Схемотехника_Лабы_ЛАНДА / ЛР3 / Лабораторная работа 3

Лабораторная работа 3

ИССЛЕДОВАНИЕ РЕЗИСТОРНОГО КАСКАДА НА ПОЛЕВОМ ТРАНЗИСТОРЕ

Группа: ИКТС-32

Состав бригады: Загляда, Семенов

1. Исследование АЧХ:

Таблица 1.1 – Исследование АЧХXСхема	U1	f	100	320	1k	3,2k	10k	32k	100k	1M
	2,24	U2, В	0,74	0,74	0,74	0,74	0,36	1	0,78	0,042
C2=10мкФ	2,24	U2, В	2,4	2,2	3,6	3,8	3,6	3,44	2,4	0,136
ВЧ-корр	1,12	U2, В	3,44	3,6	3,6	3,8	3,8	3,8	4,4	0,14

2. Измерение временной характеристики усилителя (область малых времен ):

Формулы для расчёта:

Таблица 2.1 – Расчет выброса и времени нарастания

Схема	Время нарастания, С	Выброс, %
	0,00000254	0
C2=10мкФ	0,0000032	0
ВЧ-корр	0,0000017	25

Р исунок 2.1 – Осциллограмма схемы без C

Рисунок 2.2 – Осциллограмма схемы c C2=10мкФ

Рисунок 2.2 – Осциллограмма схемы c C2=10мкФ и L1-вкл

3. Измерение временной характеристики усилителя (область малых времен ):

Формулы для расчёта:

Схема	Искажение вершины импульса, %
	0,004545661
C2=10мкФ	12,67605634

Рисунок 3.1 – Осциллограмма схемы без C

Рисунок 3.1 – Осциллограмма схемы с C2=10мкФ

4. Вывод:

В ходе выполнения лабораторной работы были проведено исследование АЧХ резисторного каскада на полевом транзисторе. Было рассчитано время нарастания для области малых времён , а также выброс в этой области.

Для области малых времён было рассчитано искажение вершины импульса.