Курсовая работа ШНО / Курсовая работа / курсовая

Рис. 6. Графики зависимости фаз комплексных коэффициентов S11, S12, S13 и

S14 от частоты.

Рис. 7. Графики зависимости фаз комплексных коэффициентов S11, S12, S13 и

S14 от частоты (с увеличенным частотным диапазоном).

11

4. ПОСТРОЕНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ МОДЕЛИ УСТРОЙСТВА И ЭСКИЗА ТОПОЛОГИИ

Рис. 8. Эскиз топологии шлейфного направленного ответвителя.

12

ВЫВОД

Входе выполнения курсовой работы был проведён комплексный расчёт

ипроектирование шлейфного направленного ответвителя с заданными параметрами: переходное ослабление 12 дБ, центральная частота 4 ГГц и волновое сопротивление 60 Ом. В результате теоретического расчёта были определены волновые сопротивления отрезков линий передачи, составляющих ответвитель: Z = 58,072 Ом и Z = 231,213 Ом.

Сцелью изготовления ответвителя в полосковой конструкции была выбрана подложка RT/Duroid 5880 толщиной 2 мм. Данный материал обеспечивает оптимальный баланс между технологичностью изготовления, габаритными размерами и высокими электрическими характеристиками. На основании рассчитанных волновых сопротивлений определены все геометрические параметры четвертьволновых отрезков линии.

Результаты моделирования, представленные в виде графиков S- параметров,подтвердили правильностьпроектирования.Нацелевой частоте4 ГГц достигнуто заданное переходное ослабление, зафиксирован низкий уровень отражённого сигнала (S11) и высокая изоляция между несвязанными портами (S14). Эти характеристики соответствуют поведению сбалансированного направленного ответвителя.

Таким образом, поставленная задача была успешно решена: разработан и полностью рассчитан шлейфный направленный ответвитель, удовлетворяющий всем техническим требованиям, и подготовлены необходимые данные для его конструкторской реализации в виде полосковой топологии.

13

СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ

1.Методические указания по курсовой работе на тему «Расчёт полосковых направленных ответвителей». Составитель – Ю. С. Дмитриев. Ленинград, 1982 г.

2.Учебное пособие «Компьютерное проектирование устройств СВЧ». Б. Е. Лавренко, Ю. Е. Лавренко, В. Н. Малышев. СПбГЭТУ «ЛЭТИ», СанктПетербург, 2010 г.

14