисторов это означает, что эмиттер и коллектор меняются местами. Для несимметричных транзисторов (у большинства типов биполярных транзисторов электрод базы смещён в сторону эмиттера) это приводит к снижению коэффициента усиления. Инверсный режим используется редко, так как его параметры хуже, чем у активного режима.

электроника Стр.5

Напряжение отсечки полевого транзистора — это напряжение между затвором и истоком, при котором происходит полное перекрытие канала, и ток стока становится равным нулю.

Индуцированный канал

электроника Стр.6