Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Защита_2 лаб_Электроника

.docx
Скачиваний:
0
Добавлен:
27.05.2026
Размер:
139.37 Кб
Скачать

Соотношение работ выхода при омическом контакте:

  • Между металлом и полупроводником n-типа:

  • Между металлом и полупроводником p-типа:

Соотношение работ выхода при контакте Шоттки:

  • Между металлом и полупроводником n-типа:

  • Между металлом и полупроводником p-типа:

От каких параметров зависит сопротивление омического контакта?

Сопротивление омического контакта зависит от размеров и параметров нейтральной части полупроводника.

От каких параметров зависит сопротивление контакта Шоттки?

У омического контакта сопротивление практически не зависит от сопротивления металла и обогащенного слоя.

  • Контактная разность потенциалов (φk0=φm−φnφk0​=φm​−φn​) определяет напряжение открытого состояния.

  • Толщина перехода влияет на напряжение пробоя.

  • Барьерная ёмкость влияет на частотные свойства.

От чего зависит тепловой ток?

Как уменьшить тепловой ток диода Шоттки?

  1. Уменьшить площадь (SS) перехода. (Чем меньше площадь, тем меньше ток).

  2. Уменьшить температуру (TT). (Ток пропорционален T2T2, и от температуры также зависит термический потенциал φT=kT/qφT​=kT/q, стоящий в знаменателе показателя экспоненты).

  3. Увеличить контактную разность потенциалов (φk0φk0​). (Чем выше барьер, тем меньше ток насыщения, так как φk0φk0​ стоит в числителе показателя экспоненты с отрицательным знаком. Увеличить φk0φk0​ можно подбором металла с большей работой выхода для полупроводника n-типа).

  4. Выбрать полупроводник с меньшей константой AA. (Константа AA зависит от типа полупроводникового материала).

От чего зависит барьерная ёмкость контакта Шоттки?

Барьерная ёмкость контакта Шоттки зависит от параметров обедненного слоя.

ВАХ омического контакта

ВАХ контакта Шоттки