- •Задание 2. Определить концентрацию электронов для заданного металла из условия касания зоны Бриллюэна и сферы Ферми и сделать суждение о применимости теории свободных электронов.
- •О Рисунок 1. Сфера Ферми и зона Бриллюэна. Пределим концентрацию электронов из условия касания зоны Бриллюэна и сферы Ферми
- •Сделать суждение о применимости теории свободных электронов
- •Исследование температурной зависимости длины свободного пробега 𝜆(𝑇)
- •Рассчитаем значения свободного пробега λ(t) для температур 0,1𝑇𝐷, 𝑇𝐷, 10𝑇𝐷 и 𝑇пл:
- •2. Исследование зависимости времени релаксации от температуры 𝜏(𝑇)
- •Рассчитаем значения времени релаксации τΣ при различных Nдеф (1012 и 1015) для температур 0,1𝑇𝐷, 𝑇𝐷, 10𝑇𝐷 и 𝑇пл.
- •Масштаб изменился
- •3. Исследовать зависимость электропроводности металла от температуры 𝜎(𝑇)
- •Nдеф 1015 Масштаб изменился
- •4. Исследовать зависимость теплопроводности металла от температуры k(𝑇)
- •Nдеф 1015 Масштаб изменился
- •Построим зависимости электропроводности (сопротивления) пленки от толщины при разных коэффициентах зеркальности пленки.
- •Построим графики суммарной электропроводности (сопротивления) по принципу:
- •Исследование статистических свойств электронного газа в твердых телах
- •Оценка степени вырождения электронного газа
- •Исследование температурной зависимости функции распределения Ферми-Дирака
- •Исследование температурной зависимости распределения носителей заряда по энергии
- •Исследование электропроводности полупроводников
- •Исследование температурной зависимости энергии Ферми в собственном полупроводнике.
- •Исследование зависимости концентрации носителей заряда от температуры для собственного полупроводника
- •Исследование зависимости концентрации носителей заряда от температуры для примесного (донорного) полупроводника
- •Исследование зависимости электропроводности от температуры для примесного (донорного) полупроводника
- •Задание 6. Рассчитать зависимости энергии Ферми и термодинамической работы выхода для примесного полупроводника от температуры.
- •Задание 7. Построить энергетическую диаграмму заданной пары металл-полупроводник. Рассчитать вольтамперную характеристику контакта в данном диапазоне температур.
- •1. Построить энергетическую диаграмму заданной пары металл-полупроводник.
- •2. Рассчитать вольтамперную характеристику контакта в данном диапазоне температур.
- •Задание 9. Сделать выводы и дать рекомендации по применению исследуемого контакта металл- полупроводник.
- •Использованная литература
Nдеф 1015 Масштаб изменился
|
|
График 15. Электропроводность при 10𝑇𝐷 |
График 16. Электропроводность при 𝑇ПЛ |
Вывод: при концентрации дефектов 1012, электропроводность тем быстрее испытает падение, чем меньше температура Дебая. А при концентрации 1015 электропроводность падает постепенно, однако при больших температурах Дебая становиться заметна составляющая, обусловленная релаксацией электронов. Также можно заметить, что электропроводность металлов обратно пропорциональна температуре. Это значит, что с возрастанием температуры электропроводность уменьшается, а с уменьшением температуры - возрастает. При увеличении концентрации дефектов в металле график становиться более пологим.
4. Исследовать зависимость теплопроводности металла от температуры k(𝑇)
Исследование проводим через закон Видемана-Франца, который справедлив при высоких температурах, а также при низких температурах, что рассеяние стационарными дефектами становится преобладающим.
где: k - теплопроводность (Вт/(мКл);
L0 - число Лоренца (Дж/(ККл));
Т - температура (K);
𝜎 - электропроводность металла (Ом-1∙м-1);
k0 - постоянная Больцмана;
е - заряд электрона (Кл).
Рассчитаем теплопроводность
Построим зависимости теплопроводности металла 𝑘(𝑇) от температуры при разных значениях электропроводности и сделаем вывод.
Nдеф 1012
|
График 18. Теплопроводность при 𝑇𝐷 |
Масштаб изменился |
|
|
График 20. Теплопроводность при 𝑇ПЛ |
Nдеф 1015 Масштаб изменился
|
График 22. Теплопроводность при 𝑇𝐷 |
|
|
Вывод: при концентрации дефектов 1015 теплопроводность металлов только увеличивается с ростом температуры (при этом изменение температуры Дебая практически не влияет на теплопроводимость). Однако при концентрации 1012 наблюдается резкое увеличение и такое же резкое падение теплопроводности относительно какой-то температуры (с ростом температуры Дебая этот скачок увеличивается). При увеличении концентрации дефектов в металле график становиться более пологим (при концентрации 1015 заметен небольшой скачок, аналогичный тому, что сильно заметный при концентрации 1012).
Задание 4. Рассчитать и построить зависимость электропроводности от толщины металлической пленки при заданной температуре. По данным расчета зависимости σ(Т) из предыдущего пункта выбрать три значения длины свободного пробега λ(Т) и соответствующего времени релаксации τ(Т) безграничного (объёмного) образца, присвоив им соответствующие обозначения σбеск(Т), λбеск(Т) и τбеск(Т) рассчитать зависимости сопротивления пленки от толщины ρпл(d) для двух значений параметра зеркальности р1=0 и р2=0,5 в заданном диапазоне температур.
Используем следующие данные:
Толщина плёнки:
Удельное сопротивление объёмного образца:
При зеркальном отражении носителей заряда (ρ = 1):
Толстая
плёнка (ρ < 1,
):
Тонкая
плёнка (ρ< 1,
):

График
13. Электропроводность
при 0,1𝑇𝐷
График
14. Электропроводность
при 𝑇𝐷
График
17. Теплопроводность
при 0,1𝑇𝐷
График
19. Теплопроводность
и при
10𝑇𝐷
График
21. Теплопроводность
при 0,1𝑇𝐷
График
23. Теплопроводность
и при
10𝑇𝐷
График
24. Теплопроводность
при
𝑇ПЛ