- •1. Классификация процессов микротехнологии
- •2. Чистота и микроклимат производственных помещений.
- •3. Классы чистоты материалов и веществ. Примеры.
- •4. Способы очистки поверхности пластин в микроэлектронном производстве.
- •5. Базовые операции планарной технологии.
- •6. Базовые операции изопланарной технологии.
- •7. Технология «кремний на изоляторе».
- •8. Уровни вакуума. Способы получения вакуума.
- •9. Приборы для измерения уровня вакуума.
- •10. Форвакуумные насосы.
- •11. Насосы для получения высокого и сверхвысокого вакуума.
- •12. Термическое вакуумное нанесение.
- •13. Методы осаждения вещества из газовой фазы.
- •14. Газофазная эпитаксия кремния: пиролиз, восстановление водородом.
- •17. Газофазное осаждение окислов и нитридов.
- •19. Магнетронное нанесение металлических слоёв.
- •20. Литографический процесс. Оценка качества и разрешения.
- •21. Литографический процесс. Негативный и позитивный резисты.
- •22. Фотошаблоны. Совмещение.
- •23. Последовательность операций стандартного фотолитографического процесса.
- •Подготовка пластин
- •Нанесение фоторезиста
- •Сушка фоторезиста
- •Проявление
- •Задубливание
- •Травление
- •24. Методы нанесения резистов. Адгезия.
- •25. Фотолитография. Способы экспонирования. Разрешающая способность.
- •26. Виды дефектов при проведении литографии.
- •28. Методы термического окисления кремния. Способы реализации и особенности.
- •30. Распределение примесей при термическом окислении
- •31. Физика диффузионных процессов. Двухстадийная диффузия.
- •32. Математическое описание диффузионных процессов в твердых телах. Законы диффузии.
- •33. Распределение примесей при диффузии. Стадия «загонки» (введение примесей).
- •34. Распределение примесей при диффузии. Стадия «разгонки» (перераспределение примесей).
- •35. Методы осуществления процесса диффузии. Источники и способы введения примесей. Оборудование для диффузии.
- •36. Математическое описание процесса ионной имплантации.
- •37. Физика процесса ионной имплантации. Эффекты разупорядочивания и каналирования.
- •39. Ионная имплантация. Процессы дефектообразования. Отжиг дефектов.
- •40. Применение методов ионной имплантации в микротехнологии. Легирование, окисление, нитрирование, протонизация.
- •41. Аппаратурная реализация процессов ионной имплантации.
- •43. Жидкостное химическое травление. Травители, стадии процесса, управление скоростью процесса.
- •44. Изотропное жидкостное травление кремния.
- •46. Плазменное и ионное травление.
- •47. Свойства материалов, необходимые для создания проводящих и изолирующих слоёв интегральных микросхем.
35. Методы осуществления процесса диффузии. Источники и способы введения примесей. Оборудование для диффузии.
Диффузия проводится в высокотемпературных диффузионных печах с резистивным нагревом. Контроль температуры осуществляется с помощью термопары. Температура поддерживается автоматически с точностью ±1 ºС.
Рабочей камерой являются трубы из высокочистого плавленного кварца.
Для проведения диффузии пластины кремния помещают в специальную кварцевую «лодочку», где их ставят вертикально на определенном расстоянии друг от друга. В диффузионную камеру-трубу диаметром 200 – 280 мм вдвигают лодочку таким образом, чтобы она помещалась в зоне печи, имеющей строго постоянную температуру.
Допускается отклонение от заданной температуры не более ±0,5 ºС на длине
40 – 60 см. В зависимости от типа используемого источника примеси
(твердый, жидкий или газообразный) печь может быть с одной или двумя зонами постоянной температуры. Двухзонная печь требуется при использовании твердых источников примеси. В этом случае в одной температурной зоне помещаются пластины полупроводника, в другой — испаряемый источник примеси. Конструкция установки должна обеспечивать плавный монотонный переход температуры от первой зоны ко второй, иначе может произойти осаждение примеси между зонами.
Контейнер с твердым диффузантом помещается в первой зоне трубы, во второй зоне находятся пластины. Газ-носитель (чаще всего азот, иногда аргон) подается через трубу, пары диффузанта подхватываются потоком газа и переносятся к пластинам. Обычно в газовую смесь добавляют небольшое количество кислорода. Выход из трубы закрывается кварцевой негерметичной крышкой.
Схема двухзонной диффузионной печи:
1 — вход газов-носителей; 2 — источник примеси; 3 — лодочка с пластинами кремния; 4 — выход из трубы; 5 — нагреватель зоны источника примеси; 6 — нагреватель рабочей зоны
Твердыми источниками примеси служат окислы элементов: P2O5, B2O3, As2O3, Sb2O3 и т. д. Температура испарения источников различна, значит, и
температурные режимы в первой зоне трубы отличаются друг от друга.
Основная трудность при использовании двухзонных печей — получение малых концентраций примеси; основной недостаток — большой разброс по значению поверхностной концентрации, если она сильно отличается от значения предельной растворимости.
При использовании жидких и газообразных источников примеси требуется только одна высокотемпературная зона — зона диффузии, что является преимуществом применения жидких и газообразных источников примеси по сравнению с твердыми источниками. Газ-носитель подается в трубу со скоростью 1,5–2 л/ч. Другой его поток пропускается через жидкий источник, захватывая при этом пары диффузанта. Регулируя скорость этого второго потока, можно изменять поверхностную концентрацию примеси в п/п. Для повышения воспроизводимости параметров диффузионных слоев
(особенно при диффузии бора) применяются новые твердые источники примеси, называемые параллельными. В этом случае источниками примеси являются либо пластины кварца, покрытые тонким слоем окисла примеси
(газ-носитель протекает между ними, пары примеси, диффундируя в газе,
попадают на кремний), либо твердые соединения примеси в виде тонких пластин (например, нитрид бора). Используется чередование пластин кремния и пластин — источников примеси. Разброс значений поверхностного сопротивления с применением параллельных источников достигает 2–3% при уровне 500–600 Ом/ .
Схема однозонной диффузионной печи: 1 — вход газов-носителей; 2 — жидкий источник примеси; 3 — лодочка с пластинами; 4 — выход газов из трубы; 5 — нагреватель печи
Источники примесей
Источники примесей могут находиться в трех агрегатных состояниях:
твердом, жидком и газообразном. Твердые (в основном окислы элементов)
наименее опасны в работе, однако требуют применения двухзонных печей при проведении диффузии в открытой трубе. Кроме того, они, как правило,
являются источниками одноразового применения, т. е. для проведения следующих процессов требуется обновление источника примеси.
Использование жидких источников имеет ряд преимуществ по сравнению с применением твердых источников:
1) давление паров диффузанта уже при комнатной температуре достаточно велико и не требуется дополнительного нагрева, что упрощает оборудование,
так как процесс ведется в однозонной печи;
2)источник примеси можно использовать многократно, в процессе работы он почти не обедняется;
3)жидкости не являются гигроскопичными и незначительно загрязняются при соприкосновении с окружающей средой;
4)возможно создание на поверхности пластин сравнительно невысоких концентраций примеси с хорошей воспроизводимостью по параметрам диффузионных слоев;
5)возможна автоматизация процесса диффузии.
Указанные преимущества характерны и для газообразных источников
примеси. Недостатками жидких и газообразных источников являются их
токсичность (особенно газообразных) и взрывоопасность жидкостей
(особенно в присутствии воды).
Источники примесей для диффузии
|
Бор (B) |
Фосфор (P) |
Мышьяк |
Сурьма (Sb) |
|
(As) |
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Фосфорный ангидрид – |
|
|
|
Борный ангидрид – |
P2O5; |
|
|
|
B2O3; |
Одно-/двухосновный |
|
|
|
|
|
|
|
Твердое в-во |
Борная кислота – |
фосфат аммония – |
|
|
|
H3BO3; |
NH4H2PO4; |
|
|
|
Нитрид бора – BN. |
Метафосфат алюминия – |
|
|
|
|
Al2O3 · 3P2O5. |
|
|
|
|
|
|
|
|
Триметилборат – |
Оксихлорид фосфора – |
|
|
|
(CH3O3B; |
|
|
|
|
POCl3; |
|
|
|
Жидкое в-во |
|
|
|
|
|
Трехбромистый бор – |
Бромид фосфора – PBr3. |
|
|
|
BBr3. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Газообразное |
Диборан – B2H6(разб); |
Фосфин – PH3, |
Арсин – |
Стибин – |
|
||||
в-во |
Хлорид брома – BCl3. |
разбавленный Ar или N |
AsH3. |
SbH3. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
И еще загонка. Рассматриваемый случай соответствует таким технологическим процессам, когда примесь на поверхности полупроводника постоянно восполняется взамен продиффундировавшей в глубь полупроводника. Такая ситуация реализуется, например, при проведении диффузии методом открытой трубы, когда диффузант вводят в газ-носитель в виде пара или газа, либо источник при-меси предварительно наносят на поверхность полупроводника, как это происходит при диффузии из неорганических пленок, резистов-диффузантов. При этом источник не успевает истощиться за время проведения диффузии.
