Лабы / ЛР3,0182,Бронников, Жангериев

МИНОБРНАУКИ РОССИИ

Санкт-Петербургский государственный

электротехнический университет

«ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)

Кафедра МиТ

отчет

по лабораторной работе №3

по дисциплине «Основы электроники и радиоматериалы»

Тема: ВХОДНАЯ И ПЕРЕДАТОЧНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКИ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА.

Студенты гр. 0182		Жангериев Р.В.
		Бронников Д.Д.
Преподаватель		Кириллов В.В.

Санкт-Петербург

2022

Теоретические сведения

Биполярный транзистор (БТ) – это полупроводниковый прибор с тремя областями чередующихся типов проводимости и двумя p−n-переходами, позволяющий усиливать электрические сигналы. Для n−p−n-транзисторов средняя р-область – базовая (Б, b – в англоязычных обозначениях) имеет проводимость, противоположную крайним n-областям: эмиттерной (Э, e – в англоязычных обозначениях) и коллекторной (К, c – в англоязычных обозначениях) (рис. а).

При использовании транзистора в режиме усиления управляющий переход база–эмиттер (БЭ) смещен в прямом направлении, т. е. открыт, а управляемый переход база–коллектор (БК) – в обратном, т. е. закрыт. Электроны из эмиттера через открытый переход инжектируются в область базы. При достаточно малой ширине базы небольшое количество инжектируемых электронов рекомбинирует с дырками в базе, создавая базовый ток I_b.

Основная часть инжектируемых электронов не успевает рекомбинировать с носителями в области базы и достигает коллекторного перехода. Происходит перенос электрических зарядов через базу из эмиттерной области в коллекторную.

Задание 1: n-p-n транзистор

Рис.1 Цепь для исследования n-p-n транзистора

Рис.2 Параметры вывода графиков

Рис.3 Графики и характерные точки

Рассчитаем:

• статическое входное сопротивление транзистора: r_be

• динамическое входной сопротивление транзистора: r_be~

• коэффициент передачи тока из эмиттера в коллектор: α

• статический коэффициент усиления тока: B

• динамический коэффициент усиления тока: β

• крутизну передаточной характеристики в области выбранной рабочей точки: S

Задание 2: p-n-p транзистор

Рис.4 Цепь для исследования p-n-p транзистора

Рис.5 Параметры вывода графиков

Рис.6 Графики и характерные точки

Проведем расчеты аналогично Заданию 1 (r_be,r_be~,α,B,β,S):

Вывод: В ходе проделанной работы мы познакомились с понятием биполярного транзистора, исследовали характеристики n-p-n и p-n-p транзисторов. Мы выяснили, что крутизна входной характеристики (Sвх, величина, обратная r_be~) данного n-p-n больше, чем у p-n-p(1/355>1/567). Передаточная (S) больше у p-n-p (0.374>0.205).