- •1. Моделирование процессов диффузии
- •1.1. Законы процесса диффузии
- •1.2.1. Модель диффузии из неограниченного источника
- •1.2.2. Модель диффузии из ограниченного источника
- •1.2.3. Примеры расчета этапов диффузии
- •1.3. Модель диффузии примесей из легированных оксидов
- •1.4. Модель диффузии примесей в кремнии с одновременным термическим окислением
- •1.5. Диффузия при высокой концентрации примесей
- •2. Моделирование процессов ионной имплантации
- •2.1. Модель Линдхарда, Шиотта и Шарфа
- •2.2. Модель Пирсона
- •3. Расчет сопротивления слоя
- •4. Моделирование структуры биполярного транзистора
- •4.1. Конструктивно-технологические особенности биполярных транзисторов интегральных микросхем
- •4.2. Расчет параметров транзисторной структуры при заданных режимах технологического процесса
- •4.3. Выбор режима технологического процесса для заданных параметров слоев структуры
- •Список РЕКОМЕНДУЕМОЙ литературы
- •ОГЛАВЛЕние
имплантированных ионов Q. При расчете распределения концентрации примесей после термического отжига по формуле (2.3) следует положить Q =Q′.
2.2. Модель Пирсона
Рассмотренное описание распределения примесей в результате ионной имплантации (2.3), как уже указывалось, справедливо лишь в первом приближении и, так же, как и простейшие модели диффузии, может служить лишь оценкой истинного распределения. Эксперименты показывают, что даже в аморфной среде, т. е. в отсутствие каналирования, распределение примесей не соответствует распределению Гаусса, так как оказывается несимметричным. Это объясняется условиями взаимодействия имплантированной примеси с мишенью. Определяющим параметром взаимодействия является сечение рассеяния S; оно влияет на пробег иона, зависит от массы и заряда иона и мишени, а также от энергии иона (рис. 2.9).
Рис. 2.9. Общий вид зависимости |
Рис. 2.10. Профили распределения ионов: |
|
тормозных сечений Sэл и Sяд |
||
а – при Sэл < Sяд; б – при Sэл > Sяд |
||
от энергий |
||
|
Для тяжелых ионов (М1 > М2) при малой энергии наиболее существенно ядерное торможение (Sяд), для легких ионов (М1 < М2) при больших энергиях – электронное (Sэл). Если принять, что эти два вида торможения происходят независимо и каждый из них будет характеризоваться своим набором параметров проецированного пробега и дисперсии пробега: для ядерного торможения RР1 и ∆ RР1 и для электронного – RР2 и ∆ RР2 соответственно, то истинное распределение формально можно представить суммой двух гауссиан
(рис. 2.10):
|
|
(x − RP1/2 ) |
2 |
|
G1/2 |
|
|
|
|
(x)= exp − |
2∆R2 |
|
. |
|
|
|
|
|
|
|
|
P1/2 |
|
|
36
В таком случае результирующее распределение примесей будет выглядеть асимметрично с эффективным проецированным пробегом RM (модальный пробег):
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
(x − RM ) |
2 |
|
|
N (x)= |
|
|
|
2Q |
|
|
exp |
− |
|
|
, x ≤ R ; |
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
||||||||
|
|
|
2π(∆RP1 + ∆RP2) |
|
|
|
2∆RP21 |
|
M |
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
2Q |
|
|
|
|
(x − R )2 |
|
|
||
N (x)= |
|
|
|
|
|
|
exp − |
M |
|
|
, x ≥ R . |
||
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
|
|
|
2π(∆R |
+ ∆R |
) |
|
|
|
2∆R2 |
|
|
M |
|
|
|
|
|
P1 |
P2 |
|
|
|
|
P2 |
|
|
|
Для более точного описания распределения примесей, полученного в результате ионной имплантации, используются различные методы расчета. Наиболее общими являются: метод прямого решения уравнения переноса частиц (типа уравнения движения Больцмана) в пространстве энергий–углов либо моделирование траектории ионов методом Монте-Карло (случайных ходов). Оба эти метода используются для решения на ЭВМ, общим их недостатком являются большие затраты машинного времени.
В настоящее время наиболее удобным методом принято считать так называемый метод моментов. При этом распределение примесей описывается не гауссианой, а функцией Пирсона. В последней кроме первых главных моментов – проецированного пробега RР и дисперсии пробега ∆RР – используются еще два параметра распределения – асимметрия γ, характеризующая смещение профиля, и эксцесс β – плавность профиля:
|
Q |
|
b |
(x − R |
)2 + |
|
|
b |
/ b |
+ 2a |
|
|
2b |
(x − R |
)+b |
|
|
||||||
N (x)=QP(x)= |
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||
|
|
2 |
P |
|
exp |
|
1 |
2 |
|
|
|
|
|
arctg |
2 |
|
P |
|
1 |
|
, |
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||
|
2b2 |
+b |
(x − R |
)+b |
|
|
|
4b b |
|
− |
b |
2 |
|
|
|
4b b |
− |
b |
2 |
|
|
||
|
|
|
1 |
P |
0 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
2 0 |
|
1 |
|
|
|
2 0 |
|
1 |
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
где P(x) – функция распределения Пирсона; a = –∆Rγ(β + 3)/A; b0 = –(∆R)2(4β –
– 3γ2)/A; b1 = a; b2 = –(2β – 3γ2 – 6)/A; A = 10β – 12γ2 – 18; β = 2,8 + 2,4γ2.
На рис. 2.11 приведены кривые распределения, рассчитанные для ионов бора по моделям Гаусса и Пирсона, в сопоставлении с экспериментальными данными; на рис. 2.12 – расчет для различных примесей As, P, B при одинаковых энергии ионов и дозе.
37
