lab1

МИНИСТЕРСТВО ЦИФРОВОГО РАЗВИТИЯ,

СВЯЗИ И МАССОВЫХ КОММУНИКАЦИЙ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ «САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ТЕЛЕКОММУНИКАЦИЙ ИМ. ПРОФ. М.А. БОНЧ-БРУЕВИЧА» (СПбГУТ)

Факультет Радиотехнологий связи

Кафедра Радиосвязи и вещания

Учебная дисциплина «Основы компьютерного проектирования средств радиосвязи и радиодоступа»

ОТЧЁТ

Тема: «Лабораторная работа №1»

Выполнили: студенты группы

«__» ______ 2023г.

Принял: преподаватель

Сопов Д.А.

«__» ______ 2023г.

Санкт-Петербург 2023 г.

Цель работы:

Изучить параметры и характеристики диодов, а также влияние на них.

Ход работы:

1) Исследование ВАХ полупроводникового диода

Для исследования ВАХ полупроводникового диода была использована схема указанная на рисунке 1.

Рис.1 Схема для исследования ВАХ и динамических параметров полупроводникового диода

Произведён расчёт статического и динамического сопротивления диода (рисунок 2)

Рис.2 ВАХ диода

Рис.3 Приближенная ВАХ

Статическое сопротивление равно R_СТ=U_А/I_А15,7 Ом, а динамическое сопротивление равно R_Дu/i2,2 Ом.

2) Построение ВАХ стабилитрона (рисунок 4 и 5)

Рис.4 Схема для исследования стабилитрона

Рис.5 ВАХ стабилитрона

ВАХ стабилитрона отличается от ВАХ диода тем, что стабилитрон работает при обратном смещении напряжения, а диод при прямом.

3) Влияние ёмкости на выходное напряжение.

Рис.6 Схема для исследования влияния выходного напряжения без ёмкости

Рис.7 Напряжение на R1 без конденастора

Рис.8 Схема для исследования влияния выходного напряжения без ёмкости

Рис.9 Напряжение на R1 c конденастором

При подключении параллельно резистору R1 конденсатора с большой емкостью и получаем на выходе практически постоянное выпрямленное напряжение.

4. Исследование влияния контрольного резистора R1

Рис.10 Схема 1 при сопротивлении R1 = 100 Ом

Рис.11 ВАХ при R1 = 100 Ом

Рис.12 Схема 1 при сопротивлении R1 = 10кОм

Рис.13 ВАХ при R1 = 10 кОм

5. Исследование работы однополупериодного выпрямителя. Представлены результаты при разном C1 на рис. 14 и 15

Рис.14 Схема и диаграмма однополупериодного выпрямителя при C1 = 1000мкФ

U = 9.3B

Рис.15 Схема и диаграмма однополупериодного выпрямителя при C1 = 10000мкФ

U = 9.3B

6. Исследование двухполупериодного выпрямителя

Рис.16 Схема и диаграмма двухполупериодного выпрямителя

Вывод:

Исследовали параметры и характеристики полупроводниковых диодов