Лабы / ЛР4,0182,Бронников, Жангериев
.docxМИНОБРНАУКИ РОССИИ
Санкт-Петербургский государственный
электротехнический университет
«ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)
Кафедра МиТ
отчет
по лабораторной работе №4
по дисциплине «Основы электроники и радиоматериалы»
Тема: СЕМЕЙСТВО ВЫХОДНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА. КЛЮЧЕВОЙ РЕЖИМ РАБОТЫ ТРАНЗИСТОРА.
Студенты гр. 0182 |
|
Жангериев Р.В. |
|
|
Бронников Д.Д. |
Преподаватель |
|
Кириллов В.В. |
Санкт-Петербург
2022
Задание №1 Семейство выходных характеристик биполярного транзистора
Рис.1 Схема для исследования семейства выходных характеристик биполярного транзистора
Рис.2 Параметры для вывода графиков
Рис.3 Семейство выходных характеристик
нижний график Ib = 40мкА
верхний Ib = 90мкА
Для пологой области можно рассчитать β = Ic/Ib = 4,925*10-3/7*10-5 = 71,429. β = ΔIc/ΔIb = (4,925-2,037)/40*10-3 = 72,2. Значения почти совпадают с полученными в лаб. раб. №3 (B = 73,924, β = 72,784) для того же npn транзистора.
Задание №2 Исследование транзистора в ключевых режимах
Рис.4 Задание параметров импульсного источника
Рис.5 Схема для исследования ключевых режимов работы транзистора
Р
ис.6
Параметры исследования во временной
области
Рис.7 Графики переходных процессов во временной области
Из графика Ib(Q1) видно, что Ib = 21,57*10-6 A. Рассчитаем:
V(R2)=V1-Vce(Q1)
Ic=I(R2)=V(R2)/R2
R2, Ом |
Vce(Q1), В |
V(R2), В |
Ic, мА |
300 |
9,552 |
0,448 |
1,493 |
600 |
9,108 |
0,892 |
1,487 |
900 |
8,667 |
1,333 |
1,481 |
1200 |
8,23 |
1,77 |
1,475 |
1500 |
7,797 |
2,203 |
1,469 |
Таблица 1. Полученные значения Vce(Q1), V(R2), Ic в соответствии с R2
Выходная характеристика транзистора:
Рис.7 График выходной характеристики транзистора
Вывод: В ходе выполнения данной работы мы ознакомились с работой биполярного транзистора, семейством выходных характеристик транзистора, ключевым режимом работы транзистора.
Область насыщения (крутая) на графике выходной характеристики – область, в которой незначительное увеличение напряжения КЭ(Vce) приводит к ощутимому увеличению тока коллектора (транзистор открыт). А в пологой области коллекторный ток Ic практически не зависит от коллекторного напряжения Vce(активная область). Также существует режим отсечки, соответствующей области, лежащей под кривой выходной характеристики, соответствующей нулевому току базы (транзистор закрыт).