- •Содержание
- •Введение
- •Задание на курсовую работу
- •Структурная схема радиопередающего устройства
- •Расчет опорного кварцевого генератора
- •Выбор параметров окг
- •Расчёт параметров транзистора
- •Расчет колебательной системы
- •Расчет энергетических характеристик окг
- •Расчет элементов цепей питания
- •Расчёт оконечного каскада
- •Расчёт выходной цепи усилителя
- •Расчёт входной цепи усилителя
- •Расчет согласующей цепи по типу фазового контура
- •Расчет разделительных и блокировочных элементов
- •Синтезатор частот
- •Пассивные цифровые синтезаторы
- •Формирование квадратурной фазовой манипуляции и выбор синтезатора частоты
- •Заключение
- •Список использованных источников
Расчёт выходной цепи усилителя
Пусть
температура корпуса
Мощность, рассеиваемая на стоке:
Пусть напряжение питания стока 40% от максимального:
Максимально допустимая амплитуда стокового импульсного тока:
Амплитуда импульса тока стока при угле отсечки 𝜃=90°:
Остаточное напряжение на стоке:
Амплитуда переменного напряжения на стоке:
Амплитуда первой гармоники тока стока:
Сопротивление нагрузки по первой гармонике, ощущаемое одним транзистором:
Ближайшее
стандартное сопротивление кабеля
,
что соответствует кабелю РП-3-7-11 с
максимально допустимым значением
напряжения и тока
.
Перерасчёт тока:
Полученное
значение
не превышает предельно допустимых токов
транзистора
и кабеля
,
поэтому при дальнейшем расчёте
используется значение тока
.
Остаточное напряжение на коллекторе:
Амплитуда переменного напряжения на стоке:
Амплитуда первой гармоники тока стока:
Амплитуда постоянной составляющей тока стока:
Мощность первой гармоники, отдаваемая в нагрузку одним транзистором:
Мощность, потребляемая транзистором от источника питания:
Мощность, рассеиваемая на стоке:
Коэффициент полезного действия по цепи стока:
Расчёт входной цепи усилителя
На
рис.3, а приведена упрощенная эквивалентная
схема МДП-транзистора. Преобразовав
эквивалентную схему таким образом,
чтобы исключить внутренние обратные
связи за счет элементов Cзс и Lи, но учесть
в первом приближении их влияние, можно
получить схему, изображенную на
Рис.
3, б. Выводы от электродов выполняются
полосковыми (с индуктивностью порядка
3…5 нГн) с двумя внешними полосковыми
выводами от истока транзистора
,
.
Рис.3. Эквивалентная схема МДП-транзистора
Граничная частота транзистора по крутизне:
,
где
– внутрикорпусная часть индуктивности
истока (для данного типа транзистора
).
Так как
то входное сопротивление транзистора
можно считать емкостным. Задача входной
цепи при этом – создать на емкостном
входном сопротивлении транзистора
постоянное в рабочем диапазоне частот
напряжение при условии, что входное
сопротивление цепи резистивное и
постоянно во всем диапазоне частот. Эта
задача может быть решена различными
методами, в частности, использованием
во входной цепи фазового контура, подобно
схеме, приведенной на рис. 4.
Рис. 4. Корректирующе-согласующая цепь (фазовый контур)
Выходное сопротивление транзистора, обусловленное обратной связью через емкость перехода затвор-сток:
При работе транзистора с отсечкой необходимо учитывать эффект увеличения эквивалентного сопротивления по первой гармонике:
– коэффициент
приведения внутреннего сопротивления
(
при угле отсечки
).
Нагрузочный коэффициент, учитывающий снижение усиления за счет обратной связи через проходную емкость:
Амплитуда напряжения на входе фазового контура, равного напряжению между затвором и истоком транзистора:
Коэффициент усиления каскада по напряжению:
Входная емкость транзистора:
Усредненное значение диффузной емкости открытого истокового перехода:
Для обеспечения требуемого значения
последовательно с базой транзистора
включается корректирующий конденсатор,
емкость которого:
Стандартное значение из Е24:
