Ответы на экзаменационный тестичек

Диффузионный ток неосновных носителей диода с толстой базой при увеличении обратного напряжения

не изменяется

Вычислите значение контактной разности потенциалов в Ge p-n- переходе при температуре 293К (кТ/q ≈ 0,025 В), если Nd = Na = 1E16 см-3 и ni ≈1E13 см-3.

0,34 В

Как изменяется концентрация инжектированных неосновных носителей по мере удаления от границы p-n перехода в диоде с тонкой базой?

линейно

Определите низкий, средний и высокий уровни инжекции в несимметричном p- n переходе диода: ∆ pn « nn 0 (а); pn » nn0 (б); pn ≈ nn0 (в);

низкий; высокий; средний

Пробивное напряжение резких несимметричных переходов определяется удельным сопротивлением

высокоомной области

Достоинством p-i-n- явлются:

малая емкость при обратном включении; малое сопротивление в прямом влючении

Добротность варикапа в области высоких частот с увеличением обратного напряжения

1. уменьшается 2. увеличивается 3. остается постоянной

Что характеризует наклон графика распределения концентрации неосновных носителей заряда у границы p-n-перехода?

1. заряд носителей в базе 2. ток перехода 3. напряжение на переходе

Уменьшение подвижности носителей заряда в области высоких температур объясняется…

1. рассеиванием на ионизированных примесях 2. рассеиванием на тепловых колебаниях решетки 3. рассеиванием на подвижных носителях

При прямом включении распределение концентрации неосновных носителей в базе диода : линейно (а), экспоненциально (б). Определить длину базы диода.

1. короткая база - экспоненциально; длинная база – квадратично 2. короткая база -линейно; длинная база - экспоненциально 3. короткая база - линейно; длинная база - квадратично

В какой области p-n-перехода концентрируется электрическое поле?

1. в высокоомной 2. в низкоомной 3. в нейтральной

При большом уровне инжекции сопротивление базы диода…

1. увеличится 2. уменьшится 3. останется без изменения

Во сколько раз изменится барьерная емкость плавного p-n перехода при увеличении обратного напряжения от 10 до 80В?

1. в 2 раза. 2. в 3 раза 3. в 4 раза

???

Транзисторы IGBT предназначены для использования в схемах:

1. усиления 2. генерации 3. переключения

«Используется, в основном, как мощный электронный ключ»

Что определяет наклон температурной зависимости электропроводности полупроводника при понижении температуры?

1. изменение подвижности 2. энергия активации атомов примеси 3. изменение концентрации электрически активной примеси

Пробивное напряжение диода увеличивается с ростом температуры, если пробой носит….. характер.

Лавинный

Как изменяется граничная концентрация носителей заряда при обратном / прямом напряжении на переходе?

1. увеличивается / уменьшается 2. уменьшается / увеличивается 3. не изменяется

Какие режимы работы транзисторов являются основными в схемах транзисторных ключей?

1. активный 2. насыщения 3. отсечки

2 ответа??

Для каких уровней сигналов используется схема замещения Эберса – Молла и Гуммеля-Пуна?

1. для малых 2. для больших 3. для средних

К какому типу приборов относятся диаки и триаки?

к тиристорам

Почему в кристалле полупроводника может возникнуть только один домен?

1. при образовании домена уменьшается поле за пределами домена. 2. в кристалле только один p-n-переход 3. время образования домена велико

Что такое диффузия носителей заряда? Отметить буквой выбранное определение.

перемещение носителей под влиянием градиента концентрации

Какую разновидность полевых транзисторов относят к транзисторам обедненного типа?

транзисторы с встроенным каналом

По какой цепи управления больше крутизна МДПтранзистора?

1. по цепи подложки 2. по цепи затвора 3. не имеет значения

Электропроводность полупроводника обусловлена донорными и акцепторными примесями с одинаковой концентрацией . Полупроводник называют

скомпенсированным

Для усиления электрических сигналов используется…режим работы биполярных транзисторов

активный

Модуль коэффициента передачи тока транзистора уменьшается в √ 2 раз на частоте:

предельной - f h 21

На какой частоте модуль коэффициента передачи тока транзистора уменьшается в √ 2 раз по сравнению с его значением на низких частотах

предельная частота f h 21

Наименьшее время выключения диодного тиристора достигается

1. при отключении цепи питания 2. при изменении полярности анодного напряжения 3. при коротком замыкании тиристора

При каком способе выключения диодного тиристора достигается меньшее время выключения

при отключении цепи питания 2. при изменении полярности анодного напряжения 3. при коротком замыкании тиристора

Почему с увеличением напряжения стабилизации растет дифференциальное сопротивление опорного диода(стабилитрона)

1. увеличивается длина базы 2. растет высота барьера перехода 3. уменьшается уровень легирования базы

Что характеризует линейный участок ВФХ зависимости 1/C^2=f(U)?

1. ширину запрещенной зоны 2. концентрацию примеси 3. Энергию активации примесим экстракции

Назовите отличительные особенности обращенных диодов в сравнении с обычными выпрямительными диодами

1. отсутствует накопление заряда неосновных носителей 2. низкое быстродействие 3. при обратном напряжении диод проводит ток, при прямом – не проводит

Как изменится эффективность эмиттера при увеличении уровня легирования базы

Уменьшится

Коэффициент передачи тока эмиттера в схеме ОБ может стать больше единицы

не может

Вычислите значение контактной разности потенциалов в Si переходе при температуре 293К (кТ/q ≈ 0,025 В), если Nd = Na = 1E17 см-3 и ni ═1,5E10 см-3

0,785 В

Почему характеристики полевых транзисторов описываются уравнениями, в которых токи являются функциями напряжений, а не наоборот?

1. из-за низкого уровня шумов 2. из-за высокой крутизны 3. из-за высокого входного сопротивления

Как изменяется высота потенциального барьера p-n – перехода с увеличением концентрации примесей в прилегающих к переходу областях?

1. не изменяется 2. увеличивается 3. уменьшается

Какая составляющая тока преобладает при обратном смещении Ge p-n – перехода?

1. тепловая 2. генерационная 3. диффузионная

В каком режиме работы биполярного транзистора происходит усиление электрических сигналов?

активном

Что определяет плоский участок наклона логарифмической температурной зависимости концентрации полупроводника?

1. ширину запрещенной зоны полупроводника 2. энергию активации атомов примеси 3. значение концентрации примеси

Принцип действия прибора с зарядовой связью основан на…

1. управлении переносом пакета неосновных носителей заряда в полупроводнике 2. коммутации напряжения в цепи нагрузки 3. генерации фото-ЭДС при освещении матрицы фотоэлементов

Транзисторы с диодом Шоттки между коллектором и базой характеризуются повышенным быстродействием благодаря:

1. исключению режима насыщения 2. меньшей барьерной емкости коллекторного перехода 3. высокой подвижности носителей