Вопросы ТМиЕС 2024
.docxВОПРОСЫ К ЭКЗАМЕНУ ПО ТМИЕС 2024
1. Гетерогенные химико-технологические системы. Основные стадии химико-технологического процесса.
2. Процессы массопереноса в химико-технологических системах. Законы Фика.
3. Процессы теплопередачи в химико-технологических системах. Законы Фурье.
4. Пограничные слои в процессах конвективного массо- и теплообмена.
5. Структура потока. Ламинарное и турбулентное течение. Конвекция. Виды конвекции.
6. Скорость гетерогенного процесса. Лимитирующая стадия процесса.
7. Адсорбция. Физическая адсорбция и хемосорбция. Изотерма адсорбции Ленгмюра.
8. Процессы измельчения и рассеивания твердых тел.
9.Понятие чистого вещества. Классификации чистых веществ.
10. Классификация основных методов разделения и очистки.
11. Сорбционные процессы. Адсорбция.
12. Сорбционные процессы. Ионный обмен.
13. Сорбционные процессы. Хроматография.
14. Жидкостная экстракция. Экстракт и рафинат.
15.Очистка с использованием кристаллизационных процессов. Равновесный и эффективный коэффициенты распределения.
16. Очистка перегонкой через газовую фазу. Сублимация и конденсация. Азеотропные смеси.
17. Очистка перегонкой через газовую фазу. Ректификация. Коэффициент распределения. Коэффициент разделения.
18. Очистка с помощью химических транспортных реакций.
19. Электрохимические методы очистки. Электролиз. Анодное растворение. Электродиализ.
20. Центробежный метод очистки. Разделение в скрещенных электрическом и магнитном полях.
21. Образование кристаллических зародышей. Пересыщение и переохлаждение. Критический зародыш. Критическое пересыщение.
22. Гомогенное зародышеобразование. Кристаллизация и стеклование.
23. Гетерогенное зародышеобразование. Когерентная и некогерентная граница раздела.
24. Структура границ раздела. Послойный и нормальный рост.
25. Влияние примесей на рост кристаллов. Поверхностно-активные примеси. Концентрационное переохлаждение.
26. Твердофазная эпитаксия. Жидкофазная эпитаксия.
27. Нормальная направленная кристаллизация. Метод Чохральского. Метод Бриджмена. Метод Киропулоса.
28. Метод зонной плавки. Бестигельная зонная плавка.
29. Гарнисажный метод Чохральского. Метод Вернейля.
30. Выращивание кристаллов из раствора. Гидротермальный синтез монокристаллов кварца.
31. Выращивание кристаллов из газовой фазы. Сублимация и химический транспорт.
32. Получение профильных кристаллов.
33. Механизмы эпитаксиального роста. Послойный рост. Зародышевый механизм.
34. Технология получения полупроводникового кремния.
35. Технология получения полупроводникового германия.
36. Технология получения арсенида галлия.
37. Технология получения фосфида индия.
38. Технология получения нитрида алюминия.
39. Технология получения карбида кремния.
40. Трансмутационное легирование кристаллов.
41. Кристаллизация расплава, содержащего примесь. Допущения Пфанна. Понятие коэффициенте распределения.
42. Распределение примесей при нормальной кристаллизации.
43. Распределение примесей при зонной плавке.
44. Легирование летучей примесью. Приближения Бумгардта. Обобщенный коэффициент распределения.
45. Сегрегационные и технологические неоднородности легирования. Пассивные методы выравнивания состава.
46. Метод целевой загрузки. Зонное выравнивание.
47. Прохождение легирующей зоны через чистый образец.
48. Активные методы выравнивания состава. Программирование процесса роста.
49. Выравнивание состава кристаллов механической подпиткой из твердой фазы. Метод Петрова.
50. Выравнивание состава кристаллов подпиткой из жидкой фазы. Метод двойного капиллярного тигля.
51. Механическая и равновесная подпитка расплава из газовой фазы.
52. Твердофазная эпитаксия. Жидкофазная эпитаксия.
53. Гидрированные аморфные полупроводники. Получение и свойства.
54. Требования, предъявляемые к эпитаксиальной подложке. Основные параметры подложек.
55. Методика подготовки эпитаксиальных подложек.
56. Основные концепции эпитаксиального роста: псевдоморфизм, сетки дислокаций несоответствия, решетки совпадающих узлов.
57. Основные источники напряжений в эпитаксиальных структурах. Релаксация упругих напряжений. Критическое несоответствие и критическая толщина.
58. Эпитаксия из газовой фазы. Классификация источников.
59. Типы эпитаксиальных реакторов. Хлоридный метод эпитаксии кремния.
60. Методы эпитаксиального роста соединений АВ³, МОС-гидридный метод роста арсенида галлия.