лабораторные / лаба МУЛЬТИВИБРАТОР / схемотехника лаб 4
.pdfМинобрнауки России Санкт-петербургский государственный Электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина) Кафедра САПР
Отчёт Лабораторная работа №4
По дисциплине «Схемотехника» Тема: МУЛЬТИВИБРАТОР
|
|
|
Котов Н.А. |
|
|
|
Кирейкова С.А. |
Студенты гр. 3316 |
|
Борисов А.А. |
|
Преподаватель |
|
|
Михайлов А.А. |
Санкт-Петербург
2025
Цель работы: изучение особенностей работы биполярных транзисторов в
ключевом режиме на примере схемы симметричного мультивибратора.
Основные теоретические сведения
Биполярный транзистор представляет собой полупроводниковый прибор с двумя p-n переходами. Биполярные транзисторы могут работать как в ключевом, так и в линейном (усилительном) режимах. Ключевой режим работы в основном используется для построения логических интегральных схем. Линейный режим – для построения аналоговых устройств, таких как усилители, генераторы, фильтры.
Рисунок 1 - схема включения и выходные характеристики биполярного транзистора
Мультивибратор представляет собой автоколебательную схему, которая
генерирует последовательность прямоугольных импульсов. Мультивибратор включает в себя два усилительных каскада на транзисторах VT1 и VT2,
включенных по схеме с общим эмиттером. Каскады включены
последовательно и охвачены цепью общей положительной обратной связи с
коллектора транзистора VT2 на базу транзистора VT1. После включения
питания один из транзисторов оказывается в режиме насыщения, а второй – в |
|
режиме отсечки. Пусть транзистор VT1 замкнут (режим насыщения), а |
|
транзистор VT2 разомкнут (режим отсечки). Конденсатор C1 через небольшое |
|
сопротивление резистора быстро заряжается до напряжения питания Uп. |
|
|
|
Конденсатор C2 заряжается значительно медленнее, поскольку |
>> . |
2 |
|
2 |
|
Когда напряжение на конденсаторе C2 достигнет порогового напряжения эмиттер-база транзистора VT2 ( ЭБ.ПОР = 0.7В), транзистор переходит в режим насыщения. Обкладка 1 конденсатор С1 оказывается подключенной к общей шине (заметим, что до этого момента конденсатор был заряжен почти до напряжения питания 1.1 = П − ЭБ.ПОР). На базе транзистора VT1
оказывается достаточно большое отрицательное напряжение, равное по модулю 1.1 до переключения. Транзистор VT1 закрывается и начинается разряд конденсатора C1 через высокоомный резистор R1. Когда напряжение на базе транзистора VT1 достигнет порогового значения, транзистор VT1
переходит в режим насыщения, а транзистор VT2 переходит в режим отсечки и процесс формирования импульса повторяется снова.
Частота колебаний симметричного мультивибратора определяется следующим образом:
= |
1 |
|
= |
1 |
= |
0.721 |
, |
|
|
|
|
|
|
||||
|
2 2 |
|
|
|||||
где f – частота в герцах (Гц), |
С |
= 1 = |
2 – емкость в фарадах (Ф), |
1 = |
||||
= 2 = – сопротивление в омах (Ом). При выборе значений резисторов R1, R2 и Rк необходимо чтобы выполнялось условие: 1, 2 < к, где –
коэффициент усиления по току транзисторов VT1, VT2. На схеме ниже приведена схема мультивибратора.
3
Экспериментальные исследования
1. Была собрана схема мультивибратора в Multisim (рис. 2).
Рисунок 2 - схема
4
2. были получены осциллограммы (рис. 3, 4)
Рисунок 3 - показания осциллографа
5
Рисунок 4 - показания осциллографа
6
3. Далее была собрана аналогичная схема с помощью установки NI Elvis
(рис. 5, 6)
Рисунок 5 - показания осциллографа
Рисунок 6 - показания осциллографа
7
8
На обеих осциллограммах видно:
•импульсы имеют форму прямоугольников,
•каналы A и B работают на одной частоте и совпадают по времени, хотя уровни напряжения отличаются,
•переключение между состояниями происходит резко.
Это показывает, что транзисторы в мультивибраторе по очереди переходят в
два режима:
•один входит в насыщение (на коллекторе низкое напряжение < 1 В),
•другой переходит в отсечку (высокий уровень около 2.6 В).
Через заданный интервал они меняются ролями, что и формирует прямоугольный сигнал.
Характерный плавный участок на одном из каналов — это экспоненциальный процесс зарядки или разрядки конденсатора. На первой осциллограмме это хорошо видно на канале B. Такой участок соответствует работе конденсаторов C1 и C2, задающих задержку переключения транзисторов.
Экспоненциальная форма подтверждает работу RC-цепей: при открытом транзисторе конденсатор разряжается через переход база–эмиттер, при закрытом — заряжается через резистор 15 кОм. Именно этот процесс определяет период генерации.
Измеренные частоты около 40 Гц и 44 Гц укладываются в норму, так как реальные резисторы и конденсаторы имеют допуски. Эти значения соответствуют расчётной формуле для частоты генератора.
= |
1 |
= |
1 |
= |
0.721 |
|
|
|
|||
|
2 2 |
|
9
Вывод
В лабораторной работе исследован симметричный транзисторный мультивибратор. Схема была собрана в Multisim и воспроизведена на реальной установке, где два осциллографа позволили одновременно наблюдать напряжения на ключевых узлах и на конденсаторах.
Осциллограммы показали прямоугольные выходные импульсы и экспоненциальные процессы заряда и разряда, что соответствует принципу работы мультивибратора.
Сопоставление моделирования и эксперимента дало качественно одинаковые результаты: моменты переключений, форма импульсов и временные диаграммы на конденсаторах совпадают. Небольшие расхождения в амплитуде и форме фронтов связаны с паразитными элементами реальной схемы и разбросом параметров транзисторов, отсутствующих в моделируемой идеальной схеме. Полученная частота соответствует расчетной, что подтверждает корректность теоретической модели.
Работа показала, что генерация импульсов обеспечивается чередованием режимов насыщения и отсечки транзисторов, а также зарядом и разрядом
RC-цепей, определяющих частоту и форму сигнала. Эксперимент подтвердил теорию и правильность собранной схемы и выполненных измерений.
10
