ДЗ / 3

МИНОБРНАУКИ РОССИИ

Санкт-Петербургский государственный

электротехнический университет

«ЛЭТИ» им. В.И.Ульянова (Ленина)

Кафедра Микрорадиоэлектроники и технологии радиоаппаратуры (МИТ)

ДЗ № 3

По дисциплине «ФОМНЭ»

Вариант № 14

Выполнил студент гр.
Преподаватель Доцент кафедры МИТ		Мельник В.И.

Санкт-Петербург

2025

Задание 1. Рассчитать величину крутизны в области насыщения для транзистора с МДП структурой, обращая особое внимание на размерность. Характеристики материала (ε, ε_0, μ) – найти в справочниках (интернете).

(μ приповерхностная подвижность носителей, в 2,5 раза меньше объемной.

Исходные данные расчета по варианту:

M1 = Ge; W = 0,5 мкм; L = 5 мкм; M2 = AlN; d = 60 нм; μ_об = 0,39; μ_пов = 0,156.

Основная формула:

(1.1)

Емкость затвора:

(1.2)

где ,

По формуле 1.2 найдем емкость затвора

Представим в формуле 1.1 произведение константных величин как К, тогда:

(1.3)

где См/В В формуле 1.3 найдем величину крутизны, в зависимости от

0,2
0,5	9,75
1	19,5
2	39
5	97,5
8	156

Таблица 1.1. Результаты вычисления величины крутизны S (мкСм) в зависимости от напряжения (В).

Вывод: мы рассчитали величину крутизны в области насыщения для транзистора с МДП структурой. Выяснили, что на величину крутизны влияют: подвижность электронов (чем выше, тем больше); диэлектрическая проницаемость (чем выше, тем больше). Также на величину крутизны влияет ширина канала, при ее увеличении величина крутизны увеличивается. При уменьшении длины канала крутизна также увеличивается. Напряжение напрямую влияет на величину крутизны, но напряжение невозможно увеличивать бесконечно, оно ограничено теми или иными факторами.