ДЗ / 4
.docxМИНОБРНАУКИ РОССИИ
Санкт-Петербургский государственный
электротехнический университет
«ЛЭТИ» им. В.И.Ульянова (Ленина)
Кафедра Микрорадиоэлектроники и технологии радиоаппаратуры (МИТ)
ДЗ № 4
По дисциплине «ФОМНЭ»
Вариант № 14
Выполнил студен |
|
|
Преподаватель Доцент кафедры МИТ |
|
Мельник В.И. |
Санкт-Петербург
2025
Задание. Рассчитать зависимости и построить графики
толщины напыляемой пленки d от расстояния от центра подложки L для испарителя малой площади и для точечного испарителя;
отношения толщины пленки d на удалении L от центра подложки к толщине пленки в центре подложки d0 в соответствии с данными по индивидуальному заданию.
Оцените примерно сколько распыляемого материала образовало пленку на подложке, от массы исходного материала (%). Сделайте вывод об эффективном расходовании чистых материалов.
Исходные данные:
-
Распыляемый материал
Масса
г.
Диаметр подложки
мм.
Расстояние от испарителя до подложки мм.
Ag
2,0
80
400
Для испарителя малой площади:
|
|
(1) |
Для точечного испарителя
|
|
(2) |
Рассчитаем
зависимость толщины напыляемой пленки
от расстояния до центра подложки L
длят испарителя малой площади и точечного
испарителя по формулам 1 и 2, соответственно.
d, нм |
L, мм |
378,42 |
0 |
377,95 |
10 |
376,54 |
20 |
374,2 |
30 |
370,96 |
40 |
366,87 |
50 |
361,95 |
60 |
356,27 |
70 |
349,87 |
80 |
342,83 |
90 |
335,21 |
100 |
Таблица 1. Зависимость напыляемой пленки от центра подложки для испарителя малой площади.
Рисунок 1. График для таблицы 1.
d, нм |
L, мм |
94,60 |
0 |
94,52 |
10 |
94,25 |
20 |
93,81 |
30 |
93,20 |
40 |
92,43 |
50 |
91,5 |
60 |
90,42 |
70 |
89,2 |
80 |
87,85 |
90 |
86,38 |
100 |
Таблица 2. Зависимость напыляемой пленки от центра подложки для точечного испарителя.
Рисунок 2. График для таблицы 2.
Рисунок 3. Общий график зависимостей d от L.
Формула отношения толщины пленки для испарителя малой площади:
|
|
(3) |
Формула отношения толщины пленки для точечного испарителя:
|
(4) |
По формулам 3 и 4 выполним расчет.
d/d0 |
L, мм |
1 |
0 |
0,99968757 |
10 |
0,99875117 |
20 |
0,99719342 |
30 |
0,99501869 |
40 |
0,99223304 |
50 |
0,98884421 |
60 |
0,98486158 |
70 |
0,98029605 |
80 |
0,97516006 |
90 |
0,96946746 |
100 |
Таблица 3. Отношение d/d0 в зависимости от L для испарителя малой площади.
Рисунок 4. График для таблицы 3.
d/d0 |
L, мм |
1 |
0 |
0,999766 |
10 |
0,999063 |
20 |
0,997894 |
30 |
0,996262 |
40 |
0,994169 |
50 |
0,991621 |
60 |
0,988625 |
70 |
0,985185 |
80 |
0,981312 |
90 |
0,977012 |
100 |
Таблица 4. Отношение d/d0 в зависимости от L для точечного испарителя
Рисунок 5. График для таблицы 4.
Выводы:
1) Сравнение процессов напыления серебра с использованием точечного испарителя и испарителя малой площади показывает существенную разницу в толщине формируемого слоя. Испаритель малой площади, обеспечивая более концентрированное осаждение материала на меньшей площади, формирует слой примерно в четыре раза толще по сравнению с точечным испарителем.
2) Анализ графиков зависимости относительной толщины d/d₀ от расстояния L (Рисунки 4 и 5) показывает, что характер осаждения для обоих типов испарителей качественно схож. В обоих случаях наблюдается максимальная толщина в центре подложки (L=0) и ее монотонное уменьшение к краям. Это свидетельствует о схожести физической модели распределения материала в обоих случаях.
