ФОМНЭ 4 дз

МИНОБРНАУКИ РОССИИ

САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ

ЭЛЕКТРОТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ

«ЛЭТИ» ИМ. В. И. УЛЬЯНОВА (ЛЕНИНА)

Кафедра микро- и наноэлектроники

ОТЧЕТ

по домашнему заданию №4

по дисциплине «Физические основы микро и наноэлектроники»

Тема: Элементная база микроэлектроники.

Вариант 3

Студент гр. 0182 ______________ Бронников Д. Д.

Преподаватель ______________ Рассадина А. А.

Санкт-Петербург

2021

Рассчитаем величину крутизны в области насыщения для транзистора с МДП структурой.

, где:

W=0,3 мкм

L=8 мкм

d=80 нм

=8,85*10^-12

(Si) = 3,9

μ (SiO₂) = 0,048 м²/(В∙с)

Вывод.

Крутизна характеристики прибора в пологой области стоковой В-АХ: