ОПрЭКБ лабы / Отчет по работе 02 Моделирование ВАХ МОП-транзистора

_{МИНОБРНАУКИ РОССИИ}

Санкт-Петербургский государственный

электротехнический университет

«ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)

Кафедра МВЭ

отчет

по практической работе №2

по дисциплине «Основы проектирования

электронной компонентной базы»

Тема: Моделирование ВАХ МОП-транзистора

Студент гр.
Преподаватель		Синев А.Е.

Санкт-Петербург

202X

Модель 1

Получим графики выходных характеристик МОП-транзистора в AIM-Spice (рис. 1, 2).

Диапазон изменения vds – от 0 до 3 В с шагом 50 мВ.

Диапазон изменения vgs – от 1 до 3 В с шагом 1 В.

MOP char

vds 1 0 dc 0

vA 1 100 dc 0

vgs 2 0 dc 2

m1 100 2 0 0 mn1 l=0.6u w=50u

.model mn1 nmos vto=0.5 tox=100e-10 uo=610 ld=0.07u

+ rs=20 rd=20

Рис. 1. Выходные характеристики МОП-транзистора (модель 1)

Модель 3

MOP char

vds 1 0 dc 0

vA 1 100 dc 0

vgs 2 0 dc 2

m1 100 2 0 0 mn3 l=0.6u w=50u

.model mn3 nmos level=3 vmax=1e5 vto=0.5 tox=100e-10

+ uo=610 ld=0.07u rs=20 rd=20 theta=0.03 delta=0

+ eta=0.01 nfs=1.3e12

Рис. 2. Выходные характеристики МОП-транзистора (модель 3)

Оформим оба графика в AIM-Postprocessor (рис. 3).

Рис. 3. Выходные характеристики МОП-транзистора (две модели)