Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

лабы / лаба_4_4 / Схемотехника_ЛР4

.docx
Скачиваний:
0
Добавлен:
13.05.2026
Размер:
1.37 Mб
Скачать

Министерство цифрового развития, связи и массовых коммуникаций Российской Федерации

                  

Ордена Трудового Красного Знамени федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования

Московский технический университет связи и информатики

__________________________________________________________________

Кафедра «РОС»

Лабораторная работа №4 по дисциплине Схемотехника

«Изучение усилителя мощности и его характеристик»

Бригада № 2

     

Выполнили

Студенты группы БИК2205:

_______________________

Проверил

Ассистент кафедры РОС:

_______________________

Максимов А.А.

Москва 2024

  1. Цель работы

Изучение усилителя мощности и его характеристик

  1. Принципиальная схема

Используемый транзисторы:

2T315E – используемый NPN транзистор;

2T214G – используемый PNP транзистор.

Рисунок 1 – Схема дифференциального усилителя

Проверка режимов работы транзисторов по постоянному току и их состояние:

Рисунок 2 – Проверка Dynamic DC

  1. Выполнение работы. Часть 1

Сравним напряжения на обоих выходах схемы.

Рисунок 3 – Напряжение на выходах схемы

Выход v(21) (сред. график) является неинвертирующим, а v(20)(нижн. график) – инвертирующим.

Рисунок 4 – АЧХ дифференциального усилителя

Исследуем влияние выходного тока источника тока на коэффициент усиления. Изменяем ток за счет изменения номинала резистора R4.

Рисунок 5 – Влияние выходного тока источника тока на коэффициент усиления.

Исследуем влияние сопротивления коллекторных резисторов на коэффициент усиления.

Рисунок 6 – влияние сопротивления коллекторных резисторов на коэффициент усиления.

Измерим амплитуды входного и выходных сигналов.

Рисунок 7 – Синфазное напряжение на выходах схемы

Вычислим значения коэффициента ослабления синфазного сигнала

    1. Выводы

  1. Выполнение работы. Часть 2

Используемые транзисторы для Q4 и Q7 – КТ817В и КТ816В

Другие используемые транзисторы:

2T315E – используемые NPN транзисторы;

2T203D – используемые PNP транзисторы.

Рисунок 8 – Принципиальная схема усилителя мощности

Схема усилителя была отлажена:

  1. Все 4-е транзистора выходного каскада находятся в линейном режиме;

  2. Ток коллектора транзистора мВ в 5 раз меньше тока резистора мА;

  3. Напряжение на выходе схемы по постоянному току мВ.

Рисунок 9 – Отлаженная схема усилителя

Напряжение на выходе схемы:

Рисунок 10 – Спектр выходного сигнала

Измерим коэффициент гармоник:

Рисунок 11 – АЧХ усилителя мощности

Рисунок 12 – АЧХ усилителя при изменении C1

Рисунок 13 – Влияние C1 на частоту среза

При подборе конденсатора C1 согласно ряду Е24 не удалось достичь значения fв=20 кГц. Максимальное значение fв=7.337 кГц было получено при C1=1 пкФ, выбранного в соответствии с рядом Е24.

Переведем каскад из режима AB в режим B, замкнув диоды

Рисунок 14 – Принципиальная схема с замкнутыми диодами

Измерим напряжение на выходе схемы:

Рисунок 15 – Напряжение на входе и выходе схемы

Рисунок 16 – Спектр выходного сигнала

Измерим коэффициент гармоник:

Рисунок 17 – АЧХ усилителя мощности

Рисунок 18 – АЧХ при изменении С1

Рисунок 19 – Влияние С1 на частоту среза

    1. Таблица результатов

Режим

AB

B

  1. Выводы

Остаются на откуп читателю…

Соседние файлы в папке лаба_4_4