Защита_4 лаб_Электроника

1. Назовите основные режимы МДП–структуры. При каких условиях они возникают?

Режим обогащения: на затвор подается отрицательное напряжение, которое притягивает дырки (основные носители) из более глубоких слоев полупроводника.

Режим обеднения: возникает при подаче положительного напряжения, которое выталкивает дырки из подзатворной области.

Режим инверсии типа проводимости: напряжение превышает пороговое и концентрация свободных электронов превышает количество дырок.

2. В чем заключается полевой эффект?

Это возможность управлять режимом работы транзистора с помощью подачи напряжения на затвор. Для эффективного управления диэлектрический слой должен быть достаточно тонким. Под действием поперечного электрического поля изменяется электропроводности концентрации носителей (в полупроводнике).

3 . Как устроен и работает МДП–транзистор?

МДП-транзистор образуется из МДП-структуры добавлением двух электродов — истока и стока (островки кремния n⁺-типа). Канал соединяет исток и сток.

4. Что такое пороговое напряжение и от чего оно зависит?

Пороговое напряжение – это напряжение на затворе, при котором полупроводник в подзатворной области становится собственным (концентрация дырок и электронов сравнивается).

5. Что такое удельная емкость МДП–структуры и от чего она зависит?

У дельная емкость состоит из последовательно включенных удельных емкостей диэлектрика и пространственного заряда в полупроводнике:

6. Что такое удельная крутизна МДП–структуры и от чего она зависит?

Удельная крутизна B определяет степень влияния U_З (напряжение на затворе) на состояние канала и ток МДП–транзистора.

Чем больше B, тем при меньшем изменении U_З управляется транзистор (в ключе – замыкается и размыкается).

7. Как совершенствуется МДП–транзистор?