1к 17
.docxМИНИСТЕРСТВО ЦИФРОВОГО РАЗВИТИЯ, СВЯЗИ И МАССОВЫХ КОММУНИКАЦИЙ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Ордена Трудового Красного Знамени федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования
Московский технический университет
связи и информатики
──────────────────────────────────────
Кафедра: Электроника
Дисциплина: Основы конструирования телекоммуникационного оборудования
Лабораторная работа №1к
“ Исследование параметров пассивных элементов
гибридных интегральных микросхем”
Выполнил:
-
-
Проверила:
-
Москва
2025
Цель работы
Ознакомление с конструктивно-технологическими особенностями и
параметрами пленочных элементов гибридных интегральных микросхем
(ИС).
Начало формы
Конец формы
Начало формы
Конец формы
Начало формы
Конец формы
Начало формы
Конец формы
Исходные данные
|
R кОм, С пФ |
|
P |
Uраб |
Tg |
№ студента в бригаде |
|||||
1 |
Отн. ед. (%) |
мВт |
В |
Отн. ед. |
|
R1 |
200 |
0.22 (22%) |
0.1 |
|
|
R2 |
32 |
0,13 (13%) |
2.5 |
|
|
R3 |
20 |
0.11 (11%) |
0.2 |
|
|
R4 |
8 |
0.08 (8%) |
10 |
|
|
C1 |
8000 |
0.15 (15%) |
|
9 |
10*10-3 |
Диапазон
температур
|
|||||
Шаг коорд. сетки 0.01 мм |
|||||
R,
C
погрешность изготовления
Материал резистора |
ρs, Ом/□ |
ТКР*10-4, 1/град |
ɣСТ, % |
ρ0, мВт/мм2 |
Кермет |
5000 |
-4 |
0,3 |
20 |
Материал диэлетрика |
ε |
tgδ*10-3 |
Епр*106, В/см |
ТКС*10-5, 1/град |
Ta2O5 |
20-25 |
10-70 |
1,5-2,5 |
40 |
Материал пленки |
Удельное объемное сопротивление, Ом |
ТКС, 1/град |
Удельная теплопроводность |
ТКЛР 10-6, 1/град |
Медь |
1,7 |
0,0043 |
3,88 |
16,5 |
Материал подложки |
ε |
tgδ*10-4 |
Коэффициент теплопроводности, λ, Вт/м*град |
ТКЛР*10-7, 1/град |
Класс частоты, ∇ |
Поликор |
9,8 |
1 |
30 |
75-80 |
13-14 |
1.
2. Допустимая погрешность числа квадратов (измеряется в отн.единицах):
3.
Определим число квадратов резистора и
выберем форму по формуле
При
n≤10 – прямоугольный резистор
При n≥10 – составной или «меандр» резистор
4. Если n ≥ 1, определим параметры составных и прямоугольного резисторов.
Минимально допустимую ширину резистора, обусловленную его точностью, по формуле
Минимально допустимую ширину резистора, ограниченную мощностью рассеяния, по формуле
где ρ – заданная мощность рассеяния, мВт; ρ0 – удельная мощность рассеяния пленки, мВт/мм2
Расчетное
значение ширины должно быть не менее
наибольшей величины из полученных трех:
,
где
Расчетное
значение длины резистора вычисляем по
формуле
Расчет
оптимального количества перегибов для
составного резистора (в нашем случае
R1)
по формуле
Определим
ширину резистора R1
по формуле
Вычислим
длину резистора R1
по формуле
Увеличим
длину резисторов, прибавив коэффициент,
посчитанный по формуле
Тогда получим:
Р
ассчитаем
длину одного из последовательных
участков по формуле
Расчет
конденсатора:
Кз
- коэффициент запаса электрической
прочности
1.
Определяем минимальную толщину
диэлектрика
Толщина диэлектрика должна быть в пределах 0,1-1 мкм. Требование выполнено.
2.
Определяем
удельную емкость конденсатора по формуле
3. Рассчитывают площадь верхней обкладки конденсатора
При
площади S > 5
выбираем квадратную форму конденсатора
4.
Найдем размеры верхней обкладки
конденсатора по формуле
5. Определяем размеры нижней обкладки конденсатора.
q – допуск на совмещение обкладок. Для серийной технологии q=0,02 мм
R |
b - ширина |
l - длина |
|
R1 |
60 мкм |
4000 мкм |
|
R2 |
120 мкм |
900 мкм |
|
R3 |
170 мкм |
680 мкм |
|
R4 |
380 мкм |
900 мкм |
|
Конденсатор |
|||
S |
22.14 мм2 |
||
AB |
4705 мкм |
||
Размер подложки 10 Х 12