Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

отчет лаба 1 схемота-1

.docx
Скачиваний:
0
Добавлен:
11.02.2026
Размер:
4.1 Mб
Скачать

ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНСТВО ВОЗДУШНОГО ТРАНСПОРТА

(РОСАВИАЦИЯ)

ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ

«МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ГРАЖДАНСКОЙ АВИАЦИИ» (МГТУ ГА)

Кафедра вычислительных машин, комплексов, сетей и систем.

Лабораторная работа защищена с оценкой ____________________

____________________

(подпись преподавателя, дата)

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №1

по дисциплине «Схемотехническое моделирование».

Тема: «Исследование схем на полупроводниковых диодах.»

Выполнила студентка группы ИС3-1

Магальник Екатерина Борисовна

Руководитель: Затучный Дмитрий Александрович

МОСКВА – 2024

Теоретическая часть.

Источник переменного напряжения (AC) — это устройство или система, генерирующие электрический ток, который периодически меняет направление и величину. AC источники широко используются в электрических сетях из-за их способности легко передавать энергию на большие расстояния.

Основные характеристики:

  • Частота: определяет, как часто ток меняет направление в секунду. В большинстве стран это 50 или 60 Гц.

  • Амплитуда: пиковое значение напряжения.

  • Форма волны: обычно синусоидальная, но может быть треугольной или прямоугольной.

Типы источников:

  • Генераторы: используются в электростанциях для производства переменного напряжения.

  • Инверторы: преобразуют постоянное напряжение в переменное.

  • Трансформаторы: изменяют уровень напряжения, сохраняя его переменным.

Применение:

  • Домашняя электрическая сеть.

  • Промышленные предприятия.

  • Электронные устройства.

Диод - полупроводниковый прибор с одним p-n переходом и двумя выводами, обладающий вентильным свойством (ток в одном из направлений проводиться значительно лучше, чем в другом).

p-n переход возникает в небольшой зоне соединения полупроводника р-типа и полупроводника n-типа, в которой происходит диффузия электронов из n-области в р-область. Этот процесс продолжается до тех пор, пока на границе р-n перехода в обе стороны не возникает область, свободная от основных носителей (свободных дырок или электронов примеси), которая называться обеднённой. Кроме того, на подложке присутствуют ещё и неосновные носители зарядов, возникающие в результате тепловых процессов. В обеднённой зоне возникает внутренняя ЭДС, которая называется потенциальным барьером, препятствующая дальнейшему движению электронов через р-n переход при достижении равновесия. Для того, чтобы преодолеть барьер, необходимо подключить внешний источник ЭДС.

Вольт-амперная характеристика диода (зависимость тока, протекающего через диод от приложенного к нему напряжения) описывается выражением:

, где:

IS - значение тока насыщения, теплового или обратного тока.

UД - напряжение на р-n переходе (на диоде).

t = k*T/q - тепловой потенциал, равный контактной разности потенциалов на границе p-n перехода при отсутствии внешнего напряжения (при нормальной температуре t = 0.025B).

k - постоянная Больцмана, Т - абсолютная температура, q - заряд электрона.

Рисунок 1 – ВАХ диода.

Полупроводниковый диод характеризуется статическим и дифференциальным (динамическим) сопротивлениями, легко определяемыми по ВАХ. Дифференциальное сопротивление (RД) численно равно отношению бесконечно малого приращения напряжения к соответствующему приращению тока в заданном режиме работы диода и может быть определено графически как котангенс угла А на ВАХ.

Стабилитрон – полупроводниковый прибор, сконструированный для работы в режиме электрического пробоя так называемом лавинном пробое (для кремниевого стабилитрона пробой наступает при Uобр=5В). В указанном режиме при значительном изменении тока стабилитрона напряжение изменяется незначительно (стабилизируется).

К основным параметрам стабилитрона относятся:

  • Uст - номинальное напряжение стабилизации при заданном токе;

  • Rд - дифференциальное сопротивление при заданном токе;

  • Іст - ток стабилизации;

  • Рст - рассеиваемая мощность;

  • Іст = (E-Uст)/R;

  • Рст=Іст*Uст;

Диодный мост — это схема, состоящая из четырёх диодов, соединённых так, чтобы преобразовать переменное напряжение (AC) в постоянное (DC). Электрическая схема диодного моста чаще всего используется для выпрямления переменного тока.

Основные характеристики:

  • Выпрямление тока: Преобразование переменного тока в постоянный.

  • Состав: Четыре диода, соединённых в виде моста.

  • Применение: В блоках питания, зарядных устройствах и других электронных устройствах.

Принцип работы:

  1. Переменное напряжение подается на входы моста.

  2. В течение положительного полупериода два диода пропускают ток, создавая путь для положительного тока.

  3. В течение отрицательного полупериода другие два диода пропускают ток, создавая путь для отрицательного тока, перевернутого в положительный.

Диодный мост позволяет получить непрерывное выпрямленное напряжение, что необходимо для питания большинства электронных компонентов.

Резистор — это пассивный электронный компонент, который ограничивает поток электрического тока в цепи.

Основные характеристики:

  • Сопротивление: измеряется в омах (Ω) и указывает на способность резистора ограничивать ток.

  • Мощность: Максимальная мощность, которую резистор может рассеивать без повреждений, измеряется в ваттах (Вт).

  • Допуск: указывает, насколько сопротивление резистора может отклоняться от номинального значения, выражается в процентах.

Типы резисторов:

  • Постоянные: имеют фиксированное сопротивление.

  • Переменные (потенциометры, реостаты): сопротивление можно изменять вручную.

  • Составные (параллельные и последовательные соединения): используются для получения нужного сопротивления или распределения мощности.

Применение:

  • Ограничение тока в электрических цепях.

  • Делители напряжения.

  • Защита компонентов от перегрузки.

  • В цепях фильтрации и согласования сигналов.

Трансформатор — это электрическое устройство, предназначенное для изменения уровня напряжения переменного тока (AC) при неизменной частоте.

Основные характеристики:

  • Первичная обмотка: подключается к источнику напряжения.

  • Вторичная обмотка: подключается к нагрузке.

  • Коэффициент трансформации: Соотношение числа витков первичной и вторичной обмоток, определяющее изменение напряжения.

  • Мощность: измеряется в вольт-амперах (ВА), показывает максимальную мощность, которую трансформатор может передать без перегрева.

Типы трансформаторов:

  • Силовые: используются в энергосистемах для передачи и распределения электрической энергии.

  • Измерительные: применяются для измерения тока и напряжения.

  • Автотрансформаторы: имеют общую часть обмоток для экономии материалов и места.

  • Импульсные: используются в электронных устройствах для преобразования импульсов.

Применение:

  • Передача электроэнергии на большие расстояния.

  • Понижение/повышение напряжения в распределительных сетях.

  • Изоляция цепей для безопасности.

  • Стабилизация напряжения в различных устройствах.

Задание 1А. Бестрансформаторный однополупериодный выпрямитель. Соберите схему и запустите ее. Зарисуйте полученные графики.

Рисунок 2 – схема из задания 1А без конденсатора.

Рисунок 3 – окно настройки выходных графиков.

Рисунок 4 – графики, полученные при выполнении задания 1А.

Рисунок 5 – схема из задания 1А с добавлением конденсатора.

Рисунок 6 – графики, полученные при выполнении задания 1А.

Задание 1Б. Снятие ВАХ. Прямая ветвь ВАХ. Соберите схему и включите ее. Запишите напряжения Uпр и тока Iпр диода, устанавливая при этом значения источника от 5В до 0В.

Обратная ветвь ВАХ. Переверните диод и последовательно устанавливая значения ЭДС источника равным 0В, 5В, 10В, 20В, 25В, 30В и запишите значения Iоб, Uоб. Результаты запишите в таблицы. По таблице постройте графики зависимости Iпр(Uпр) и Iоб(Uоб).

Рисунок 7 – схема для получения ВАХ.

Рисунок 8 – окно настройки выходных графиков.

Рисунок 9 – график, полученный при выполнении задания 1Б.

Рисунок 10 – обратное включение диода для отображения ВАХ.

Рисунок 11 – график, полученный при выполнении задания 1Б.

Задание 2А. Измерение нагрузочной характеристики параметрического стабилизатора. Соберите схему. Значение сопротивления резистора Rl, включённого параллельно стабилитрону, устанавливайте равным 50 Ом, 100 Ом, 200 Ом, 500 и 700 Ом. Значение ЭДС установите равным 30В. Рассчитайте ток Il, протекающий через резистор Rl, а также напряжение Uст на стабилитроне и ток Iст для каждого значения Rl. Этот эксперимент проведите при условии короткого замыкания. Результаты запишите в Таблицу 2А.

Rl, Ом

Uст, В

Il, А

Iст, А

50

12

0.24

0.36

100

12

0.12

0.18

200

12

0.06

0.09

500

12

0.024

0.036

700

12

0.017

0.026

Таблица 2А.

Рисунок 12 – схема из задания 2А.

Рисунок 13 – окно настройки выходных графиков.

Рисунок 14 – график, полученный при выполнении задания 2А.

Задание 3А. Исследование двухполупериодного выпрямителя. Соберите схему. Зарисуйте диаграммы входного и выходного напряжений. По диаграмме выходного напряжения определите период. Вычислите значение максимального обратного напряжения Umax на диоде и среднее значение выходного напряжения <Ud>.

Рисунок 15 – схема из задания 3А.

Рисунок 16 – окно настройки выходных графиков.

Рисунок 17 – графики, полученные при выполнении задания 3А.

Рисунок 18 – схема из задания 3А с фильтром.

Рисунок 19 – окно настройки выходных графиков.

Рисунок 20 – графики, полученные при выполнении задания 3А.

Период выходного напряжения (T): период становится вдвое меньше по сравнению с входным.

Задание 3Б. Исследование мостового выпрямителя. Соберите схему. Выполните пункт 3А только для мостового выпрямителя. Дополнительно вычислите коэффициент трансформации (отношение амплитуд напряжений на первичной и вторичной обмотке трансформатора в режиме, близком к холостому ходу).

Рисунок 21 – схема из задания 3Б.

Рисунок 21 – окно настройки выходных графиков.

Рисунок 22 – графики, полученные при выполнении задания 3Б.

Коэффициент трансформации будет равен отношению Uперв к Uвтор. При холостом ходе Uперв = 220В, а Uвтор = 20В. Таким образом получим k = Uперв/Uвтор = 220/20 = 11.

Вывод: В ходе выполненной лабораторной работы была достигнута цель, заключающаяся в изучении конструкции, принципов действия и классификации полупроводниковых диодов. Мы освоили методы моделирования основных типов схем с использованием полупроводниковых диодов в среде Micro-Cap Evaluation 9.

Мы исследовали различные характеристики и параметры диодов, включая их вольт-амперные характеристики (ВАХ). Построение ВАХ позволило нам лучше понять поведение диодов при различных значениях напряжения и тока на их контактах.

Работа продемонстрировала важность и применение полупроводниковых диодов в электронных схемах, а также закрепила навыки использования программы Micro-Cap для симуляции и анализа электронных компонентов.