Лб2 / Максимов(Лб2_ЭиС)
.docxМинистерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования
«ТОМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЯ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ» (ТУСУР)
Кафедра комплексной информационной безопасности электронно-вычислительных систем (КИБЭВС)
ИССЛЕДОВАНИЕ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
Отчет по лабораторной работе №2
по дисциплине «Электроника и схемотехника»
Вариант №7
С
тудент
гр. 714-1
_______ И.С. Максимов
__.__.2025
Руководитель
старший преподаватель каф. КИБЭВС
_______ А.С. Семенов
__.__.2025
Введение
В ходе данной практической работы требуется выполнить следующие задачи:
1. Построить стенд исследования логической функции И для заданного вариантом диода с помощью генератора входных сигналов и логического анализатора. Проанализировать выходные данные, сделать выводы
2. Построить стенд исследования логической функции ИЛИ для заданного вариантом диода с помощью генератора входных сигналов и логического анализатора. Проанализировать выходные данные, сделать выводы.
3. Построить стенд исследования для измерения электрических параметров логической функции И для заданного вариантом диода с помощью вольтметра и амперметра. Проанализировать выходные данные, сделать выводы.
4. Построить стенд исследования для измерения электрических параметров логической функции ИЛИ для заданного вариантом диода с помощью вольтметра и амперметра. Проанализировать выходные данные, сделать выводы.
5. Построить стенд для исследования составной логической функции для заданного вариантом диода, номинала сопротивления и составной функции с помощью логического анализатора и генератора входных слов. Проанализировать выходные данные, сделать выводы.
РАБОТА ТРАНЗИСТОРА В АКТИВНОМ РЕЖИМЕ И НАСЫЩЕНИЯ
Задача: Последовательно установить значения R1 в кОм: 0,4, 0,6, 0,8, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 20, 40, 60, 80, 100, записать показания для Uбэ, Uкэ.
Формулы
для расчёта приведены на рисунке 1.1.
Рисунок 1.1 - Формулы
Пример схемы представлен на рисунке 1.2.
Рисунок 1.2 – Пример схемы
Результаты измерений представлены в таблице 1.1.
Таблица 1.1 — Результаты измерений
Режим |
R1, кОм |
Uбэ, мВ (V1) |
Uкэ, мВ(V2) |
Iб, мА (A1) |
Iэ, мА (A2) |
Iк, мА |
Rкэ, Ом |
βDC |
Насыще ния |
0,4 |
882,5 |
82,16 |
10,29 |
59,47 |
49,18 |
2 |
4,779 |
Насыще ния |
0,6 |
843,9 |
87,98 |
6,927 |
56,05 |
49,123 |
2 |
7,092 |
Насыще ния |
0,8 |
823,9 |
92,93 |
5,22 |
54,29 |
49,07 |
2 |
9,400 |
Насыще ния |
1 |
811,7 |
97,25 |
4,188 |
53,22 |
49,032 |
2 |
11,708 |
Насыще ния |
2 |
786,4 |
113,6 |
2,107 |
50,97 |
48,863 |
2 |
23,191 |
Насыще ния |
3 |
777,7 |
125,7 |
1,407 |
50,15 |
48,743 |
3 |
34,643 |
Насыще ния |
4 |
773,3 |
136,2 |
1,057 |
49,69 |
48,633 |
3 |
46,010 |
Насыще ния |
5 |
770,6 |
146,1 |
0,8459 |
49,38 |
48,5341 |
3 |
57,376 |
Насыще ния |
6 |
768,7 |
156,2 |
0,7052 |
49,14 |
48,4348 |
3 |
68,682 |
Насыще ния |
7 |
767,4 |
167,4 |
0,6047 |
48,93 |
48,3253 |
3 |
79,916 |
Насыще ния |
8 |
766,3 |
181 |
0,5292 |
48,72 |
48,1908 |
4 |
91,063 |
Насыще ния |
9 |
765,4 |
201,4 |
0,4705 |
48,46 |
47,9895 |
4 |
101,997 |
Продолжение таблицы 1.1
Режим |
R1, кОм |
Uбэ, мВ (V1) |
Uкэ, мВ(V2) |
Iб, мА (A1) |
Iэ, мА (A2) |
Iк, мА |
Rкэ, Ом |
βDC |
Насыще ния |
10 |
764,4 |
255,7 |
0,4236 |
47,87 |
47,4464 |
5 |
112,008 |
Активн ый |
20 |
744,2 |
2138 |
0,2128 |
28,83 |
28,6172 |
75 |
134,479 |
Активн ый |
40 |
724,5 |
3412 |
0,1069 |
15,98 |
15,8731 |
215 |
148,486 |
Активн ый |
60 |
713 |
3910 |
0,07145 |
10,97 |
10,89855 |
359 |
152,534 |
Активн ый |
80 |
704,9 |
4176 |
0,05369 |
8,293 |
8,23931 |
507 |
153,461 |
Активн ый |
100 |
698,4 |
4341 |
0,04302 |
6,628 |
6,58498 |
659 |
153,068 |
РАБОТА ТРАНЗИСТОРА В РЕЖИМЕ ОТСЕЧКИ
Примеры схем представлены на рисунках 2.1 и 2.2.
На рис 2.1 видно, что значения всех амперметров и вольтметра V1 = 0, в
то время как вольтметр V2 показывает 5 В, равное напряжению питания, что
и означает режим отсечки.
Рисунок 2.1 – Пример схемы
При смене положения переключателя транзистор начинает работает в режиме насыщения (рис. 2.2).
Рисунок 2.2 – Пример схемы
РАБОТА ТРАНЗИСТОРА В ИНВЕРСНОМ РЕЖИМЕ
Примеры схем представлены на рисунках 3.1 и 3.2.
Рисунок 3.1 – Пример схемы
Из рис. 3.1 видно, что Uн = 3,245 мВ.
Рисунок 3.2 – Пример схемы
Из рис. 3.1 видно, что Iу = -1.185 мА
Заключение
В проделанной работе были проведены опыты с транзистором 2N3392. Были собраны схемы для исследования биполярного транзистора в режиме насыщения и в активном режиме. При значении Iб меньше 0,2128 мА транзистор переходит в активный режим. Построены схемы для изучения транзистора в режиме отсечки. Построена схема для изучения транзистора в инверсном режиме, напряжение нагрузки Uн = 3,245 мВ, ток утечки Iу = -1,185 мА.
Томск 2025