ОПрЭКБ лабы / Актуальные методы / 122 Пр ПР_БЧ ОП ЭКБ. ПРАКТИКА 03

Основы проектирования ЭКБ

ОСНОВЫ ПРОЕКТИРОВАНИЯ ЭКБ

3. Моделирование ВАХ МОП-транзистора.

Программу SPICE можно использовать в качестве характериографа для отображения ВАХ транзисторов. Для этого используются два независимых источника: Vgs – напряжение на затворе и Vds – напряжение стока. Источник VA выполняет роль виртуального амперметра.

Оценим адекватность двух SPICE-моделей МОП-транзистора

Level 1 и Level 3.

Ниже приведены листинги программ моделирования ВАХ с параметрами моделей. Для расчёта ВАХ используется режим

DC Transfer Curve Analysis (Анализ передаточной кривой в режиме постоянного тока).

Формат задания параметров МОП-транзистора:

MXXXXXXX ND NG NS NB NAME <L=VALUE> <W=VALUE>

+<AD=VALUE> <AS=VALUE> <PD=VALUE> <PS=VALUE>

+<NRD=VALUE> <NRS=VALUE> <IC=VDS, VGS, VBS>

Основы проектирования ЭКБ

Здесь

AD, AS – площади областей стока и истока в кв. м

PD, PS – периметры областей стока и истока в м

NRD, NRS – слоевые сопротивления стока и истока (Ом/квадрат) IC=VDS, VGS, VBS начальные значения напряжений (факультативно)

Диапазон изменения vds – от 0 до 3 В с шагом 50 мВ

Диапазон изменения vgs – от 1 до 3 В с шагом 1 В.