Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Дз по БТ / Дз_БТ_2N3053A

.docx
Скачиваний:
0
Добавлен:
27.05.2026
Размер:
274.14 Кб
Скачать

Биполярный транзистор: 2N3053А

Задание 1. Определить параметры h21э и h22э.

Находим параметр h21э.

Находим параметр h22э.

Задание 2. Отметить граничную и предельную частоты.

Максимальный коэффициент передачи

Граничная частота достигается при

Граничная частота fг = 841,191 кГц

Предельная частота достигается при

Предельная частота fпред = 103,969 МГц

Задание 3. Указать максимальное значение Beta.

Коэффициент передачи

Задание 4. Выписать параметры транзистора.

Параметр

Расшифровка

Параметр

Расшифровка

LEVEL

Уровень модели (1 = Gummel‑Poon)

ISS

Ток насыщения подложки

AF

Показатель степени фликкер‑шума

ITF

Зависимость времени пролёта TF от тока

BF

Максимальный прямой β

KF

Коэффициент фликкер‑шума

BR

Максимальный обратный β

MJC

Коэффициент плавности коллекторного перехода

CJC

Ёмкость коллекторного перехода при 0 В

MJE

Коэффициент плавности эмиттерного перехода

CJE

Ёмкость эмиттерного перехода при 0 В

MJS

Коэффициент плавности перехода подложки

CJS

Ёмкость подложки при 0 В

NC

Коэффициент неидеальности тока утечки коллектора

EG

Ширина запрещённой зоны

NE

Коэффициент неидеальности тока утечки эмиттера

FC

Коэффициент аппроксимации ёмкости при прямом смещении

NF

Коэффициент неидеальности прямого тока

GAMMA

Параметр легирования эпитаксиального слоя

NK

Коэффициент спада β на больших токах

IKF

Ток спада прямого β

NR

Коэффициент неидеальности обратного тока

IKR

Ток спада обратного β

NS

Коэффициент неидеальности тока подложки

IRB

Ток базы, при котором RB падает вдвое

PTF

Избыточный фазовый сдвиг на частоте fT

IS

Ток насыщения перехода база‑эмиттер

QCO

Заряд эпитаксиального слоя

ISC

Ток насыщения коллекторного перехода

QUASIMOD

Флаг квазинасыщения (0 = выкл)

ISE

Ток насыщения эмиттерного перехода

RB

Сопротивление базы при нулевом токе

RBM

Минимальное сопротивление базы при больших токах

TRC1

Линейный ТКС сопротивления коллектора

RC

Сопротивление коллектора

TRC2

Квадратичный ТКС сопротивления коллектора

RCO

Сопротивление эпитаксиального слоя

TRE1

Линейный ТКС сопротивления эмиттера

RE

Сопротивление эмиттера

TRE2

Квадратичный ТКС сопротивления эмиттера

T_ABS

Абсолютная температура транзистора

TRM1

Линейный ТКС сопротивления RBM

T_MEASURED

Температура измерения параметров модели

TRM2

Квадратичный ТКС сопротивления RBM

T_REL_GLOBAL

Относительная температура относительно глобальной

VAF

Прямое напряжение Эрли

T_REL_LOCAL

Относительная локальная температура

VAR

Обратное напряжение Эрли

TF

Прямое время пролёта носителей

VG

Ширина запрещённой зоны при 0 К (для эпитаксии)

TR

Обратное время пролёта носителей

VJC

Контактная разность коллекторного перехода

TRB1

Линейный ТКС сопротивления базы

VJE

Контактная разность эмиттерного перехода

TRB2

Квадратичный ТКС сопротивления базы

VJS

Контактная разность перехода подложки

VO

Напряжение насыщения дрейфовой скорости

VTF

Зависимость TF от напряжения

XCJC

Доля ёмкости CJC у внутреннего узла базы

XTB

Температурный коэффициент β

XTF

Зависимость TF от тока базы

XTI

Температурный показатель степени для IS

Соседние файлы в папке Дз по БТ