Задание КМОП_2025

Министерство образования и науки Российской Федерации

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет (ЛЭТИ)

Кафедра микро- и наноэлектроники

Задание на курсовой проект

Студента_________________________________________________

№ группы ___________

1.Тема проекта:«Разработка технологии изготовления элементов интегральной схемы»

2. Исходные данные к проекту:

2.1. Тип канала МДП транзистора в кармане__________

2.2. Длина канала 1,3 мкм, ширина канала 4,2 мкм, толщина подзатворного SiO₂ 80 нм, материал затвора:поликремний толщиной 0,5 мкм, легированный фосфором N = 5·10¹⁹ см^-3

2.3. Концентрация примесей в исходной пластине (N_исх): ______ см^-3

2.4. Поверхностная концентрация примесей истока (N_sи): ______ см^-3

2.5. Глубина залегания р-n перехода истока (x_и):________ мкм

2.6. Поверхностная концентрация легирующей примеси в кармане (N_sк):________ см^-3

2.7. Глубина кармана в КМДП (x_к):________ мкм

2.8. Номинал резистора: _______ Ом

2.9. Размеры резистора: длина ___ мкм, ширина ___ мкм, глубина залегания границы ___ мкм

2.10. Средняя подвижность носителей в слое резистора: ______ см²/(В·с)

Загонку примесей для формирования резистора проводить ионной имплантацией.

Учесть, что отжиг всех структур ИС проводится совместно.

3. Содержание пояснительной записки:

3.1. Техническое задание на проектирование.

3.2 Выбор и расчет режимов (температура, время, энергия и доза примеси) проведения технологических операций диффузии и ионной имплантации, обоснование сделанного выбора (в случае ионной имплантации)

3.3 Расчет сопротивления слоёв истока обоих транзисторов КМОП пары, считая, что они отличаются только веществом примеси.

Результаты расчетов представить в виде таблицы (включая промежуточные результаты)

4. Перечень графического материала

4.1. Чертеж кристалла (поперечное сечение с указанием толщины слоев. Размеры областей стока считать равными размерам истока).

4.2 Эскиз (перечень) основных этапов формирования элементов интегральной схемы.

4.3. Графики распределения концентрации примеси в структуре транзистора и резистора.

Пояснительная записка и графический материал должны быть выполнены в соответствии с нормированными учебными документами.

5. Рекомендуемая литература:

5.1 Зятьков И.И., Юрченко Е.П. Моделирование технологических процессов формирования полупроводниковых структур: Учеб. пособие/ СПбГЭТУ.,1994

5.2 Зятьков И.И., Юрченко Е.П. Моделирование технологии формирования элементов интегральных схем: Учеб. пособие/ СПбГЭТУ.,1995

5.3 Технология СБИС: в 2 кн./под ред. С. Зи. – М.: Мир, 1986

5.4 Зятьков И.И., Кривошеева А.Н. Базовые процессы планарной технологии: учеб. пособие. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2018. 63 с.

Дата выдачи задания: 24.10.2025 г.

Дата защиты курсового проекта: 19.12.2025 г.

Руководитель __________________________________ /Кривошеева А.Н./

Студент ___________________________________/_____________/