2. Построение профилей распределения примесей

На рисунке 2 представим профили распределения в МДП транзисторе, который находится в кармане. На рисунке 3 – профиль распределения примеси в резисторной области. Также, на оба графика была добавлена исходная концентрация.

см

см

Рисунок 2 – Профили распределения примесей в структуре транзистора

см

Рисунок 3 – Профиль распределения примеси в области резистора

1. Расчёт сопротивления слоёв

Для расчета сопротивления слоев будем использовать выражение ниже:

где – концентрация примеси в слое , – подвижность носителей заряда, зависящая от концентрации примесей и от координаты.

Определим для слоя кармана и транзистора:

Подвижность носителей заряда для электронов и дырок определяются эмпирическими выражениями:

(22)

(23)

Проведём расчёт:

4. Результаты расчетов технологических процессов

Таблица 1 – Параметры технологического процесса при формировании транзисторной структуры

Параметры	Процессы
	Карман		Транзистор		Резистор
	Загонка	Разгонка	Загонка	Разгонка	ИИ	Отжиг
T, K	1173	1523	1273	1423	-	1323
t, мин	5.988	33.477	10.664	23.228	-	34.331
Q, см-2
E, кэВ	-	-	-	-	200	-

5. Описание структуры и этапов изготовления

Рисунок 5 – Загонка кармана

Рисунок 6 – Разгонка кармана

Рисунок 7 – Загонка резисторной области методом ионной имплантации

Рисунок 8 – Разгонка резисторной области отжигом

Рисунок 9 – Загонка транзисторных пар

Итоговый чертеж кристалла после разгонки транзисторов представлен в отдельном файле.

Заключение

В курсовой работе по заданным исходным данным выбраны и рассчитаны режимы проведения технологических операций диффузии и ионной имплантации (температура, время, энергия и доза вводимой примеси).

Также проведён расчёт значений сопротивления слоёв кармана и транзистора. По полученным данным построены профили распределения примесей в структуре.

Приведено сечение полученной транзисторной структуры с указанием толщины слоёв. Также представлены этапы формирования рассчитываемой в ходе курсовой работы транзисторной структуры.

Список литературы

1. И.И. Зятьков, А.Н. Кривошеева. Базовые процессы планарной технологии: учеб. пособие // СПб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2018. – 63 с.