ИДЗ_ОПТ_6вар

МИНОБРНАУКИ РОССИИ Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина) Кафедра микро- и наноэлектроники

отчет по ИДЗ по дисциплине «Основы планарной технологии» Вариант №6

Студент гр. ____________________ Преподаватель __________________________ Кривошеева А.Н.

Санкт-Петербург 2025

1. При диффузии легирующей примеси в кремний на глубине x_j сформирован p-n-переход. Поверхностная концентрация примеси - N_s. Определить среднюю концентрацию примеси в слое N_ср, учитывая, что структура после формирования p-n-перехода была дополнительно подвергнута отжигу при Θ_отж в течение времени t_отж.

Материал	Вид примеси	xj, мкм	Ns, см-3	Θотж, С	tотж, мин
1А2 КЭФ 1,5/0,1	B	5,7	5∙1017	1160	30

Ответ:

2. Разработать технологический процесс ионной имплантации для формирования резистора интегральной микросхемы с номиналом R в кремнии с исходной концентрацией примеси N_исх.

Размеры резистора: длина – l, ширина – b, глубина залегания слоя – x_j. Среднюю подвижность в слое принять равной µ.

Тип электропро- водности слоя	Nисх, см-3	R, Ом	l, мкм	b, мкм	xj, мкм	µ, см2/(В∙с)
p+	8*1014	400	100	10	1	40