- •Электричество и магнетизм
- •Понятие электрического заряда. Закон сохранения заряда. Закон Кулона.
- •Понятие электрического заряда (q или q)
- •2. Закон сохранения заряда:
- •3. Закон Кулона
- •Электростатическое поле. Напряжённость и поток вектора напряжённости электростатического поля. Принцип суперпозиции. Поле диполя.
- •Зависимость от расстояния:
- •1. Поле равномерно заряжённой бесконечной плоскости
- •2. Поле двух бесконечных параллельных заряжённых плоскостей
- •3. Поле равномерно заряжённой сферической поверхности (Радиус r, заряд q)
- •4. Поле равномерно заряжённой бесконечной нити
- •Циркуляция вектора напряжённости электростатического поля. Потенциал электростатического поля.
- •2. Поляризация диэлектриков и поляризованность
- •3. Напряжённость поля в диэлектрике
- •Электрическое смещение. Теорема Гаусса для электростатического поля в диэлектрике. Граничные условия на границе раздела двух диэлектриков.
- •1. Вектор электрического смещения ( )
- •2. Теорема Гаусса для поля в диэлектрике
- •3. Граничные условия на границе раздела двух диэлектриков
- •Электростатика. Диэлектрический гистерезис. Температуры Кюри.
- •Проводники. Электростатическая индукция. Электрическая ёмкость уединённого проводника.
- •Конденсаторы.
- •Геометрическими размерами и формой.
- •Энергия системы неподвижных точечных зарядов, уединённого проводника и конденсатора. Энергия электростатического поля.
- •Постоянный ток. Сила и плотность тока. Сторонние силы. Эдс и напряжение.
- •Закон Ома. Сопротивление. Температурная зависимость сопротивления.
- •1. Закон Ома для Участка Цепи
- •2. Закон Ома для Полной Замкнутой Цепи
- •Работа и мощность тока. Закон Джоуля-Ленца.
- •Правила Кирхгофа.
- •Классическая теория электропроводности металлов. Законы Ома, Джоуля-Ленца, Видемана-Франца.
- •Работа выхода электронов из металла. Эмиссионные явления (термоэлектронная, фотоэлектронная, вторичная электронная и автоэлектронная эмиссии).
- •Проводимость газов (ионизация). Несамостоятельный разряд.
- •Ток насыщения ( ):
- •Самостоятельный разряд (тлеющий, искровой, дуговой, коронный).
- •Магнитное поле и его характеристики.
- •Закон Био-Савара-Лапласса. Магнитное поле прямого тока и проводника с током.
- •Закон Ампера. Магнитное постоянство.
- •Магнитное поле движущегося заряда. Сила Лоренца. Движение заряжённых частиц в магнитном поле. Ускорители заряжённых частиц.
- •(Произвольный угол):
- •Циклические ускорители (циклотрон, синхротрон):
- •Эффект Холла.
- •Циркуляция вектора индукции магнитного поля в вакууме. Магнитное поле соленоида и тороида.
- •Поток вектора магнитной индукции. Теорема Гаусса для вектора магнитной индукции.
- •Работа по перемещению в магнитном поле проводника и контура с током.
- •Устойчивое равновесие (минимум энергии):
- •Неустойчивое равновесие (максимум энергии):
- •Магнитные моменты электронов и атомов. Гиромагнитное отношение. Диа- и парамагнетизм.
- •Магнитное поле в веществе. Намагниченность. Закон полного тока для магнитного поля в веществе. Условия на границе раздела двух магнетиков.
- •Условие для нормальной компоненты ( ):
- •Условие для тангенциальной компоненты ( ):
- •Ферромагнетизм. Обменные силы. Магнитный гистерезис. Температура Кюри. Антиферромагнетики.
- •Явление электромагнитной индукции. Закон электромагнитной индукции Фарадея.
- •Вихревые токи. Скин-эффект. Индуктивность контура. Самоиндукция.
- •Токи при замыкании и размыкании электрической цепи.
- •Взаимная индукция. Трансформаторы.
- •Энергия магнитного поля.
- •Вихревое электрическое поле. Ток смещения.
- •Система уравнений Максвелла в интегральной и дифференциальной форме. Инвариантность уравнений Максвелла относительно преобразований Лоренца.
- •Свободные гармонические электромагнитные колебания в колебательном контуре. Формула Томсона.
- •Свободные затухающие электромагнитные колебания в колебательном контуре. Добротность. Декремент затухания.
- •Вынужденные электромагнитные колебания.
- •Резонанс вынужденных электромагнитных колебаний.
- •5. Резонанс Токов (Параллельный Контур)
- •Переменный ток. Закон Ома для цепи переменного тока. Мощность в цепи переменного тока.
- •Резонанс напряжений. Резонанс токов.
- •1. Резонанс Напряжений (Последовательный rlc-контур)
- •Условия и Суть
- •Резонансная частота ( ):
- •Ключевой эффект
- •2. Резонанс Токов (Параллельный rlc-контур)
- •Условия и Суть
- •Ключевой эффект
- •Сравнение Резонансов
- •Экспериментальное обнаружение электромагнитных волн. Свойства и классификация электромагнитных волн.
- •Волновые уравнения для электромагнитного поля. Поперечность электромагнитных волн. Плоские электромагнитные волны.
- •Энергия электромагнитных волн. Вектор Пойнтинга. Перенос энергии в замкнутой цепи постоянного тока.
- •Излучение и давление электромагнитных волн.
- •Излучение диполя.
- •1. Условие излучения диполя
- •2. Принцип излучения
- •3. Характеристики Излучения а. Мощность Излучения ( )
- •Б. Диаграмма Направленности
- •В. Поляризация
- •4. Диполь как антенна
- •Элементы зонной теории твёрдых тел. Металлы, диэлектрики и полупроводники.
- •Собственная проводимость полупроводников. Электронная и дырочная проводимости.
- •Примесная проводимость полупроводников. Донорные и акцепторные примеси.
- •Фотопроводимость полупроводников. Люминесценция твёрдых тел.
- •Контактные явления. Контактная разность потенциалов.
- •Двойной электрический слой:
- •Контакт металл-полупроводник. Запирающий слой. Вентильная проводимость.
- •Заряд области:
- •Свойства запирающего слоя:
- •Эффект Зеебека. ТермоЭдс. Термопара.
- •1. Эффект Зеебека
- •Механизм возникновения
- •2. ТермоЭдс (Термоэлектродвижущая Сила)
- •3. Термопара
- •Устройство
- •Принцип работы
- •Применение
- •Эффект Пельтье. Эффект Томсона.
- •Сверхпроводимость. Эффект Джозефсона.
Фотопроводимость полупроводников. Люминесценция твёрдых тел.
1. Фотопроводимость — это явление увеличения электрической проводимости полупроводника под действием электромагнитного излучения (света).
Механизм
Фотопроводимость основана на внутреннем фотоэффекте и связана с генерацией носителей заряда:
Когда фотон падает на полупроводник, он передаёт свою энергию электрону.
Генерация пары: Если энергия фотона (
)
больше или равна ширине запрещённой
зоны (
),
электрон переходит из валентной зоны
в зону проводимости.
Увеличение проводимости: Этот переход создаёт свободный электрон в зоне проводимости и дырку в валентной зоне (электронно-дырочная пара). Оба носителя являются подвижными и увеличивают концентрацию свободных зарядов в полупроводнике.
Фототок: Увеличение концентрации свободных носителей приводит к резкому уменьшению электрического сопротивления (увеличению проводимости), что при наличии внешнего поля создаёт дополнительный ток (фототок).
Собственная фотопроводимость: Фотоны вызывают переходы электронов непосредственно через всю запрещённую зону (из ВЗ в ЗП).
Примесная фотопроводимость:
Фотоны вызывают переходы между примесными
уровнями (донорными/акцепторными) и
ближайшей зоной. Для этого требуется
меньшая энергия фотона (
).
Фотопроводимость используется в фоторезисторах (фотосопротивлениях), где сопротивление регулируется интенсивностью света.
2. Люминесценция Твёрдых Тел
Люминесценция — это неравновесное, некогерентное свечение вещества (холодное свечение), возникающее в результате перехода атомов или электронов из возбуждённого состояния в основное.
Механизм Люминесценции
Люминесценция является обратным процессом по отношению к возбуждению (поглощению энергии). Это излучательная рекомбинация возбуждённых электронов.
Возбуждение: Атом или кристалл поглощает энергию из внешнего источника (свет, электрический ток, радиация и др.). В полупроводниках это приводит к переходу электронов на более высокие энергетические уровни (в зону проводимости или на возбуждённые локальные уровни).
Релаксация: Возбуждённый электрон проводит некоторое время в возбуждённом состоянии, теряя часть энергии на тепловые колебания (безызлучательная релаксация) и опускаясь на более низкие, но всё ещё возбуждённые, уровни.
Излучение: Электрон возвращается на свой основной энергетический уровень (или в валентную зону), при этом избыток энергии излучается в виде фотона (кванта света).
Виды Люминесценции (по способу возбуждения)
Вид |
Источник возбуждения |
Пример |
Фотолюминесценция |
Свет (УФ, видимый) |
Флуоресцентные лампы, светящиеся краски. |
Электролюминесценция |
Электрический ток или поле |
Светодиоды (LED), экраны OLED. |
Катодолюминесценция |
Электронная бомбардировка |
Экраны старых телевизоров (ЭЛТ). |
Хемилюминесценция |
Химическая реакция |
Свечение в химических "светлячках". |
Люминесценция в Полупроводниках
В полупроводниках люминесценция часто является рекомбинационной и происходит при возвращении электронов:
Межзонная рекомбинация: Электрон из зоны проводимости рекомбинирует с дыркой в валентной зоне. (Основа работы полупроводниковых лазеров).
Рекомбинация через примесные центры: Электрон из зоны проводимости или дырка из валентной зоны рекомбинируют через локализованный примесный или дефектный уровень (центр свечения).
Электролюминесценция в - -переходах — основа работы светодиодов (LED) и полупроводниковых лазеров.
