Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Лабы / ЛР5,0182,Бронников, Жангериев

.docx
Скачиваний:
0
Добавлен:
21.03.2026
Размер:
112.26 Кб
Скачать

МИНОБРНАУКИ РОССИИ

Санкт-Петербургский государственный

электротехнический университет

«ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)

Кафедра МиТ

отчет

по лабораторной работе №5

по дисциплине «Основы электроники и радиоматериалы»

Тема: ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРАС УПРАВЛЯЮЩИМ ПЕРЕХОДОМ.

Студенты гр. 0182

Жангериев Р.В.

Бронников Д.Д.

Преподаватель

Кириллов В.В.

Санкт-Петербург

2022

Полевой транзистор (ПТ) – это полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей, протекающих через проводящий канал, управляемый электрическим полем. Управление потоком основных носителей зарядов в канале осуществляется с помощью выпрямляющего электрического перехода, смещенного в обратном направлении. ПТ с управляющим переходом имеет два омических перехода в области полупроводника, по которой проходит управляемый и регулируемый поток основных носителей заряда и один или два управляющих p–n- перехода, смещенных в обратном направлении. Область в полупроводнике, в которой регулируется поток основных носителей заряда, называют проводящим каналом. Электрод ПТ, через который в проводящий канал входят носители заряда, называется истоком (И, Sourse, S) и обозначается точкой на эквивалентной схеме в среде MicroCap. Электрод ПТ, через который из канала выходят носители заряда, называется стоком (С, Drain, D). Электрод ПТ, на который подают сигнал – затвор (З, Gate, G).

Передаточная характеристика ПТ отражает зависимость тока стока Ic от напряжения между затвором и истоком Vзи.

Задание №1 Исследование передаточной характеристики ПТ.

Рис.1 Схема цепи для исследования передаточной характеристики ПТ

Рис.3 График передаточной характеристики ПТ

Задание №2 Исследование выходных характеристик ПТ

Рис.4 Схема цепи для исследования выходных характеристик ПТ

Рис.5 Характеристики выводимых графиков

Рис.6 График выходной характеристики ПТ

VЗИ, В

VИС, В

-2,856

6

-2,2848

6

-1,7136

6

-1,1424

6

-0,5712

6

0

6

Рассчитаем сопротивления при

Рис.7 График зависимости сопротивления канала от Vзи

Вывод: Полевой транзистор отличается от биполярного тем, что выходной сигнал изменяется при помощи напряжения между затвором и истоком, а у биполярного - тока базы. Большему напряжению на затворе соответствует меньшее сопротивление канала и больший ток.