- •1. Моделирование процессов диффузии
- •1.1. Законы процесса диффузии
- •1.2.1. Модель диффузии из неограниченного источника
- •1.2.2. Модель диффузии из ограниченного источника
- •1.2.3. Примеры расчета этапов диффузии
- •1.3. Модель диффузии примесей из легированных оксидов
- •1.4. Модель диффузии примесей в кремнии с одновременным термическим окислением
- •1.5. Диффузия при высокой концентрации примесей
- •2. Моделирование процессов ионной имплантации
- •2.1. Модель Линдхарда, Шиотта и Шарфа
- •2.2. Модель Пирсона
- •3. Расчет сопротивления слоя
- •4. Моделирование структуры биполярного транзистора
- •4.1. Конструктивно-технологические особенности биполярных транзисторов интегральных микросхем
- •4.2. Расчет параметров транзисторной структуры при заданных режимах технологического процесса
- •4.3. Выбор режима технологического процесса для заданных параметров слоев структуры
- •Список РЕКОМЕНДУЕМОЙ литературы
- •ОГЛАВЛЕние
СПИСОК РЕКОМЕНДУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ
Болтакс Б. И. Диффузия в полупроводниках. М.: Физматгиз, 1961. Введение в процессы интегральных микро- и нанотехнологий: в 2 т. /
под общ. ред. Ю. Н. Коркишко. М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2010, 2011.
Коледов Л. А. Технология и конструкции микросхем, микропроцессоров и микросборок. СПб.: Лань, 2008.
Королев М. А. Технология, конструкция и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем: в 2 ч. / под общ. ред. Ю. А. Чаплыгина. М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2007, 2009.
Кремниевые планарные транзисторы / под ред. Я. А. Федотова. М.: Сов.
радио, 1973.
Курносов А. И., Юдин В. В. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. М.: Высш. шк., 1986.
Маллер Р., Кейминс Т. Элементы интегральных схем. М.: Мир, 1989. Пичугин И. Г., Таиров Ю. М. Технология полупроводниковых приборов.
М.: Высш. шк., 1984.
Технология СБИС: в 2 кн. / под ред. С. Зи. М.: Мир, 1986.
61
ОГЛАВЛЕНИЕ |
|
1. МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ДИФФУЗИИ.......................................... |
3 |
1.1. Законы процесса диффузии.......................................................................... |
3 |
1.2. Простейшие модели распределения концентрации примесей |
|
в полупроводниковых структурах, изготовленных |
|
методом диффузии........................................................................................ |
5 |
1.2.1. Модель диффузии из неограниченного источника............................. |
6 |
1.2.2. Модель диффузии из ограниченного источника................................. |
9 |
1.2.3. Примеры расчета этапов диффузии.................................................... |
14 |
1.3. Модель диффузии примесей из легированных оксидов......................... |
17 |
1.4. Модель диффузии примесей в кремнии с одновременным |
|
термическим окислением........................................................................... |
21 |
1.5. Диффузия при высокой концентрации примесей.................................... |
25 |
2. МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ............ |
28 |
2.1. Модель Линдхарда, Шиотта и Шарфа...................................................... |
28 |
2.2. Модель Пирсона.......................................................................................... |
36 |
3. РАСЧЕТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СЛОЯ ............................................................. |
38 |
4. МОДЕЛИРОВАНИЕ СТРУКТУРЫ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА.... |
42 |
4.1. Конструктивно-технологические особенности биполярных |
|
транзисторов интегральных микросхем................................................... |
42 |
4.2. Расчет параметров транзисторной структуры при заданных |
|
режимах технологического процесса........................................................ |
46 |
4.3. Выбор режима технологического процесса для заданных |
|
параметров слоев структуры...................................................................... |
54 |
СПИСОК РЕКОМЕНДУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ............................................... |
61 |
62
Зятьков Игорь Иванович, Кривошеева Александра Николаевна
Базовые процессы планарной технологии
Учебное пособие
Редактор Н. В. Кузнецова
––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––
Подписано в печать 28.12.18. Формат 60×84 1/16. Бумага офсетная. Печать цифровая. Печ. л. 4,0.
Гарнитура «Times New Roman». Тираж 82 экз. Заказ 229.
––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––
Издательство СПбГЭТУ «ЛЭТИ» 197376, С.-Петербург, ул. Проф. Попова, 5
63