дефолтный курсач / выполнение / 00_курсач_тв_велит
.pdfДалее необходимо рассчитать величину ёмкости конденсатора C1. Она рассчитывается из следующего условия:
d 0.8 RVD1 C1, |
(3.3.6.2) |
откуда можно выразить формулу для нахождения величины ёмкости C1:
C1 |
|
d |
, |
(3.3.6.3) |
|
0.8 |
RVD1 |
|
|
тогда величина ёмкости конденсатора C1 равна:
C1 0.8 dRVD1 =1.35 μF.
Однако такого значения ёмкости нет в ряде ёмкостей конденсаторов Е24 (приложение «Г»), поэтому выбирается ближайшее допустимое:
C1 1.3 μF.
Далее необходимо рассчитать величину сопротивления резистора Rp. Она рассчитывается по следующей формуле:
Rp |
10 H , |
(3.3.6.4) |
|
C1 |
|
тогда величина сопротивления Rp равна:
Rp 10 H =375.69 Ω.
C1
Однако такого значения величины сопротивления нет в ряде значений сопротивлений резисторов Е24 (приложение «Б»), поэтому было выбрано ближайшее допустимое в рамках работы:
Rp 10 kΩ.
На этом расчёт номиналов элементов в схеме амплитудного селектора окончен. Итоговые величины сопротивления и ёмкости представлены ниже.
C1 |
|
1.3 10-6 F |
||||
|
|
= |
1 10 |
4 |
Ω |
. |
Rp |
|
|
|
|
||
ПРИЛОЖЕНИЕ «А»
ПРИЛОЖЕНИЕ «Б»
Рисунок Б.1 – Ряд номиналов резисторов Е24
ПРИЛОЖЕНИЕ «В»
Рисунок В.1 – Ряд номиналов резисторов Е96
ПРИЛОЖЕНИЕ «Г»
Рисунок Г.1 – Ряд номиналов конденсаторов Е24
ПРИЛОЖЕНИЕ «Д»
Рисунок Д.1 – Основные характеристики диода SM5819PL-TP
ПРИЛОЖЕНИЕ «Е»
Рисунок Е.1 – Электротехнические характеристики транзистора BC640
Рисунок Е.2 – ВАХ транзистора BC640
Рисунок Е.3 – Электротехнические характеристики транзистора BC639
Рисунок Е.4 – ВАХ транзистора BC639
ПРИЛОЖЕНИЕ «Ж»
Рисунок Ж.1 – Часть характеристик ОУ THS4631
Рисунок Ж.2 – Часть характеристик ОУ THS4631
Рисунок Ж.3 – Часть характеристик ОУ THS4631