Полезная информация для электромехаников / Судовые Электроэнергетические Системы для Механиков

BNC (Baby N-Connector) - разьем типа "бэби N"

С

CAI (Color Accutance Improvement) - схема улучшения цветопередачи CCD (Charge Coupled Device) - прибор с зарядовой связью (ПЗС)

CCIR (International Radio Consultative Commitee) - Международный консультативный комитет по радиовещанию (МККР)

CD (Capacitor Diode) - варикап CD (Compact Disk) - компакт-диск

CDT (Color Display Tube) - трубка цветного дисплея

CMOS (Complementary Metal-Oxide-System) - комплементарная метал-окисел-

полупроводник (КМОП) структура

CPU (Central Processing Unit) - центральный процессор

CRC (Cycling Redundancy Check) - циклически избыточный код

CRT (Cathode Ray Tube) - электронно-лучевая трубка CSP (Chip Scale Package) - корпус с размерами кристалла СТ (Computed Tomography) - компьютерная томография

CTI (Color Transient Improvement) - регулировка насыщенности цвета D

DAC(Digital-Analog Converter) - цифроаналоговый преобразователь (ЦАП) DAQ(Data Acquistion) - сбор данных DCfDirect Current) - постоянный ток DCfDuo Cone) - диффузорная широкополосная головка громкоговорителя

DCPfDigital Contour Processing) - цифровая обработка контуров DFfDemping Factor) -

коэффициент затухания

DIACfDiode Alternating Current Switch) - диодный переключатель переменного тока (динистор)

DIMMfDial In-line Memory Module) - модуль памяти с двухрядным расположением выводов DIP

(Dual In Package) - корпус ИС с двухрядным расположением выводов

DMA(Direct Memory Access) - прямой доступ к памяти DNR(Dynamic Noise Reduction) - динамическое шумоподавление

DP(Dynamic Power) - динамическая мощность dpi(dot per inch) - точек на дюйм

DPO(Dynamic Power Output) - динамическая выходная мощность DRA(Dynamic

Resonance Absorber) - демпфер резонансных колебаний DRIE(Deep Reactive Ion Etching)

- глубокое реактивное ионное травление DSLfDynamic Super Loudness) - расширитель динамического диапазона DTLfDiode Transistor Logic) - диодно-транзисторная логика (ДТЛ)

DTTV|Digital Terrestrial TV) - всемирное цифровое телевидение

Е

EAROM(Electrically Alterable Read Only Memory) - электрически перепрограммируемое постоянное запоминающее устройство

EBU(European Broadcasting Union) - Европейский союз радиовещания ECL(Emitter

Coupled Logic) - эмиттерно связанная логика (ЭСА)

EIAJi Electronic Industries Association of Japan) - Японская ассоциация отраслей электронной промышленности

ELSIfExtra Large Scale Integration) - сверхвысокая степень интеграции EMI(Electromagnetic Interference) - электромагнитная помеха EMIFfExternal Memory

Interface) - интерфейс внешней памяти ENG(Equivalent Noise Generator) -

эквивалентный генератор шума ESD(Electrostatic Discharge) - электростатический разряд ETC(Electronic Tipp Control) - псевдосенсорное электронное управление

ETANN(Electronically Trainable Artificial Network) - обучаемая искусственная нейросеть

EVF(Electronic ViewFinder) - электронный видоискатель EVR(Electronic Video Recoding) -

электронная видеозапись

F

FAPSfFlexible Automated Production System) - гибко автоматизированная система производства (ГАП)

FAMOS(Floating Gate Avalanche Injection MOS) - МОП-транзистор с "плавающим"

затвором и лавинной инжекцией заряда

FCC(Federal Communications Commission) - федеральная комиссия связи FET(Field Effect Transistor) - полевой транзистор FF(Flip-Flops) - триггер

FG(Frequency Generator) - генератор частоты FIRfFinite Input Response) -

конечный входной отклик

FLOTOXiFloating Gate Tunnel-Oxide) - "плавающий" затвор с туннелированием в окисле FM(Frequency Modulation) - частотная модуляция FPM(Fast Page Mode) -

быстрый постраничный режим FSO(Full-Span Output) - выход полного диапазона

G

GMSK(Gaussian Minimum Shift Keying) - гауссовская манипуляция с минимальным частотным сдвигом

GPS(Global Positioning System) - глобальная система позиционирования

Н

HDTV(High Definition Television) - телевидение повышенной четкости HFfHigh

Frequency) - высокая частота HQ(High Quality) - высокое качество

HTL(High Threshold Logic) - логическая схема с высоким пороговым напряжением

I

IAflntegrated Adapter) - встроенный блок сетевого питания

IAC(Interference Absorption Circuit) - электронная схема поглощения интерференционной помехи IC(Integrated Circuit) - интегральная микросхема

ICC(Integrated Circuit Card) - смарт-карта

IEEEflnstitute of Electrical and Electronics Engineers) - Институт инженеров по электротехнике и электронике

IIR|Infinite Impulse Response) - бесконечная импульсная характеристика

IF(Intermediate Frequency) - промежуточная частота

IIL(Integrated Injection Logic) - интегральные инжекционные логические схемы IP(Intellectual Property) - интеллектуальная собственность IPflnternet Protocol) - протокол сети Интернет

IPM(Intelligent Power Module) - "интеллектуальный" силовой модуль (ИСМ)

IR(Infra-Red) - инфракрасный

IR(Internal Resistance) - внутреннее сопротивление

ISA(Industry Standart Architecture) - стандартная промышленная архитектура ISDN(Integrated Services Digital Network) - интегральная цифровая сеть связи с комплексными услугами

ISO(International Organization for Standartisation) - Международная организация по стандартизации

ITL(Input TransformLess) - бестрансформаторный вход

I2/L(Integrated Injection Logic) - интегральная инжекционная логика (И2/Л)

J

JIS| Japanese Industrial Standart) - Японский промышленный стандарт L

LAN) Local Area Network) - локальная сеть

LCD(Liquid Crustal Display) - жидкокристалический индикатор (ЖКИ)

LDO(Low DropOut) - малое падение напряжения LED|Light Emitting Diode) -

светодиод

LISA(Lateral Integrated Silicon Accelerometer) - боковой интегральный кремниевый акселерометр LPCfLine protection Component) - компонент защиты линии

LSIfLarge Scale Integration) - высокая степень интеграции

М

MAC(Media Access Controller) - контроллер доступа к среде MAC(MultiplierAccumulator) - умножитель-аккумулятор МАС| Multiply And Accumulate) - умножение с накоплением MCC(Micro-Computer Controlled) - микропроцессорная система управления MDTfMagnitostrictive Displacement Transducer) - магнитострикционный преобразователь смещения

MF| Medium Frequency) - средняя частота MLC(Multilayer Capacitor) -

многослойный конденсатор

MMI(Man-Machine Interface) - интерфейс взаимодействия человека с аппаратурой MMIC(Monolitic Microwave IC) - монолитная СВЧ интегральная схема (ИС)

MML(Maximum Modulation Level) - максимальный уровень модуляции MOL (Maximum Output Level) - максимальный уровень выходного сигнала MOS(Metal Oxide Semiconductor) - структура метал-окисел-полупроводник (МОП)

MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) - полевой транзистор с МОП (метал-

оксид-полупроводник) структурой затвора

MOVfMetal Oxide Varistor) - варистор на основе окиси металла МРО| Maximum Power Output) - максимальная выходная мощность

MPU(Microprocessor Unit) - микропроцессор

MRI(Magnetic Renonance Imaging) - отображение магнитного резонанса

MSG(Memory Safe Guard) - защита содержимого памяти MSI(Memory Scale Integration) -

средняя степень интеграции

N

NA(Numbered Aperture) - числовая апертура NANDлогический элемент "И-НЕ" NFBfNegative FeedBack) - отрицательная обратная связь

NMOS(N channel Metal Oxide Semiconductor) - метал-окисел-полупроводник

(МОП) структура с N-каналом

NORлогический элемент "ИЛИ-НЕ" NOTлогический элемент "НЕ"

NPC(Noise Protection Circuit) - схема защиты от шума

NTSC(National Television Standart Code) - Национальный телевизионный стандартный код

О

OFDM ( Orthogonal Frequency Division Multiplexing) - ортогональное мультиплексирование деления частоты

OB(Optical Black) - оптический уровень черного

OCL(Output CapacitorLess) - безьемкостный выход

OPC(Optical Picture Control) - оптимальная регулировка изображения

OTL(Output TransformLess) - бестрансформаторный выход

ORлогический элемент "ИЛИ"

Р

PAL (Phase Alternation Line) - построчное изменение фазы PCB (Printed Circuit Board) - печатная плата

PCI( Peripheral Component Interconnect) - локальная шина соединения периферийных устройств PCM (Pulse Code Modulation) - импульсно-кодовая модуляция (ИКМ)

PCS(Personal Communications Services) - персональные услуги связи PDA(Personal

Digital Assistant) - персональное информационное устройство РЕМ (Processor Expansion Module) - модуль расширения процессора PGA(Programmable-Gain Amplifier) - усилитель с программируемым усилением PIPlPicture In Picture) - картинка в картинке

PLCCfPlastic Leaded Chip Carrier) - пластмассовый кристаллоноситель PLLfPhase

Locked Loop) - система фазовой автоподстройки частоты (ФАПС)

PMOS(P chanel metal oxide semiconductor) - метал-оксид-полупроводник (МОП)

структура с Р-каналом

ppmfpart per million) - промиль (миллионная часть)

PPS(Polyphenylene Sulfide) - сульфид полифенилена psi(pound on square inch) -

фунт на квадратный дюйм

PSTN(Public Switched Telephone Network) - коммутируемая телефонная линия РТС| Positive Temperature Coefficient) - положительный температурный

коэффициент

PTSfProtocol Type Selection) - правила выбора протокола PWDfPulse Width Distortion) - искажение ширины импульса

PWM(Pulse Width Modulation) - широтно-импульсная модуляция (ШИМ)

R

RC(Remote Control) - дистанционное управление RF(Radio Frequency) -

радиочастота RFI(Radio Frequency Interference) - радиопомеха

RISC(Reduced Instruction Set Computer) - компьютер с сокращенным набором команд

RIT(Receiver Incremental Tunning) - малая расстройка радиоприемника

RMS(Root Mean Square) - среднеквадратичное действующее значение

RPM|Revolutions Per Minute) - оборотов в минуту RPS(Revolutions Per Second) - оборотов в секунду

RTL(Resistor-Transistor Logic) - резисторно-транзисторная логика S

SA(Separate Amplifiers) - раздельные усилители

SAWfSurface Acoustic Wave) - поверхностная акустическая волна (ПАВ)

SBC (Single Board Computer) - одноплатный компьютер

SCSI(Small Computer System Interface) - интерфейс малых сомпьютерных систем SCR(Asymmetrycal Thyristor) - асимметричный тиристор

SDN(Services Digital Network) - цифровая сеть связи с комплексными уСхЛугами

SDHfSynchronous Digital Hierarchy) - синхронная цифровая иерархия SDS(Signal

Distribution System) - система распределения сигнала SECfSecondary Electron

Conduction) - вторичная электронная эмиссия SLIC(Subscriber Line Interface Circuit) -

интерфейс абонентской тех\ефонной линии SLTS(Servo Lock Tuning System) - сервопетля подстройки

SMPTE(Society of Motion Picture and Television Engineers) - Общество кино- и

телеинженеров США

SPD(Serial Presence Detect) - обнаружение присутсвия поСх\едоватех\ьности SPDT(Single-Pole Double-Throw) - однопохлюсная группа перекмочающих

контактов

SPIfSerial Peripheral Interface Protocol) - протокол последовательного периферийного интерфейса

SPLfSound Pressure Level) - уровень звукового давления SSI(Small Scale Integration) - малый уровень интеграции

SSR(Solid-State Relay) - похлупроводниковое (твердотельное) реле

SWR(Standing Wave Level) - коэффициент стоячей волны

Т

TFT (Thin Film Transistor) - тонкопленочный транзистор

THD(Total Harmonic Distortion) - суммарное значение коэфиициента нелинейных искаженней TPfTelephone Pickup) - телефонное гнездо

TSOP(Thin Small Outline Package) - тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами TTLfTransistor-Transistor Logic) - транзисторно-транзисторная логика

TVS(Transient Voltage Supression) - подавление выбросов напряжения U

UART(Universal Asynchronous Receiver/Transmitter) - универсальный асинхронный интерфейс UHF(Ultra High Frequency) - сверхвысокая частота (СВЧ)

UJT(UniJunction Transistor) - однопереходной транзистор ULM(Ultra Low Mass) -

сверхлегкий

UNIiUser Network Interface) - интерфейс сети пользоватех\я V

VCP(Video Communication Processor) - процессор видеоконференции VCR(Video

Cassette Recorder) - кассетный видеомагнитофон VF(ViewFinder) - видоискатель VFD(Vacuum Fluorescent Display) - вакуумный люминесцентный дисгьлей

VHDCI(Very High Density Cable Interface) - кабехЛьный интерфейс сверхвысокой Пх\отности

VHF(Very High Frequency) - очень высокая частота (ОВЧ) VLF(Very Low Frequency) - очень низкая частота

VLSI(Very Large Scale Integration) - сверхбольшая степень интеграции (СБИС) VRM(Voltage Regulator Module) - модухль стабилизатора напряжения

VSOP(Very Small Outline Package) - сверхтонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами

VSWR(Voltage Standing-Wave Ratio) - коэффициент стоячей волны по напряжению (КСВН) VTR(Video Таре Recorder) - видеомагнитофон VUfVolume Unit) -

единица усредненной громкости

W

WAAS(Wide Area Augmentation System) - система панорамного обзора WBLfWide

Blanking Pulse) - широкий гасящий импульс

WRMS(Wow Root Mean Square) - среднеквадратичное значение коэффициента детонации

Z

ZD(Zero Drive) - шумоподавитель

ZIF(Zero Insertion Force) - с нулевым усилием установки В аккумуляторной должны быть:

1.Защитные очки, защитный костюм, резиновые фартук, перчатки, сапоги.

2.Стеклянная или фарфоровая кружка с носиком емкостью 1.5-2.0 п.

3.5% раствор соды, 10% раствор нашатырного спирта.

4.Денсиметр, груша, стеклянная палочка.

5.Бирки с наименованиями на всех емкостях с жидкостями.

Перед началом работы проверь исправность взрывобезопасного светильника. Заряд и разряд аккумуляторов производить с вывернутыми пробками при включенной вентиляции. Вентиляцию отключать не ранее, чем через 1.5 часа после окончания зарядки. После окончания работы тщательно мыть руки, лицо, полоскать рот.

С ном. - Номинальная емкость батареи в А*час. Ввод в действие новой батареи

Удалить заглушки вентиляционных отверстий в пробках. Залить батарею электролитом при температуре не выше +25 ОС. Дать батарее постоять для пропитки 3 часа.

Измерить напряжение батареи, при его отсутствии дать батарее постоять еще 2-

3 часа.

Заряд: Ток первоначального заряда.

Время 25-50 часов для батареи с незаряженными пластинами, 5-8 часов для сухозаряженной батареи Разряд: 10-часовой режим разряда Батарея должна отдать не менее 90% С ном.

Если емкость батареи ниже 90% С ном, провести 3-4 цикла заряд - разряд. Корректировку плотности электролита производить только в случае, если

плотность к концу первой зарядки превысит 1.24-1.27 г/см.куб Зарядка

Окончание зарядки определяется по обильному газовыделению, постоянству плотности электролита и напряжения в течение 2 часов.

Напряжение на элемент в конце зарядки 2.7-2.8 В.

Если в конце зарядки плотность выше или ниже номинальной, ее следует откорректировать, не прерывая зарядки.

Одноступенчатый заряд: Ток 0.07-0.10 С ном.

Двухступенчатый заряд: 1 ступень - ток 0.10-0.14 С ном. до 2.4 В на элемент 2 ступень - ток 0.05-0.07 С ном.

Двухступенчатый режим сокращает время заряда.

Ориентировочное определение степени заряда по напряжению

Для повышения надежности работы и предотвращения замерзания электролита не рекомендуется разряжать батарею более 50%.

Разряд

Коэффициенты емкости при разряде

Если емкость при разряде бопее 90% номинальной, то производят нормальный

заряд.

Если емкость при разряде менее 90% номинальной, то производят тренировочный цикл.

Саморазряд

Примерно 1%С ном в сутки. Электролит

Водный раствор серной кислоты - H2S04.

Уровень электролита на 12-15 мм выше края пластин.

Истинная плотность электролита отсчитывается по нижней части мениска поплавка ареометра. Корректировка плотность производится отсасыванием электролита и доливанием аккумулятора водой или электролитом с плотностью 1.4 г/см.куб.

ВНИМАНИЕ: ВСЕ ДАННЫЕ ПО ПЛОТНОСТИ ЭЛЕКТРОЛИТА ПРИВЕДЕНЫ ДЛЯ ТЕМПЕРАТУРЫ +15 С (Учитывайте поправку на температуру) Поправки ареометра на температуру электролита.

Количество серной кислоты 1.83 г/см.куб. на 1 л воды для получения электролита

требуемой плотности

Для работы батарей в плохо отапливаемых помещениях плотность электролита в конце зарядки должна быть доведена до:

Крайние северные районы с температурой зимой ниже -35 С 1.31 г/см.куб. Центральные и большинство северных районов при температуре зимой не ниже

-35 С 1.28 г/см.куб. Южные районы зимой 1.27 г/см.куб.

Крайние северные и центральные районы петом 1.24 г/см.куб. Южные районы летом 1.24 г/см.куб.

Устранение сульфатации Разряд: ток 10-часового разряда до 1.76 В на худший элемент.

Слить электролит в неметаллическую посуду. Запить батарею дистиллированной водой.

Заряд: ток 50% номинального тока зарядки до тех пор, пока плотность электролита и напряжение не будут оставаться постоянными в течении 5-6 часов при обильном газовыделении.

Довести плотность электролита до нормы добавлением электролита плотностью 1.4 г/см.куб.

Разряд: ток 10-часового разряда.

Если батарея отдает менее 80% С ном., то операцию перезарядки повторить. Смена загрязненного электролита Разряд: ток 10-часового разряда до 1.86 В на худший элемент.

Слить электролит в неметаллическую посуду. Запить батарею дистиллированной водой. Дать батарее постоять 3-4 часа.

Слить воду, залить новый электролит.

Дать батарее постоять 3-4 часа для пропитки. Произвести нормальный заряд батареи. Компенсационный подзаряд

Состоит в поддержании постоянного малого зарядного тока через батарею для устранения саморазряда. Ток через батарею 1 мА на 1 А*час номинальной емкости батареи.

Для старых батарей ток может быть увеличен.

Применяется ТОЛЬКО ДЛЯ ПОЛНОСТЬЮ ЗАРЯЖЕННЫХ БАТАРЕЙ Контрольный разряд производить раз в 6 месяцев.