Практика 1 (вар 8)
.docxПрактическая работа №1
ФИО __________________ Уч.гр ____________
Задание 1 | Вариант 3
Тип резистора: постоянный, непроволочный, тонкослойный металлодиэлектрический и металлокисный
Мощность рассеивания: 1 Вт
Номинальное сопротивление: 3,2 Мом
Допустимое отклонение: ± 10%
Тип резистора: металлизированный лакированный теплостойкий
Мощность рассеивания: 0,25 Вт
Номинальное сопротивление: 82 кОм
Допустимое отклонение: ± 5%
Тип резистора: бороуглеродистый лакированный прецезионный
Мощность рассеивания: 1 Вт
Номинальное сопротивление: 0,29 МОм
Допустимое отклонение: ± 10%
Тип резистора: проволочный эмалированный влагостойкий
Мощность рассеивания: 3 Вт
Номинальное сопротивление: 320 кОм
Допустимое отклонение: ± 5%
Тип резистора: углеродистый лакированный измерительный
Мощность рассеивания: 0,5 Вт
Номинальное сопротивление: 0,18 кОм
Допустимое отклонение: ± 1%
Тип резистора: постоянный, непроволочный высоковольтный
Мощность рассеивания: 0,25 Вт
Номинальное сопротивление: 120 кОм
Допустимое отклонение: ± 2%
Тип резистора: композиционный изолированный малогабаритный
Мощность рассеивания: 0,25 Вт
Номинальное сопротивление: 0,38 кОм
Допустимое отклонение: ± 1%
Задание 2 | Вариант 3
308 Ом 10%
55 Ом 5%
Задание 3 | Вариант 3
1 Конденсатор
Номинальная ёмкость: 1,5 нФ
2 Конденсатор
Номинальная ёмкость: 5,6 нФ
Предельно-допустимое рабочее напряжение: 250 В
Задание 4 | Вариант 4
Величина индуктивности: 220 мкГн, ± 20%
Катушка индуктивности: 5 мкГн, ± 20%
Задание 5 | Вариант 2
КР541РУ2
К – ориентация на массовый рынок
Р – DIP (пластик)
5 – полупроводниковый чип
41 – номер серии
РУ – Р (запоминающие модули) , У (усилители) ((разрядное устройство))
2 – номер разработки
К176ИЕ12
К – ориентация на массовый рынок
1 – гибридный чип
76 – номер серии
ИЕ – счетчик импульсов
12 – номер разработки