МИНОБРНАУКИ РОССИИ

Санкт-Петербургский государственный

электротехнический университет

«ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)

Кафедра РЭС

Курсовая РАБОТА

по дисциплине «Схемотехника аналоговых устройств»

Тема: ПРОЕКТИРОВАНИЕ ТРЕХКАСКАДНОГО УСИЛИТЕЛЯ ИМПУЛЬСНЫХ СИГНАЛОВ

Вариант 2.

Студент гр. 0182		Бронников Д.Д.
Преподаватель		Орлов В.В.

Санкт-Петербург

2022

АННОТАЦИЯ

В курсовой работе исследуется применение биполярного транзистора в качестве элемента усилителя электрических колебаний. В ходе выполнения курсовой работы будет спроектирован трехкаскадный усилитель импульсных сигналов с непосредственными межкаскадными связями, включающий в себя общий коллектор и общий эмиттер.

SUMMARY

The course work explores the use of a bipolar transistor as an element of electrical oscillations. In the course of the course work, a three-stage pulse signal amplifier with direct interstage connections will be designed, which includes a common collector and a common emitter.

Содержание

Исходные данные к курсовой работе……………………............................…3

Введение……………………………………………………………......……….4

1. Синтез структурной схемы и определение типов проводимости транзисторов ………………...........................................................................…5

2. Определение конфигурации схемы на постоянном токе …......................….7

3. Расчет элементов схемы на постоянном токе …………….…..........….....….9

4. Анализ воздействия дестабилизирующих факторов ………...................….12

5. Мероприятия по снижению влияния дестабилизирующих факторов (введение ООС) ................................................................................................17

6. Организация конфигурации схемы для обеспечения работы усилителя на переменном токе ………………………..........................................................21

7. Обеспечение требований к параметрам переходных процессов .................25

Заключение........................................................................................................30

Список использованной литературы...............................................................31

Исходные данные к курсовой работе

Таблица 1

Структура	Еп +,В	Еп -,В	Тн, нс	, %	Ти, мкс	Сн, пф	Rн, КОм	Rс, Ом	Tmax	Tmin	Um, В
ОК ОБ ОК	5	3	20	2	75	175	0,5	2300	70	-10	+3

– сопротивление базовой области r_б = 30 Ом;

– статический коэффициент передачи тока базы β = 100;

– напряжение Эрли U_Эрли = 150 В;

– максимальный ток коллектора I_кmax = 0.3 А;

– паразитная емкость перехода база-коллектор C_к = 1 пФ;

– модуль коэффициента передачи тока базы в схеме ОЭ на частоте 250 МГц |β(250 МГц)| = 4;

– технологический разброс номинального напряжения база-эмиттер ΔU_бэ = ± 30 мВ,

– разброс коэффициента передачи тока базы в схеме ОЭ Δβ = ± 50

1. Введение

Так как проектирование носит учебный характер, то структура усилителя принимается заданной. К проектированию предложен трёхкаскадный усилительный тракт, включающий в различном сочетании каскады: общий эмиттер (ОЭ), общий коллектор (ОК) и общую базу (ОБ).

Усилитель в данной работе рассматривается как схема с непосредственными межкаскадными соединениями, что обеспечивает возможность введения ООС, действующей на постоянном токе.

Разрабатываемая схема предназначена для усиления однополярных импульсных сигналов, следующих с большой скважностью, например сигналов видеоимпульсов в локационных системах.

В задании сформулированы требования к допустимым переходным искажениям импульса. Эти требования охарактеризованы предельно допустимым значением длительности нарастания фронта t_нар импульса, а также допустимым спадом его вершины при заданной предельной его длительности t_и.