3 семестр / Лабы / 7.1 / обработка

Обработка результатов эксперимента.

1. Вычислить темновое сопротивление для двух значений приложенного напряжения (10 В и 15 В).

U, В	, А	, Ом
10	27	2,7
15	41	2,73

2. Используя данные табл. 7.2, вычислить удельную чувствительность фотосопротивления по (7.1) при рабочем напряжении U = 15 В и освещенности Е = 100 лк. Площадь поверхности полупроводникового слоя (указана на панели установки).

U = 10 В

r, см	10	15	20	25	30	35	40
	31	22	16	12	9	7	6
E, лк	2500	1111,1	625	400	277,7	204,08	156,25
	12,92	20,63	26,67	31,25	33,76	35,73	40

U = 15 В

r, см	10	15	20	25	30	35	40
	48	33	24	18	15	12	10
E, лк	2500	1111,1	625	400	277,7	204,08	156,25
	13,33	20,63	26,67	31,25	37,51	40,83	44,44

Выводы: В данной работе были проведены 2 эксперимента. В первом эксперименте были измерены темновой ток и ток при освещении при изменении напряжения, при двух разных расстояниях, по полученным значениям были вычислены значение фототока и освещенности. Также были построены графики зависимостей темнового тока и фототока от напряжения, было вычислено темновое сопротивление для двух значений приложенного напряжения. Во втором эксперименте уже изменялось расстояние для двух значений напряжения, также были измерены темновой ток и ток при освещении. Были вычислены фототок и освещенность, построены графики зависимости фототока и от освещенности. По данным второго эксперимента также была вычислена удельная чувствительность фотосопротивления при известном рабочем напряжении и освещенности.