Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

лабы / лаба 16 / yyyLaba16_ORPVS_s_polosoy

.pdf
Скачиваний:
0
Добавлен:
13.05.2026
Размер:
692.04 Кб
Скачать

Министерство цифрового развития, связи и массовых коммуникаций

 

Российской Федерации

 

Ордена Трудового Красного Знамени федеральное государственное бюджетное

образовательное учреждение высшего образования

Московский технический университет связи и информатики

__________________________________________________________________

 

Кафедра «РОС»

 

Лабораторная работа № 16 по дисциплине

 

Основы радиоприема вещательных сигналов

 

«Исследование транзисторного резонансного усилителя»

Бригада №1

 

 

Выполнил

 

 

Студент группы БРВ2201:

_______________________

Мусаев Д.Ш.

Проверил

 

 

Кт.н, доцент:

_______________________

Логвинов В.В.

 

Москва 2025

 

1. Цель работы

Изучение свойств резонансного усилителя на биполярном транзисторе и исследование влияния величины связи контура с транзистором и нагрузкой на его усилительные и избирательные свойства; исследование влияния внутренней обратной связи в транзисторе на технические характеристики предыдущего каскада с применением системы схемотехнического проектирования Micro Cap 8 (MC8).

2. Расчетная часть

2.1 Задание

Для второго каскада двухкаскадного резонансного усилителя на биполярных транзисторах:

1. Рассчитать коэффициенты включения nsogl, обеспечивающие

согласование контура с нагрузкой, а также коэффициент усиления и полосу пропускания (по уровню 0.707) для каждого из коэффициентов включения транзистора Q2 и нагрузки в контур m=1.0; 0.5; 0.3; 0.1.

2. Определить оптимальные коэффициенты включения mopt и nopt

транзистора Q2 и нагрузки (R11) и соответствующий им коэффициент усиления по напряжению для полосы пропускания (по уровню 0.707)

12kHz.

2.2Исходные данные

Параметры транзистора Q2 с учетом режима работы:

Iko2 3 mA

– ток на коллекторе транзистора;

rb 71.4 Ω

– внутреннее сопротивление базы транзистора;

S 160 mA

– крутизна проходной характеристики в рабочей точке;

V

 

fT 250 MHz – максимальная частота работы транзистора;

Ck 7 pF – ёмкость коллектора;

G22 200 μS – собственная выходная проводимость;

Параметры контура второго каскада:

Roe 150 – собственное сопротивление контура;

Rn 330 Ω – сопротивление нагрузки;

L 340 μH – индуктивность контура.

2.3 Расчет

Для согласование контура с нагрузкой

Собственная проводимость контура на резонансной частоте:

Gk 1 =6.667 μS

Roe

Собственная входная проводимость следующего каскада на резонансной частоте:

Gn 1 =3.03 mS Rn

Тогда при разных m коэффициенты включения nsogl будут следующие:

 

 

1

 

 

 

 

 

 

0.261

 

 

0.5

 

 

 

 

 

 

 

0.137

 

 

 

0.25

 

 

 

 

 

 

 

0.08

 

 

 

 

 

 

2

 

 

 

 

m

 

0.15

 

nsogl

m

 

G22+Gk

=

 

0.061

 

 

0.1

 

 

Gn

0.053

 

 

 

0.05

 

 

 

 

 

 

 

0.049

 

 

 

0.02

 

 

 

 

 

 

 

0.047

 

 

 

0

 

 

 

 

 

 

 

0.047

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Значения эквивалентной проводимости при разных m и n:

Ge m2 G22+Gk+nsogl2 Gn

GeT =[413.333 113.333 38.333 22.333 17.333 14.333 13.493 13.333] μS

Коэффициент усиления при согласовании усилительного каскада с нагрузкой для выбранного m:

Kn m nGsogl S

e

KnT =[101.091 96.528 82.988 65.234 49.365 27.143 11.19 0]

Добротность контура при согласовании для разных m и n:

1

Qe Ge 2 π fпр L

QeT =[2.435 8.882 26.261 45.075 58.077 70.233 74.605 75.5]

Значения полосы пропускания для каждой добротности:

 

 

 

190.926

 

 

 

 

 

52.351

 

 

 

 

 

 

17.707

 

 

 

fпр

 

 

 

 

Δf

=

 

10.316

 

kHz

Qe

 

8.007

 

 

 

 

 

 

 

 

6.621

 

 

 

 

 

 

6.233

 

 

 

 

 

 

6.159

 

 

 

 

 

 

 

 

Для оптимальных коэффициентов включения

n оптимальное рассчитывается по формуле:

Gk=6.667 μS Gn=3.03 mS Ge3=22.333 μS

Ge3-Gk

nopt 2 Gn =0.051

Задана полоса пропускания Δf07 12 kHz. С учётом этого

необходимо рассчитать оптимальный коэффициент m. Это можно сделать с помощью добротности. Саму добротность можно найти по следующей формуле:

Qe fпр =38.75

Δf07

Дальнейшие вычисления обратно аналогичны предыдущему пункту:

Re 2 π fпр L Qe=38.493

– эквивалентное сопротивление

 

 

 

 

контура;

Ge

1 =25.979 μS

– эквивалентная проводимость

 

Re

 

 

контура;

mopt

Ge-Gk =0.22

– оптимальный коэффициент

 

 

2 G22

 

включения;

d

2 π fпр L

=0.007

– затухание контура;

k

 

Roe

 

 

 

 

 

 

d

1

=0.026

 

– затухание экв. контура;

e

Q

 

 

 

 

e

 

 

 

K0max

S

 

dk

 

– максимальный КУ при

 

1-

 

=76.391

 

2 Gn G22

 

de

оптимальных коэффициентах

 

 

 

 

 

включения.

3. Экспериментальная часть

 

 

Соседние файлы в папке лаба 16