Обработка результатов.
1. Построим вольт-амперные характеристики фотодиода.
2. Построим зависимости Ф=f(1/l2), IКЗ=f(Ф), UXX=f(IФ).
Константы: Т=2448 К, IS= 22,6 мкА, e=1,6*10-19 Кл, k=1,38*10-23 Дж/К
Методом наименьших квадратов найдём интегральную чувствительность KИ:
По формуле (20) имеем
приведем
это уравнение к виду
Из МНК получили, что
Оценка
ошибки
:
2,7
2,2
1,6
3. Построим графики зависимости мощности (P =|IU|), отдаваемой в нагрузку фотоэлемента, от напряжения на нагрузке.
Вычислим сопротивления нагрузки RН, соответствующие максимумам мощности:
Вывод: В ходе данной лабораторной работы, были изучены физические закономерности, определяющие свойства и параметры фотогальванических элементов и фотодиодов; исследованы вольт-амперные световые характеристики полупроводниковых фотоприемников.
Построены вольт-амперные характеристики. Построена зависимость IКЗ=f(Ф) и с использованием МНК найдено значение интегральной чувствительности .
Построена
теоретическая зависимость UХХ=f(IФ)
и оценена величина
.
Построены и определены значения сопротивлений нагрузки, соответствующих максимальной мощности. Также построена прямая для Uн=0 В и RН=1 кОм.