Пособие по курсовому 2011
.pdf2. Параметры мощных полевых (МДП) транзисторов
|
Тестируемый |
|
|
|
Sгр , |
Rt,п-к , |
Емкости, пФ |
Предельные |
|||
Тип |
изготовителем режим |
S , А/В |
E0 , В |
|
напряжения, В |
||||||
|
Cзи / Cси / Cзс |
||||||||||
Eси / Pвых / f |
|
А/В |
оС/Вт |
U си /U зи |
|||||||
|
|
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
2П821А |
28 В/ 5 Вт/ 175 МГц |
0,18 |
1,0…6,0 |
|
– |
7,0 |
16 / 14 / 1,8 |
65 / 20 |
|||
2П821Б |
28 В/ 30 Вт/ 175 МГц |
1,2 |
1,0…6,0 |
|
– |
2,6 |
83 |
/ 62 / 8 |
65 / 20 |
||
2П979А |
28 В/ 60 Вт/ 230 МГц |
2,0 |
2,0…6,0 |
|
– |
1,45 |
105 |
/ 90 / 15 |
65 / 20 |
||
2П979Б |
28 В/ 150 Вт/ 230 МГц |
2,9 |
2,0…6,0 |
|
– |
0,88 |
225 |
/ 185 |
/ 30 |
65 / 20 |
|
ARF1505 |
300 В/ 750 Вт/ 40 МГц |
6 |
3,0…5,0 |
|
1 |
0,1 + 0,06 |
5400 |
/ 300 |
/ 125 |
1200 / 30 |
|
BLF145 |
28 В/ 30 Вт/28 МГц |
1,2 |
2,0…4,5 |
|
– |
2,6 + 0,3 |
125 / 75 |
/ 7 |
65 / 20 |
||
BLF175 |
50 В/ 30 Вт/ 108 МГц |
1,6 |
2,0…4,5 |
|
– |
2,6 + 0,3 |
130 / 36 / 3,7 |
125 / 20 |
|||
BLF177 |
50 В/ 150 Вт/ 108 МГц |
6,2 |
2,0…4,5 |
|
– |
0,8 + 0,2 |
480 |
/ 190 |
/ 14 |
125 / 20 |
|
МRF157 |
50 В/ 600 Вт/ 80 МГц |
24 |
1,0…5,0 |
|
– |
0,13 |
1800 |
/ 750 / 75 |
125 / 40 |
||
SD3931 |
100 В/ 175 Вт/150 МГц |
2,5 |
1,5…4,0 |
|
3,3…4 |
0,45 |
500 |
/ 134 / 6 |
250 / 20 |
||
SD3933 |
100 В/ 350 Вт/ 30 МГц |
8,0 |
1,5…4,0 |
|
– |
0,27 |
1000 |
/ 265 / 13 |
250 / 20 |
||
VRF141 |
28 В/150 Вт/175 МГц |
5,0 |
2,9…4,4 |
|
4 |
0,6 |
400 |
/ 375 |
/ 50 |
80 / 40 |
|
VRF148A |
50 В/ 30 Вт/175 МГц |
0,8 |
2,9…4,4 |
|
4 |
1,52 |
160 / 40 / 2,6 |
170 / 40 |
|||
VRF150 |
50 В/ 150 Вт/150 МГц |
4,5 |
2,9…4,4 |
|
1 |
0,6 |
420 |
/ 210 |
/ 35 |
170 / 40 |
|
VRF151 |
50 В/ 150 Вт/175 МГц |
5,0 |
2,9…4,4 |
|
1 |
0,6 |
375 |
/ 200 |
/ 12 |
170 / 40 |
|
VRF152 |
50 В/ 150 Вт/175 МГц |
6,2 |
2,9…4,4 |
|
3 |
0,6 |
383 |
/ 215 |
/ 20 |
130 / 40 |
|
VRF154FL |
50 В/ 600 Вт/ 80 МГц |
16 |
2,9…4,4 |
|
10 |
0,13 |
1750 |
/ 775 |
/ 135 |
170 / 40 |
|
VRF157FL |
50 В/ 600 Вт/ 80 МГц |
16 |
2,9…4,4 |
|
10 |
0,13 |
1580 |
/ 810 / 65 |
170 / 40 |
||
VRF2933 |
50 В/ 300 Вт/ 150 МГц |
8 |
2,9…4,4 |
|
5 |
0,27 |
740 |
/ 400 |
/ 32 |
170 / 40 |
|
|
Транзисторные сборки: в одном корпусе два транзистора с общим выводом от истоков |
|
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
2П819А |
28 В/ 300 Вт/ 230 МГц |
– |
– |
|
– |
– |
530 |
/ 310 |
/ 15 |
60 / 20 |
|
2П826АС |
50 В/ 600 Вт/ 30 МГц |
– |
– |
|
– |
– |
1950 |
/ 850 / 75 |
125 / 40 |
||
ARF473 |
165 В/ 300 Вт/150 МГц |
6 |
3,0…5,0 |
|
– |
0,15 |
830 |
/ 130 / 7 |
500 / 30 |
||
|
|
|
|
80 |
|
|
|
|
|
|
|
ARF475FL |
165 В/ 300 Вт/150 МГц |
3,6 |
2,9…4,0 |
1 |
– |
1600 / 200 / 12 |
|
500 |
/ 30 |
||
BLF278 |
50 В/ 150 Вт/ 108 МГц |
6,2 |
2,0…4,5 |
– |
0,35 + 0,15 |
480 / 190 / 14 |
|
125 |
/ 20 |
||
BLF369 |
32 В/ 500 Вт/ 225 МГц |
15 |
4,0…5,5 |
– |
0,26 + 0,09 |
400 / 230 / 15 |
|
65 |
/ 13 |
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
BLF574 |
50 В/ 500 Вт/ 225 МГц |
17 |
1,35…2,35 |
– |
0,23 |
204 / 72 / 1,5 |
|
110/ - 0,5 +1 |
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
D5028UK |
50 В/ 150 Вт/175 МГц |
4,8 |
1,0…7,0 |
– |
0,4 |
360 |
/ 150 / 9 |
|
125 |
/ 20 |
|
D5029UK |
50 В/ 175 Вт/175 МГц |
5,6 |
1,0…7,0 |
– |
0,4 |
420 / 175 / 10,5 |
|
125 |
/ 20 |
||
D5030UK |
50 В/ 200 Вт/175 МГц |
6,4 |
1,0…7,0 |
2 |
0,3 |
480 / 200 / 12 |
|
125 |
/ 20 |
||
D5050UK |
50 В/ 300 Вт/ 30 МГц |
9,6 |
1,0…7,0 |
– |
0,35 |
720 / 300 / 18 |
|
125 |
/ 20 |
||
SD3932 |
100 В/ 175 Вт/150 МГц |
2,5 |
1,5…4,0 |
3,3…4 |
0,45 |
500 |
/ 134 |
/ 6 |
|
250 |
/ 20 |
VRF151G |
50 В/ 300 Вт/175 МГц |
5,0 |
2,9…4,4 |
5 |
0,35 |
375 / 200 /12 |
|
170 |
/ 40 |
||
|
Транзисторные сборки: в одном корпусе четыре транзистора, соединенных по мостовой схеме |
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ARF1510 |
400 В/ 750 Вт/ 40 МГц |
4 |
3,0…5,0 |
– |
0,1 + 0,06 |
1200 |
/ 100 |
/ 20 |
|
1000 / 30 |
|
ARF1511 |
380 В/ 750 Вт/ 40 МГц |
5,5 |
3,0…5,0 |
– |
0,1 + 0,06 |
1200 |
/ 150 |
/ 60 |
|
500 |
/ 30 |
Параметры транзисторов: Eси – напряжение питания между электродами транзистора; U си /U зи – максимально допустимые значения кратковременных (импульсных) напряжений между электродами транзистора; E0 – напряжение приведения передаточных характеристик; S – крутизна передаточной характеристики; Sгр – крутизна линии граничного режима; Cзи / Cси /Cзс – междуэлектродные емкости, пФ; Rt,п-к – тепловое сопротивление.
81
3. Основные параметры низкоомных радиочастотных кабелей
|
Марка |
W , Ом |
U доп , В |
I доп , А |
a , мм |
b , мм |
|
Rизг , мм |
|
|
РП- 3-3-11 |
3,2 |
18 |
6 |
4,20 |
1,20 |
|
3,0 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
РП- 3-5-11 |
3,2 |
25 |
8 |
5,70 |
1,20 |
|
3,0 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
РП- 3-7-11 |
3,2 |
25 |
11 |
8,60 |
1,30 |
|
3,0 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
РП- 4-5-11 |
4,7 |
35 |
8 |
5,70 |
1,20 |
|
3,0 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
РП- 4-7-11 |
4,7 |
50 |
11 |
8,60 |
1,30 |
|
3,0 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
РП- 6-5-12 |
6,3 |
50 |
8 |
5,70 |
1,20 |
|
3,0 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
РП- 6-7-11 |
6,3 |
68 |
11 |
8,60 |
1,50 |
|
3,0 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
РП- 9-5-11 |
9,4 |
72 |
8 |
5,70 |
1,30 |
|
3,0 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
РП- 9-7-11 |
9,4 |
100 |
11 |
8,60 |
1,60 |
|
3,0 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
РП-12-5-11 |
12,5 |
100 |
8 |
5,70 |
1,40 |
|
3,0 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
РП-18-5-11 |
18,8 |
145 |
8 |
5,70 |
1,70 |
|
3,0 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
РП-30-5-11 |
30,0 |
170 |
8 |
5,70 |
1,70 |
|
3,0 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
КВФ-12 |
12,5 |
– |
– |
3,86 |
1,67 |
|
5,0 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
КВФ-19 |
19,0 |
– |
– |
2,80 |
1,80 |
|
5,0 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
КВФ-25 |
25,0 |
– |
– |
2,49 |
– |
|
5,0 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
КВФ-37 |
37,5 |
– |
– |
2,56 |
– |
|
5,0 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Примечание. W – волновое сопротивление; U доп , I доп – максимально допу- |
|||||||||
стимые значения напряжения и тока (на частоте 1,76 МГц); a , |
b , Rизг – ши- |
||||||||
рина (диаметр), толщина, минимальный радиус изгиба соответственно.
Оглавление |
|
1. ТРАНЗИСТОРНЫЕ АВТОГЕНЕРАТОРЫ ГАРМОНИЧЕСКИХ |
|
КОЛЕБАНИЙ ........................................................................................................... |
3 |
1.1. Выбор транзистора и режима его работы в автогенераторе ...................... |
3 |
1.2. Основы расчета транзисторного автогенератора........................................ |
7 |
1.3. Особенности проектирования кварцевых автогенераторов .................... |
12 |
2. ТРАНЗИСТОРНЫЕ ШИРОКОПОЛОСНЫЕ УСИЛИТЕЛИ ........................ |
28 |
2.1. Конструктивное выполнение мощных усилителей .................................. |
28 |
2.2. Расчет выходной цепи усилителя ............................................................... |
30 |
2.3. Расчет входной цепи усилителя на биполярных транзисторах ............... |
38 |
2.4. Расчет входной цепи усилителя на МДП-транзисторах .......................... |
44 |
3. БЛОК КОММУТИРУЕМЫХ ФИЛЬТРОВ...................................................... |
50 |
4. СИНТЕЗАТОРЫ ЧАСТОТЫ ............................................................................ |
56 |
4.1. Пассивные цифровые синтезаторы ............................................................ |
59 |
4.2. Цифровые синтезаторы с ФАП................................................................... |
64 |
4.3. Способы формирования модулированных сигналов в синтезаторах с |
|
ФАП ...................................................................................................................... |
75 |
Список литературы ................................................................................................ |
78 |
Приложения........................................................................................................... |
79 |
1. Параметры мощных биполярных транзисторов .......................................... |
79 |
2. Параметры мощных полевых (МДП) транзисторов .................................... |
80 |
3. Основные параметры низкоомных радиочастотных кабелей ...................... |
1 |
Митрофанов Александр Васильевич, Полевой Валентин Васильевич,
Cафин Вадим Гараевич, Соловьев Анатолий Антонович
Устройства генерирования и формирования радиосигналов
|
Учебное пособие |
|
Редактор Э. К. Долгатов |
Подписано в печать |
. Формат 60 84 1/16. Бумага офсетная. |
Печать офсетная. Гарнитура "Times New Roman". Печ. л. 5,0.
Тираж 70 экз. Заказ
Издательство СПбГЭТУ "ЛЭТИ" 197376, С.-Петербург, ул. Проф. Попова, 5