АндрееваНВ_УсиковаМА_Методы_элементного_анализа_материалов_и_структур
.pdf
Построим качественный РФЭ-спектр. Для этого с использованием уравнения фотоэффекта (4.1) рассчитаем кинетические энергии фотоэлектронов:
E EB .
ДляфотоэлектроннойлинииCd 3s1/2 получаем E 1486.6 770 716.6 эВ. Результатысведемвтабл. 4.4.
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Таблица 4.4 |
||||||
|
|
Кинетические энергии фотоэлектронов, в электронвольтах |
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Z |
Эле- |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Оболочка |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
мент |
2s |
|
|
2 p |
|
|
2 p |
|
3s |
|
3p |
3p |
|
|
|
3d |
3/2 |
|
|
|
3d |
5/2 |
|
||||||||
|
|
1/2 |
|
|
1/2 |
|
|
3/2 |
|
1/2 |
|
|
1/2 |
3/2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
29 |
Cu |
390.6 |
|
|
535.6 |
|
555.6 |
|
1366.6 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
1484.6 |
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
|
1412.6 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||
|
|
3s1/2 |
|
3 |
p1/2 |
3p |
3/2 |
|
3d3/2 |
|
3d5/2 |
|
4s1/2 |
4 p1/2 |
|
4 p3/2 |
|
4d3/2 |
|
4d5/2 |
|||||||||||
48 |
Cd |
716.6 |
|
835.6 |
869.6 |
|
1075.6 |
1082.6 |
|
1378.6 |
1419.6 |
|
|
|
1477,6 |
|
|||||||||||||||
52 |
Te |
480.6 |
|
616.6 |
667.6 |
|
904.6 |
914.6 |
|
1318.6 |
1376.6 |
|
|
|
1446,6 |
|
|||||||||||||||
|
|
4s1/2 |
|
|
|
4 |
p1/2 |
|
4 p3/2 |
|
4d3/2 |
|
4d5/2 |
|
|
4 f5/2 |
|
|
|
4 f7/2 |
|||||||||||
80 |
Hg |
686.6 |
|
|
809.6 |
|
|
915.6 |
|
1107.6 |
1126.6 |
|
1383.3 |
|
|
|
1387.6 |
|
|||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Построим качественный обзорный РФЭ-спектр (без учета интенсивности и ширины линий) и выберем диапазон энергий для частичного РФЭ-спектра. Как видно из рис. 4.15, в диапазоне энергий 500…750 эВ, с одной стороны, содержатся линиивсехэлементовобразца, сдругойстороны– онидостаточно далеко отстоят друг от друга, что позволяет рассчитывать на их разрешение.
Рис. 4.15. Качественный обзорный РФЭ-спектр теллурида кадмия-ртути с примесью меди
141
Рис. 4.16. Качественный частичный РФЭ-спектр теллурида кадмия-ртути с примесью меди
Построим качественный частичный РФЭ-спектр (рис. 4.16) в выбранном для анализа диапазоне энергий.
4.2.2. Расчет интенсивностей линий РФЭ-спектра
Для выбранных аналитических линий рассчитаем значение сечений фотоионизации (поперечные сечения фотоэффекта) в соответствии с (4.10). Пример расчета приведем для фотоэлектронной линии Cu2 p1/2 :
|
|
Cu2 p |
|
|
7.45 |
|
EB Cu2 p1 2 |
5/2 |
|
|||||
ph |
1 |
|
|
|
|
|
|
|||||||
|
|
|
|
|||||||||||
|
|
|
|
|
2 |
|
|
Al K |
Al K |
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
7.45 |
|
951 |
5/2 |
16.4 10 4 2. |
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
1486.6 |
1486.6 |
|
||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
Результаты расчета сведем в табл. 4.5.
Таблица 4.5
Значения энергии фотоэлектронов и соответствующих им длин свободного пробега, а также расчетные значения N, σиI длятеллурида кадмия-ртути с примесью меди
Параметр |
Cu 2 p1/2 |
Cu 2 p3/2 |
Te 3 p1/2 |
Te 3 p3/2 |
Hg 4 s1/2 |
Cd 3 s1/2 |
E , эВ |
535.6 |
555.6 |
616.6 |
667.6 |
686.6 |
716.6 |
ph , 2 |
16.4 10 4 |
15.6 10 4 |
13.1 10 4 |
11.3 10 4 |
10.7 10 4 |
9.7 10 4 |
N, см 3 |
10 |
21 |
5 1022 |
3.4 1022 |
1.6 1022 |
|
λ, |
~ 10 |
~ 12 |
~ 13 |
~ 14 |
||
I |
16.4 10 6 |
15.6 10 6 |
78.6 10 5 |
67.8 10 5 |
47.3 10 5 |
21.7 10 5 |
Iнорм |
0.02 |
0.02 |
1 |
0.86 |
0.60 |
0.28 |
|
|
|
142 |
|
|
|
ЭлементарнаяячейкаКРТотноситсяккубическойсингонии(группасимметрии F 43m ), ее объем определяется ( см. рис. 4.14) выражением
V a3 4,33 79.5 3 .
Элементарная ячейка содержит 4 формульные единицы (см. рис. 4.14):
светло-серые атомы кадмия (ртути) расположены в вершинах куба и в центре каждой его грани (таких атомов в ячейке 4);
коричневые атомы теллура расположены в кубе (в ячейке их 4). Найдем количество формульных единиц в единице объема:
nV4 794.5 0.05 3 5 1022 см 3.
Сучетом химической формулы КРТ (Hg0.68Cd0.32Te) можем определить
количество атомов каждого элемента N в единице объема как произведение количестваформульных единиц в единицеобъема n наколичество атомов, содержащихся в одной формульной единице:
NHg n 0.68 5 1022 0.68 3.4 1022 см 3; NCd n 0.32 5 1022 0.32 1.6 1022 см 3; NTe n 1 5 1022 см 3.
Для определения количества атомов меди в единице объема учтем, что оно составляет 1 % атомного состава. Количество атомов в единице объема определяется произведением количества формульных единиц в единице объема n на общее количество атомов, содержащихся в одной формульной единице. В данном случае на одну формульную единицу приходится 2 атома: 1 атом Te + 0.68 атома Hg + 0.32 атома Cd. Тогда количество атомов меди в единице объема составляет:
NCu n 2 0.01 5 1022 0.02 1021 см 3.
Теперь для расчета интенсивностей выбранных спектральных линий определим среднюю длину свободного пробега фотоэлектронов с использованием универсальной кривой (см. рис. 3.12).
При расчете интенсивностей фотоэлектронных линий необходимо использовать одни и те же единицы измерения:
I ~ N см 3 λ 10 8 см ph 10 16 см2 .
143
Рис. 4.17. Модельный РФЭ-спектр теллурида кадмия-ртути с примесью меди
Вычисленные значения заносим в табл. 4.5. Для удобства нормируем полученные интенсивности линий, принимая за единицу максимальную интенсивность, соответствующую фотоэлектронной линии Te 3 p1/2 .
Модельный частичный РФЭ-спектр теллурида кадмия-ртути приведен на рис. 4.17. Видно, что интенсивность фотоэлектронных линий меди как минимум на один порядок меньше интенсивности остальных линий в спектре. Очевидно, что использование в качестве аналитических линий Cu 3 d было бы более информативным в силу их большей интенсивности.
Контрольные вопросы и задания по разд. 4
1.На каком законе построен принцип работы РФЭС?
2.Какую информацию позволяет получать РФЭС?
3.Какова максимальная глубина анализа в методе РФЭС?
4.Дать физическую интерпретацию химического сдвига в РФЭС.
5.Обосновать плазмонный механизм формирования длины свободного пробега фотоэлектронов.
6.Назвать необходимое условие существования спин-орбитального расщепления в методе РФЭС.
7.ОбъяснитьэффектыначальногоиконечногосостоянийвметодеРФЭС.
8.Какие сателлиты могут наблюдаться в РФЭ-спектрах?
144
9.Чем различаются спин-орбитальное и мультиплетное расщепления?
10.Объяснить причину асимметричной формы РФЭ-спектров.
11.Как интерпретировать зависимость длины свободного пробега электрона в твердом теле от его кинетической энергии?
12.Рассмотреть падение на алюминиевый образец электронов с энергией
5.41кэВиизлучения Cr K , имеющеготужеэнергию. Рассчитатьсечениесозда-
ниявакансийэлектронамиифотонамивK-оболочкахAl. Каковаэнергияфотоэлек- троноввK-оболочке? Рассчитатьдлянихглубинувыходаисравнитьеесозначениями, получаемымисиспользованиемуниверсальнойкривой(см. рис. 3.12).
13. Рассчитать отношение выходов фотоэлектронов от оболочек 2s и 3s при падении излучения Al K на медь, основываясь только на сечениях и глубинах выхода.
Список литературы по разд. 4
1.Ландау Л. Д., Лифшиц Е. М. Теоретическая физика, квантовая механика (нерелятивистская теория). 4-е изд., испр. М.: Наука, 1989.
2.Киттель Ч. Введение в физику твердого тела / пер. с англ. М.: Медиа-
Стар, 2006.
3.Schiff L. Quantum Mechanics. 3rd Edition // McGraw-Hill Book Company. Tokyo. 1968.
4.X-Ray Photoelectron Spectroscopy. URL: https://www.mri.psu.edu/materi- als-characterization-lab/characterization-techniques/x-ray-photoelectron-spectroscopy (дата обращения: 04. 07. 2024).
5.НефедовВ. И., ЧерепинВ. Т. Физическиеметодыисследованияповерхноститвердыхтел. М.: Наука, 1983.
6.Devis L. E. Handbook of Auger Electron Spectroscopy. Physical Electronics Industries, 1976.
7.Фелдман Л., Майер Д. Основы анализа поверхности и тонких пленок / пер. с англ. М.: Мир, 1989.
8.Электронная и ионная спектроскопия твердых тел / под ред. Л. Фирмэнса, Дж. Вэнника, В. Декейсера. М.: Мир, 1981.
9.Watts J. F., Wolstenholme J. An Introduction to Surface Analysis by XPS and AES. John Wiley & Sons Lts. Chichester, 2003.
10.Shirley D. A. High-resolution X-ray spectrum of the valence bands of gold
//Phys. Rev B. 1972. Vol. 15, iss. 12.
145
11.Физические основы методов исследования наноструктур и поверхности твердого тела: учеб. пособие / В. И. Троян, М. А. Пушкин, В. Д. Борман, В. Н. Тронин; подобщ. ред. В. Д. Бормана. М.: Изд-воМИФИ, 2008.
12.Углов В. В., Черенда Н. Н., Анищик В. М. Методы анализа элементного составаповерхностныхслоев: учеб. пособие. Минск: Изд-воБГУ, 2007.
13.Henini M., Razeghi M. Handbook of Infrared Detection Technologies. Elsevier, 2002.
14.Open material database. URL: https://openmaterialsdb.se/ (дата обращения: 04. 07. 2024).
146
ОБОЗНАЧЕНИЕ И НАИМЕНОВАНИЕ ФИЗИЧЕСКИХ ВЕЛИЧИН
ИТЕХНИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ
v– скорость частицы
E– кинетическая энергия частицы
θ– угол рассеяния
ϕ – угол отдачи
KM – кинематический фактор
σθ – сечение рассеяния
dσ θ дифференциальное сечение рассеяния d Ω
N s – количеcтво атомов мишени на единицу площади
Y QD – выход рассеяния (количество зарегистрированных детектором
рассеянных частиц)
Z – атомный номер (зарядовое число)
A – массовое число (относительная атомная масса) M молярная масса вещества
Q – полное число налетающих частиц
e – заряд электрона (элементарный заряд)
dEdx – энергетические потери или скорость потерь энергии частицей при
движении в твердом теле (потери энергии)
ε – сечение торможения (тормозное сечение)
N – объемнаяконцентрацияатомов(количествоатомоввединицеобъема) x – атомнаядоляэлемента
x – координатаплотность
m– масса покоя электрона V – объем
n– количество формульных единиц
постоянная Планка
a0 радиус Бора a0 2
me2 0.529
v0 – боровская скорость электрона v0 e2 / 2.2 108 см/с
147
NA – постоянная Авогадро NA 6.022 1023 |
моль–1 |
|
I0 – потенциал ионизации водородопобного иона I0 13.58 эВ |
||
α – постоянная тонкой структуры |
|
|
α* – постоянная Маделунга |
|
|
E0 – энергия налетающей частицы |
|
|
EB – энергия связи электрона в атоме |
|
|
U – потенциал |
|
|
ψ r, t волновая функция электрона |
|
|
u – собственные функции оператора H |
|
|
R r |
– радиальная часть |
|
Y θ, |
– сферическая гармоника |
|
I t |
– интенсивность пучка электронов |
|
cA A – массовая доля элемента EU E / EB – приведенная энергияe – сечение ударной ионизации
среднее время жизни возбужденного состояния
Γ– энергетическая ширина возбужденного состояния
WX вероятность излучательных переходов
WA – вероятность безызлучательных переходов
X – выход флуоресценции, или вероятность испускания характеристического рентгеновского излучения
EZ ABC энергия Оже-электрона R – длина пробега электронов
– средняя длина свободного пробега, глубина выхода n – электронная плотность (в разделе ЭОС)
ne – количество электронов на оболочке nfe – концентрация валентных электронов
nV – количество валентных электронов атома b – прицельный параметр
p – импульс частицы F – сила
148
I* – средняяэнергиявозбужденияэлектрона(вслучаеионизационныхпотерь
– среднийпотенциалионизации; вслучаеплазмонныхпотерь– энергияплазмона) T – энергия, передаваемаяпристолкновениях
Tср – средняяэнергия, передаваемаяпристолкновениях
p – частотаплазменныхосцилляций
– массоваядоляэлемента
YAEi – выходОже-электронов
149
ТЕРМИНЫ И ОПРЕДЕЛЕНИЯ
Атомная доля элемента (атомный процент) – отношение количества атомов элемента к количеству всех атомов вещества (для воды атомная доля водорода составляет 2/3).
Атомнаяорбиталь– одноэлектроннаяволноваяфункция, полученнаярешением уравнения Шрёдингера для данного атома. Задается главным, орбитальным и магнитным квантовыми числами.
Атомная плотность (атомная концентрация, концентрация атомов) – количество атомов в единице объема.
Главный энергетический уровень атома (атомный уровень, энергетиче-
скийуровень, электроннаяоболочка) – совокупностьатомныхорбиталей, имеющих одинаковые значения главного квантового числа.
Глубина выхода – расстояние, которое частицы (электроны в методе ЭОС и РФЭС) вполне определенной энергии могут пройти без потерь энергии.
Дифференциальным сечением передачи энергии движущейся частицей, в
интервале dT «частице-центру взаимодействия» называют коэффициент пропорциональности между числом частиц, испытавших взаимодействие и в результате рассматриваемого процесса передавших энергию Т в интервале dT, и числом частиц, упавших на единицу поверхности.
Количество вещества – физическая величина, характеризующая количество однотипных структурных единиц, содержащихся в веществе. Под структурными единицами понимаются любые частицы, из которых состоит вещество (атомы, молекулы, ионы, электроны или любые другие частицы). Единица измерения количества вещества в Международной системе единиц (СИ) и в СГС – моль.
Комптоновская длина волны электрона
mс 0.386 .
Массовая доля элемента (ω) – отношение массы элемента в веществе к массе всего вещества (например, в воде массовая доля водорода составляет
2/18 = 1/9).
Молярная масса вещества (M) масса, которую имеет 1 моль данного вещества. Это величина, равная отношению массы m вещества к количеству вещества , измеряемая в килограммах на моль (или в граммах на моль). Молярная масса, выраженная в граммах на моль, численно равна относителной молекулярной массе (для веществ атомного строения – относительной атомной массе, измеряемой в атомных единицах массы (а. е. м)).
150
