ФОМНЭ 8дз
.docxМИНОБРНАУКИ РОССИИ
САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ
ЭЛЕКТРОТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ
«ЛЭТИ» ИМ. В. И. УЛЬЯНОВА (ЛЕНИНА)
Кафедра микро- и наноэлектроники
ОТЧЕТ
по домашнему заданию №8
по дисциплине «Физические основы микро и наноэлектроники»
Тема: Ионно-плазменное распыление материалов.
Вариант 3
Студент гр. 0182 ______________ Бронников Д. Д.
Преподаватель ______________ Рассадина А. А.
Санкт-Петербург
2021
Рассчитать скорость распыления v при ионно-плазменном распылении для ионов аргона и соответствующей мишени М2 для плотности тока j1 (А/см2) и коэффициента распыления S.
-
М2
J1
S
Cu
10-3
0,1
M2=63,546 (г/моль)
=8,93
кг/см3
см/с
Вывод. Скорость распыления при ионно-плазменном распылении зависит от материала мишени, плотности подаваемого тока и коэффициента распыления.
