4 семестр / Аналоговая электроника / lab2_anal

МИНОБРНАУКИ РОССИИ

Санкт-Петербургский государственный

электротехнический университет

«ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)

Кафедра РС

отчет

по лабораторной работе №2

по дисциплине «Аналоговая электроника»

Тема: ИССЛЕДОВАНИЕ СХЕМ ВКЛЮЧЕНИЯ ТРАНЗИСТОРОВ

Студент гр. 4493		Шевцов А.И. Мухин А.П. Дроздов Д.А.
Преподаватель		Виноградов В.А.

Санкт-Петербург

2026

Цель работы:

Практическое ознакомление с простейшими схемами включения транзисторов – схемой с общим эмиттером и схемой с общей базой.

Содержание отчета:

1. Схемы соединения приборов при измерениях АХ, АЧХ, значений R_вx и R_выx.

2. Исследованные схемы.

3. Результаты измерений и расчетов по п. п. 2–6 (графики АХ, АЧХ, значения U_{лин max} и f_гр, измеренные значения ФЧХ, R_вx, R_выx ).

4. Выводы.

1. Используемые схемы соединений

Рис.1 Используемая схема соединений приборов при измерении АХ, АЧХ

Р ис. 2 Используемая схема соединений приборов, при измерении входного сопротивления

Рис. 3 Используемая схема соединений приборов, при измерении выходного сопротивления

Рис. 4 Схема с общим эмиттером

п. 1 Определить амплитудную характеристику схемы

f = 10 кГц

Таблица №1 Амплитудная характеристика схемы с общим эмиттером
Uвх , мВ	5	20	35	50	65	80	95	110	125	140
Uвых , В	0.15	0.59	0.9	1.2	1.3	1.5	1.5	1.6	1.6	1.7

Р ис. 5 Амплитудная характеристика схемы с общим эмиттером

График не отклоняется от линейного до значения U_вх ≈ 50 мВ

п.2 Определить амплитудно-частотную характеристику схемы с общим эмиттером

U_вх = 5 мВ

Таблица №2 Амплитудно-частотная характеристика схемы с общим эмиттером
f, Гц	20	200	2000	20000	200000	2000000
Uвых , мВ	0.31	24	130	150	150	52

Р ис. 6 Амплитудно-частотная характеристика схемы с общим эмиттером

Определить нижнюю и верхнюю граничные частоты (f_гр) схемы, исходя из условия K(f_гр) ≈ 0,7 [max K(f)];

max K(f) = 150 мВ

K(f_гр) ≈ 0,7 * 150 = 105 мВ

f_нгр ≈ 1000 Гц

f_вгр≈ 1000000 Гц

п.3 определить входное и выходное сопротивление

f = 5000 Гц

R_вх = 400 Ом

R_вых = 580 Ом

Рис. 7 Схема с общей базой

п. 1 Определить амплитудную характеристику схемы с общей базой

f = 10 кгц

Таблица №3 Амплитудная характеристика схемы с общей базой
Uвх , мВ	5	20	35	50	65	80	95	110	125	140
Uвых , В	7.5*10-2	0.29	0.5	0.7	0.88	1	1.2	1.2	1.3	1.3

Р ис. 8 Амплитудная характеристика схемы с общей базой

График не отклоняется от линейного до значения U_вх ≈ 65 мВ

п.2 Определить амплитудно-частотную характеристику схемы с общей базой

U_вх = 5 мВ

Таблица №4 Амплитудно-частотная характеристика схемы с общим эмиттером
f, Гц	20	200	2000	20000	200000	2000000
Uвых , мВ	5	16	110	150	60	5

Р ис. 9 Амплитудно-частотная характеристика схемы с общей базой

Определить нижнюю и верхнюю граничные частоты (f_гр) схемы, исходя из условия K(f_гр) ≈ 0,7 [max K(f)];

max K(f) = 150 мВ

K(f_гр) ≈ 0,7 * 150 = 105 мВ

f_нгр ≈ 1800 Гц

f_вгр≈ 1000000 Гц

п.3 определить входное и выходное сопротивление

f = 5000 Гц

R_вх = 70 Ом

R_вых = 480 Ом

Вывод:

Исследованы схемы включения транзисторов: с общим эмиттером и общей базой, построены АХ, АЧХ, найдены входное и выходные сопротивления.

Таблица №5 Сравнение характеристик схем
Тип схемы	Uлинmax, мВ	Uвыхmax, мВ	fнгр, кГц	fвгр, кГц	Rвх	Rвых
ОЭ	50	150	1	1000	400	580
ОБ	65	150	1.8	1000	70	480