Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Скачиваний:
1
Добавлен:
14.02.2026
Размер:
79.45 Кб
Скачать

Сводная Таблица

Характеристика

-тип (Доноры)

-тип (Акцепторы)

Примесь (для )

V группа (5 вал. электронов)

III группа (3 вал. электрона)

Роль примеси

Отдаёт электрон

Принимает электрон (создаёт дырку)

Основной носитель

Электроны ( )

Дырки ( )

Положение уровня

Близко к зоне проводимости

Близко к валентной зоне

Ион примеси

Неподвижный положительный ион

Неподвижный отрицательный ион

52. Фотопроводимость Полупроводников. Люминесценция Твёрдых Тел ✨

1. Фотопроводимость Полупроводников

Фотопроводимость — это явление увеличения электрической проводимости полупроводника под действием электромагнитного излучения (света).

Механизм

Фотопроводимость основана на внутреннем фотоэффекте и связана с генерацией носителей заряда:

  1. Поглощение фотона: Когда фотон падает на полупроводник, он передаёт свою энергию электрону.

  2. Генерация пары: Если энергия фотона ( ) больше или равна ширине запрещённой зоны ( ), электрон переходит из валентной зоны в зону проводимости.

  3. Увеличение проводимости: Этот переход создаёт свободный электрон в зоне проводимости и дырку в валентной зоне (электронно-дырочная пара). Оба носителя являются подвижными и увеличивают концентрацию свободных зарядов в полупроводнике.

  4. Фототок: Увеличение концентрации свободных носителей приводит к резкому уменьшению электрического сопротивления (увеличению проводимости), что при наличии внешнего поля создаёт дополнительный ток (фототок).

  • Собственная фотопроводимость: Фотоны вызывают переходы электронов непосредственно через всю запрещённую зону (из ВЗ в ЗП).

  • Примесная фотопроводимость: Фотоны вызывают переходы между примесными уровнями (донорными/акцепторными) и ближайшей зоной. Для этого требуется меньшая энергия фотона ( ).

Применение: Фотопроводимость используется в фоторезисторах (фотосопротивлениях), где сопротивление регулируется интенсивностью света.

2. Люминесценция Твёрдых Тел

Люминесценция — это неравновесное, некогерентное свечение вещества (холодное свечение), возникающее в результате перехода атомов или электронов из возбуждённого состояния в основное.

Механизм Люминесценции

Люминесценция является обратным процессом по отношению к возбуждению (поглощению энергии). Это излучательная рекомбинация возбуждённых электронов.

  1. Возбуждение: Атом или кристалл поглощает энергию из внешнего источника (свет, электрический ток, радиация и др.). В полупроводниках это приводит к переходу электронов на более высокие энергетические уровни (в зону проводимости или на возбуждённые локальные уровни).

  2. Релаксация: Возбуждённый электрон проводит некоторое время в возбуждённом состоянии, теряя часть энергии на тепловые колебания (безызлучательная релаксация) и опускаясь на более низкие, но всё ещё возбуждённые, уровни.

  3. Излучение: Электрон возвращается на свой основной энергетический уровень (или в валентную зону), при этом избыток энергии излучается в виде фотона (кванта света).

Соседние файлы в папке Разное