5. Рассчитаем статическое сопротивление стабилитронов для средней точки
рабочего участка характеристики. Вычислим по результатам измерений ΔI и ΔUст динамическое сопротивление.
Д814Д:
КС191С:
Выводы
В лабораторной работе производились измерения вольт-амперных характеристик выпрямительных диодов Д7Ж (Ge) и КД103 (Si), стабилитронов Д814Д и КС191С, туннельного диода АИ201Г.
При сопоставлении графиков прямой ветви ВАХ первых трех элементов мы выяснили, что открытие Д7Ж наступает практически сразу после 0 В. Для КД103 и Д814Д напряжение открытия находится в пределах 0,5 – 0,7 В, а для КС191С оно на 2 порядка выше.
Стабилитроны характеризуются почти неизменным напряжением в широком диапазоне изменения тока. Мы получили участки стабилизации с помощью характериографа у элементов Д814Д и КС191С. В рабочей области стабилитронов мы рассчитали такие характеристики, как статическое и динамическое сопротивления стабилизации. Чем меньше динамическое сопротивление, тем выше качество стабилизации напряжения. В нашем случае оно равно 55,6 и 27,8 Ом.
В результате туннельного эффекта при прямом включении в р–n-переходе на основе вырожденных полупроводников прямая ветвь ВАХ содержит N-образный участок. Данный участок мы получили для туннельного диода АИ201Г.
Для Д7Ж и АИ201Г были построены теоретические ВАХ, частично расходящиеся с экспериментом. Это может быть обусловлено неидеальностью компонентов ввиду их многолетней эксплуатации.