- •Содержание
- •Введение
- •Задание на курсовую работу
- •Структурная схема радиопередающего устройства
- •Расчет опорного кварцевого генератора
- •Выбор параметров окг
- •Расчёт параметров транзистора
- •Расчет колебательной системы
- •Расчет энергетических характеристик окг
- •Расчет элементов цепей питания
- •Расчёт оконечного каскада
- •Расчёт выходной цепи усилителя
- •Расчёт входной цепи усилителя
- •Расчет согласующей цепи по типу фазового контура
- •Расчет разделительных и блокировочных элементов
- •Синтезатор частот
- •Пассивные цифровые синтезаторы
- •Формирование квадратурной фазовой манипуляции и выбор синтезатора частоты
- •Заключение
- •Список использованных источников
Расчет колебательной системы
Вспомогательный параметр:
Резистивное сопротивление КвР:
Реактивное
сопротивление по обходу колебательной
системы:
Произведение:
Амплитуда напряжения на базе транзистора:
Сопротивление шунтирующего резонатор резистора:
Соответствующее
стандартное значение из ряда Е24:
Амплитуда первой гармоники тока через резонатор:
Сопротивления конденсаторов колебательной системы:
Ёмкости конденсаторов:
Соответствующие стандартные значения из ряда Е24:
Сопротивление индуктивности контура:
Индуктивность контура:
Соответствующее
стандартное значение из ряда Е24:
Эквивалентное сопротивление контура:
Расчет энергетических характеристик окг
Постоянное напряжение на коллекторе транзистора выбирается из следующего условия:
В
этом выражении
– допустимое по паспортным данным
значение напряжения коллекторного
питания
В
Амплитуда напряжения на коллекторе:
Проверка недонапряженного режима работы:
В
этом выражении
– крутизна линии граничного режима.
Т.к.
,
то режим недонапряженный.
Постоянная составляющая коллекторного тока:
Подводимая к коллектору мощность:
Мощность, рассеиваемая на коллекторе:
В
этом выражении
– мощность,
рассеиваемая резонатором.
КПД генератора:
Расчет постоянной составляющей тока базы:
В этом выражении – низкочастотное значение коэффициента усиления транзистора по току в схеме с общим эмиттером.
Напряжение смещения на базе:
В
этом выражении
– напряжение запирания.
Расчет элементов цепей питания
Опыт
проектирования транзисторных АГ
показывает, что существует оптимальное
значение
,
обеспечивающее максимальную стабильность
частоты.
Ориентировочное значение сопротивления в эмиттерной цепи:
Стандартное
значение из ряда Е24:
.
Емкость конденсатора Cэ должна быть достаточно велика для обеспечения фильтрации переменной составляющей, но должна обеспечивать стационарный режим колебаний АГ, то есть отсутствие режима прерывистой генерации и самомодуляции.
Стандартное
значение из ряда Е24:
.
Индуктивность дросселя в цепи коллекторного питания:
Стандартное
значение E24:
Емкость блокировочного конденсатора:
Стандартное
значение E24:
Напряжение источника коллекторного питания:
Ток базового делителя:
Расчет
:
Стандартные
значения сопротивлений из Е24:
,
.
Сопротивление делителя:
Так
как сопротивление
много больше эквивалентного сопротивления
контура
,
то в схеме с кварцевым резонатором в
контуре резистором
можно пренебречь.
Ёмкость разделительного конденсатора:
Стандартное
значение E24:
.
Разделительную
емкость Ссв
выбирают,
исходя из того, что ее сопротивление
должно быть намного меньше сопротивления
нагрузки – входного сопротивления
датчика опорных частот, но поскольку
неизвестны значения входного сопротивления
ССЧ, то пусть
Стандартное
значение E24:
Расчёт оконечного каскада
В соответствии с техническим заданием усилитель мощности в работе будет построен на базе МДП-транзистора BLF278.
Таблица 4. Параметры заданного транзистора
Тип |
S, А/В |
E0, В |
Sгр, А/В |
Rt,п-к,°С/Вт |
Емкости, пФ СЗИ/ССИ/СЗС |
Предельные напряжения, В UСИ/ UЗИ |
Icmax, А |
BLF278 |
6,2 |
2,0…4,5 |
3 |
0,35+0,15 |
480/190/14 |
125/±20 |
18 |
BLF278 – мощный полевой транзистор.
Максимально допустимое значение напряжение между стоком и истоком: 𝐸СИ=50 В.
Выходная мощность: Pвых=150 Вт.
Верхняя граничная частота рабочего диапазона: 𝑓в т=108 МГц.
Крутизна передаточной характеристики: S=6,2 А/В.
Напряжение приведения передаточных характеристик: E0=2,0…4,5 В.
Тепловое сопротивление: 𝑅𝑡,п−к= 0,5℃/Вт.
Ёмкости выводов транзистора (междуэлектродные):
СЗИ=480 пФ, ССИ=190 пФ, СЗС=14 пФ.
Максимально допустимые значения импульсных напряжений между электродами транзистора: UСИ=125 В, UЗИ=±20 В.
Принимаемая за допустимую температура перехода 𝑇п.доп =150℃.
Максимально допустимый постоянный ток стока Ic доп=18 А.
