- •Задание 2. Определить концентрацию электронов для заданного металла из условия касания зоны Бриллюэна и сферы Ферми и сделать суждение о применимости теории свободных электронов.
- •О Рисунок 1. Сфера Ферми и зона Бриллюэна. Пределим концентрацию электронов из условия касания зоны Бриллюэна и сферы Ферми
- •Сделать суждение о применимости теории свободных электронов
- •Исследование температурной зависимости длины свободного пробега 𝜆(𝑇)
- •Рассчитаем значения свободного пробега λ(t) для температур 0,1𝑇𝐷, 𝑇𝐷, 10𝑇𝐷 и 𝑇пл:
- •2. Исследование зависимости времени релаксации от температуры 𝜏(𝑇)
- •Рассчитаем значения времени релаксации τΣ при различных Nдеф (1012 и 1015) для температур 0,1𝑇𝐷, 𝑇𝐷, 10𝑇𝐷 и 𝑇пл.
- •Масштаб изменился
- •3. Исследовать зависимость электропроводности металла от температуры 𝜎(𝑇)
- •Nдеф 1015 Масштаб изменился
- •4. Исследовать зависимость теплопроводности металла от температуры k(𝑇)
- •Nдеф 1015 Масштаб изменился
- •Построим зависимости электропроводности (сопротивления) пленки от толщины при разных коэффициентах зеркальности пленки.
- •Построим графики суммарной электропроводности (сопротивления) по принципу:
- •Исследование статистических свойств электронного газа в твердых телах
- •Оценка степени вырождения электронного газа
- •Исследование температурной зависимости функции распределения Ферми-Дирака
- •Исследование температурной зависимости распределения носителей заряда по энергии
- •Исследование электропроводности полупроводников
- •Исследование температурной зависимости энергии Ферми в собственном полупроводнике.
- •Исследование зависимости концентрации носителей заряда от температуры для собственного полупроводника
- •Исследование зависимости концентрации носителей заряда от температуры для примесного (донорного) полупроводника
- •Исследование зависимости электропроводности от температуры для примесного (донорного) полупроводника
- •Задание 6. Рассчитать зависимости энергии Ферми и термодинамической работы выхода для примесного полупроводника от температуры.
- •Задание 7. Построить энергетическую диаграмму заданной пары металл-полупроводник. Рассчитать вольтамперную характеристику контакта в данном диапазоне температур.
- •1. Построить энергетическую диаграмму заданной пары металл-полупроводник.
- •2. Рассчитать вольтамперную характеристику контакта в данном диапазоне температур.
- •Задание 9. Сделать выводы и дать рекомендации по применению исследуемого контакта металл- полупроводник.
- •Использованная литература
Исследование температурной зависимости функции распределения Ферми-Дирака
Т.к. наш газ вырожденный (классическое приближение), то для его описания используем температурную зависимость Ферми-Дирака:
и распределение Ферми-Дирака:
,
где En — энергия стационарных состояний. Построим эти зависимости:
График 25. Распределение Ферми-Дирака при T = 0.1TD
График 26. Распределение Ферми-Дирака при T = 0.1TD
График 27. Распределение Ферми-Дирака при T = 10TD
График 28. Распределение Ферми-Дирака при T = TПЛ
Как можно заметить при увеличении температуры график приобретает всё более плавные изгибы и увеличиваются отклонения относительно 0 (разности энергий стационарных состояний и энергий определенной температуры) и 0,5 значения распределения. Это легко объясняется математически – устремив показатель экспоненты к 0 мы будем получать 1. Взглянув на формулу распределения становиться понятно, откуда получается 0,5.
Исследование температурной зависимости распределения носителей заряда по энергии
Плотность энергетических состояний носителей заряда в единице объема рассчитывается по формуле:
Плотность занятых энергетических состояний носителей заряда в единице объема рассчитывается по формуле:
Построим графики зависимости плотности энергетических состояний носителей заряда N(En) и плотности занятых энергетических состояний носителей заряда g(En) в единице объема при всех заданных температурах:
График 29. Плотность энергетических состояний
носителей заряда и занятых энергетических состояний
носителей заряда при T = 0.1TD
График 30. Плотность энергетических состояний
носителей заряда и занятых энергетических состояний
носителей заряда при T = TD
График 31. Плотность энергетических состояний
носителей заряда и занятых энергетических состояний
носителей заряда при T = 10TD
График 32. Плотность энергетических состояний
носителей заряда и занятых энергетических состояний
носителей заряда при T = 0.1TD
Как можно заметить при увеличении температуры график энергетических состояний носителей заряда N(En) становиться более плавным и растянутым т.к. он зависит от температуры. А график плотности занятых энергетических состояний носителей заряда g(En) сохраняет свой вид вне зависимости от температуры.
Исследование электропроводности полупроводников
Исследование температурной зависимости энергии Ферми в собственном полупроводнике.
Для оценки степени вырождения электронного газа вычисляем для необходимых температур энергию Ферми по формуле:
В
Напомним, что тепловая энергия:
ычислим в характерных точках:
Дж Дж
Дж Дж
Дж Дж
Дж Дж
Получилась неявная картина, для наглядности построим эти зависимости:
График 33. Температурная и тепловая зависимости энергий Ферми.
Используя критерий вырождения EF (T) >ET (T), при котором электронный газ вырожден, в нашем случае для заданной концентрации электронов в диапазоне температур (0.1-10)TD, в который входит также Tпл имеем вырожденный электронный газ, который описывается распределением Ферми–Дирака:
,
а
при повышении температуры выше T
2600К
газ становится невырожденным и описывается
распределением Больцмана.
