Ответы на экзаменационный тестичек

1)Диффузионный ток в п/п протекает: при наличии градиента концентрации

носителей

2)Как влияет увеличение ширины запрещенной зоны п/п на контактную разность потенциалов: возрастает

3)Как зависит обратный ток p-n перехода от собственной концентрации?

квадратичная зависимость

4)Как зависит подвижность носителей заряда в п/п-х от температуры:

увеличивается и уменьшается при наличии примесей

5)Как изменяется высота потенциального барьера p-n-перехода с увеличением температуры: уменьшается

() Как изменится высота барьера в p-n- переходе при увеличении температуры?

уменьшается

6)Как изменяется подвижность носителей с увеличением концентрации примесей? уменьшается

7)Как изменяется ширина области объёмного заряда резкого и плавного p-n- переходов при увеличении обратного напряжения: возрастает

8)При каких работах выхода металла и n – полупроводника образуется выпрямляющий контакт? Ame>Aп/п

9)При каких условиях в п/п-х протекает дрейфовый ток: при существовании

электрического поля

10)При линейном распределении примесей в p-n переходе, распределение напряженности эл. поля происходит: по параболе

() При линейном распределении примесей в p-n- переходе, распределение напряженности электрического поля происходит … по параболе

11)При обратном смещении p-n перехода широкозонных п/п-в преобладает составляющая тока: генерационная

() При обратном смещении p-n – перехода широкозонных полупроводников преобладает… составляющая тока. генерационная

12)С возрастанием температуры уровень Ферми в полупроводниках смещается… к середине запрещенной зоны

13)Чем определяется частота электромагнитных колебаний, возникающих в генераторе Ганна: расстоянием между электродами

14)Электропроводность п/п-ка обусловлена донорными и акцепторными примесями с одинаковой концентрацией п\п-к называют: скомпенсированным

15)В диоде с тонкой базой распределение концентрации инжектированных носителей: линейное

16)В каких P-n переходах коэф. перекрытия по емкости Кс больше: в резких

17)В каких p-n переходах приложенное напряжение сильнее влияет на толщину p-n перехода: в резких

() В каких p-n – переходах приложенное напряжение сильнее влияет на толщину p-n – перехода?

в резких

18)В кремниевых p-n переходах преобладает…пробой: лавинный

() Какой вид пробоя преобладает в кремниевых p-n – переходах лавинный () В кремниевых p-n – переходах преобладает… пробой лавинный

19)В резком p-n- переходе распределение напряженности электрического поля:

линейное

20)В туннельных диодах используются полупроводники: вырожденные

21)Выпрямительные свойства диодов с увеличением частоты : ухудшаются

22)Высота потенциального барьера p-n перехода с увеличением концентрации примесей в прилегающих к переходу областях: увеличивается

() Высота потенциального барьера p-n – перехода с увеличением концентрации примесей в прилегающих к переходу областях… увеличивается

23)Генерационный ток в диоде вызывается генерацией носителей: в

обедненной области

24)Как изменится напряжение лавинного пробоя диода при увеличении температуры? возрастает.

25)Какая составляющая тока преобладает в широкозонных п/п-ках при обратном смещении p-n перехода: генерационная

26)Какой вид емкости p-n перехода используется в варикапах: барьерная

() Какой вид емкости p-n – перехода используется в варикапах барьерная

27)Какой вид емкости диода связан с изменением заряда инжектированных носителей? диффузионная

28)Назовите отличительные особенности обращенных диодов в сравнении с обычными выпрямительными диодами: диод с критич.конц. примесей, в кот.

проводимость при обратном напряжении вследствие туннельного эффекта выше, чем при прямом напряжении

28)При прямом смещении p-n перехода направление внешнего и внутреннего поля в переходе: противоположны

При прямом смещении p-n – перехода направление внешнего и внутреннего поля в переходе... противоположны

30)При увеличении температуры прямой и обратный токи диода: возрастают () Как влияет увеличение температуры на прямой и обратный токи диода? токи

возрастают

31)С изменением заряда инжектированных носителей изменяется емкость:

диффузионная

32)С увеличением ширины запрещ. зоны п/п-ка контактная разность потенциалов p-n перехода: возрастает

33)Активный режим работы n-p-n – транзистора в схеме с ОБ обеспечивается при напряжениях на переходах: Uэб<0, Uкб>0

34)Активный режим работы p-n-p – транзистора в схеме с ОБ обеспечивается при напряжениях на переходах: Uэб>0, Uкб<0

35)в КАКИХ СХЕМАХ ВКЛЮЧЕНИЯ транзисторов лучше частотные и переключающие свойства: С ОБ () В каких схемах включения транзисторов лучше частотные и переключающие свойства? С ОБ

36)В какой схеме включения транзистора самое низкое входное сопротивление: с ОБ

37)В какой схеме включения тр-ров достигается наибольшее усиление тока:

ОЭ

() В какой схеме включения транзистора самое высокое входное сопротивление?

ОБ

38)Для каких уровней сигналов используется схема замещения Эберса-Молла и Гуммеля-Пуна: для больших

39)Для увеличения эффективности эммитера отношение концентрации примесей в эммитере в и базе следует: увеличить

40)Почему транзисторы с диодом Шотки в цепи коллектор-база характеризуются повышенным быстродействием? уменьшается время

рассасывания

41)Сравните пробивные напряжения транзисторов в схемах ОБ и ОЭ : больше

в схеме с ОБ

42)К какому типу приборов относятся диаки и триаки: к тиристрам

43)Как можно осуществить электрическое включение диодного тиристора:

плавным увеличением анодного напряжения и быстрым увеличением анодного напряжения

() Как можно осуществить электрическое включение диодного тиристора?

плавным увеличением анодного напряжения и быстрым увеличением анодного напряжения

44)Какой источник питания анодной цепи необходимо использовать при исследовании ВАХ тиристора: источник тока

45)При каком способе включения диодного тиристора достигается меньшее время включения: при изменении полярности анодного напряжения

46)Тиристор – это п/п-вый прибор, имеющий три…для использования в схемах: переключения

47)Значение крутизны полевого тр-ра отн-ся соотношением: дельтаIс/Uз

48)Как влияют длина L и ширина W канала полевого транзистора на его крутизну S? S=w/L

49)Какая схема включения полевого транзистора используется чаще – с общим истоком (ОИ), с общим стоком (ОС) или с общим затвором (ОЗ) ?ОИ

50)Наиболее важной особенностью полевого тр-ра явл-ся: большое вх

сопротивление

51)Почему в полевых тр-рах с управляющим переходом ток стока растёт с увеличением напряжения на стоке: длина и сопротивления канала зависят от

напряжения на стоке в степени <1

52)Пробивное напряжение полевых тр-ров с управляющим переходом при увеличении напряжения на затворе: увеличивается

53)Каково основное назначение IGBT – тр-ра: коммутация мощности

54)МДП-тр-р с встроенным каналом в схемах усиления чаще исп-ся: в режиме

обеднения

() МДПтранзистор с встроенным каналом в схемах усиления чаще используется в режиме обеднения

55)По какой цепи управления больше крутизна МДП-тр-ра: по цепи затвора

56)Почему хар-ки полевых тр-ров описываются ур-ми, в которых токи явл. функциями напряжений, а не наоборот: из-за высокого вх. Сопротивления

57)Принцип действия прибора с зарядовой связью основан на: управлении

переносом пакета неосновных носителей заряда в п/п-ке

58)Какие из фотоприемников могут использоваться для генерации электрической энергии поглощении света: фотодиод

59)Почему световая характеристика фоторезистора носит сублинейный характер? уменьшается время жизни носителей и подвижность

60)С увеличением энергии фотонов поглощение переходит от… поглощения

носителями к собственному поглощению

61)Самой высокой фоточувствительностью характеризуется: Фототранзистор

62)Спектральная хар-ка фоторезистора имеет спад при малых длинах волн излучения: из-за увеличения поглощения света вблизи пов-ти и из-за

усиления поверхностной рекомбинацией неравновесных носителей

При каких условиях в полупроводнике протекает диффузионный ток

при наличии градиента концентрации носителей

Как зависит подвижность носителей заряда в полупроводниках от температуры?

увеличивается и уменьшается при наличии примесей

Как влияет увеличение ширины запрещенной зоны полупроводника на контактную разность потенциалов p-n – перехода?

возрастает

Как изменится дифференциальное сопротивление стабилитрона при увеличении тока?

не изменится уменьшится

В каких p-n – переходах коэффициент перекрытия по емкости Kс больше?

в резких

Чтобы увеличить эффективность эмиттера нужно отношение концентрации примесей в эмиттере и в базе

увеличить

В какой схеме включения транзистора самое низкое входное сопротивление?

с общей базой

Наиболее важной особенностью полевого транзистора является …

большое входное сопротивление

Эффект dI/dt в тиристорах заключается в том, что …?

образуется шнур тока

Найти значение дифференциального сопротивления перехода p-n при T= 293 K, если прямой ток I пр = 10 мА.

2,5 Ом

Какие участки выходных характеристик полевых транзисторов (крутые или пологие) используют при работе транзисторов в схемах усилителей напряжения?

пологие

С увеличением уровня легирования напряжение лавинного пробоя p-n- перехода уменьшается

Как изменится граничная концентрация неосновных носителей заряда в базе около эмиттерного перехода, если прямое напряжение на переходе увеличится от 0,225 до 0,25 В?

в 2,7 раза

Вкакой схеме включения транзистора достигается самое низкое выходное сопротивление?

Всхеме с ОК

Определите ширину запрещенной зоны ∆Э собственного полупроводника, пригодного для изготовления фотоприемников, чувствительных к излучению с длиной волны 0,6 мкм.

∆Э ≈ 2,1эВ

Как влияет барьерная емкость коллекторного перехода тиристора на напряжение включения UВКЛ ?

UВКЛ не изменяет

С уменьшением длины канала полевого транзистора его быстродействие

Увеличивается

Определите наиболее распространенный способ соэдания инверсной населенности в полупроводниках.?

оптическая накачка

Почему ухудшаются выпрямительные свойства диода на высоких частотах? Выпрямительные свойства диода на высоких частотах ухудшаются из-за влияния…

емкость перехода

В полупроводниковом диоде отношение тока генерации к току насыщения с повышением температуры

уменьшается

В диоде с тонкой базой , при увеличении обратного напряжения, ток насыщения …

Не измениться

Чем определяется наклон (угловой коэффициент) энергетических уровней и зон на энергетической диаграмме полупроводника?

Напряженностью электрического поля в полупроводнике

Обычная толщина области объемного заряда p-n перехода составляет

10 – 4см

Какие структуры диодов: сплавные, диффузионные, эпитаксиально – планарные широко используются в микроэлектронике?

диффузионные

Какие составляющие тока преобладают при прямом смещении диодов Шоттки :

ток генерации

С увеличением температуры пробивное напряжение диода возрастает, при

лавинном пробое

Подвижность носителей заряда полупроводника в сильных электрических полях:

Уменьшается

Почему в дрейфовых транзисторах достигается более высокое быстродействие?

из-за наличия внутреннего поля в базе

Как изменится напряжение пробоя при образовании обогащенного слоя на поверхности базы диода?

уменьшится

Сравните предельную частоту коэффициента передачи тока транзисторов в схемах ОБ и ОЭ

f h 21э < f h 21b

Какая из составляющих обратного тока преобладает в кремниевых диодах?

ток генерации