Добавил:
instagram.com Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

ТТЭл МНЭ / Экзаменационные вопросы ТТЭл 2024

.docx
Скачиваний:
0
Добавлен:
05.12.2025
Размер:
15.74 Кб
Скачать

«ТВЕРДОТЕЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА»

Тема 1. Основные материалы электронной техники

1. Классификация материалов, применяемых в электронной технике. Виды химической связи.

2. Основные положения зонной теории твердого тела.

3. Проводники. Классификация и основные электрофизические свойства.

4. Диэлектрики. Классификация и основные электрофизические свойства.

5. Полупроводники. Классификация и основные электрофизические свойства.

6.Собственные и примесные полупроводники. Механизмы электропроводности.

7. Основные и Неосновные носители заряда. Закон «действующих масс».

8. Понятие уровня Ферми в проводниках и полупроводниках.

9. Уравнение полного тока в полупроводниках.

Тема 2. Контактные явления в полупроводниках

10. Электронно-дырочный переход. Образование и энергетическая диаграмма. 11. Влияние внешних факторов на высоту потенциального барьера электронно-дырочного перехода.

12. Физические процессы, происходящие в электронно-дырочном переходе, смещенном в прямом направлении.

13. Физические процессы, происходящие в электронно-дырочном переходе, смещенном в обратном направлении.

14. Классификация и методы изготовления электронно-дырочных переходов.

15. Барьерная емкость электронно-дырочного перехода.

16. Вольт-амперная характеристика электронно-дырочного перехода. Влияние внешних факторов.

17. Лавинный пробой электронно-дырочного перехода.

18. Туннельный пробой электронно-дырочного перехода перехода.

19. Тепловой пробой электронно-дырочного перехода.

20. Контакт металл-полупроводник. Энергетическая диаграмма и основные особенности выпрямляющего контакта.

21. Контакт металл-полупроводник. Энергетическая диаграмма и основные особенности омического контакта.

22. Гетеропереход. Энергетическая диаграмма и основные особенности.

Тема 3. Полупроводниковые диоды

23. Выпрямительные диоды Принцип действия и основные характеристики.

24. Особенности германиевых выпрямительных диодов.

25. Особенности кремниевых выпрямительных диодов.

26. Диоды Шоттки. Принцип действия и основные характеристики.

27. Частотные свойства диодов Шоттки.

28. Преимущества и недостатки диодов Шоттки

29. Лавинные стабилитроны. Принцип действия и основные характеристики.

30. Туннельные стабилитроны. Принцип действия и основные

31. Стабисторы. Принцип действия и основные характеристики.

32. Туннельные диоды. Принцип действия и основные характеристики.

33. Температурные изменения вольт-амперной характеристики туннельных диодов

34. Эффекты усиления и генерации электрических сигналов с помощью туннельного диодов.

35. Обращённые диоды. Особенности и преимущества.

36. р-i-n- диоды. Особенности структуры и применение.

37. Варикаты. Принцип действия и основные характеристики.

38. Частотная зависимость добротности варикапа.

39. Особенности структуры варикапа

Тема 4. Биполярные транзисторы

40. Биполярный транзистор. Определения; режимы работы.

41. Работа биполярного транзистора в схеме с общей базой.

42. Работа биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.

43. Работа биполярного транзистора в схеме с общим коллектором.

44. Статические параметры биполярного транзистора в различных режимах работы.

45. Малосигнальные параметры. Физический смысл h-параметров.

46. Зависимости коэффициентов передачи тока от частоты.

47. Статические характеристики биполярного транзистора для разных схем включения.

48. Явления в биполярном транзисторе при больших токах.

49. Виды пробоя биполярного транзистора.

50. Пробой биполярного транзистора в схеме с общей базой.

51. Особенности пробоя биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.

52. Вторичный пробой биполярного транзистора

53. Нагрузочные характеристики биполярного транзистора для разных схем включения.

Тема 5. Полевые транзисторы

54. Полевые транзисторы. Определения; сравнение свойств биполярных и полевых транзисторов.

55. Полевые транзисторы с управляющим переходом. Структура и принцип действия.

56. Выходные статические характеристики и статические характеристики передачи полевых транзисторов с управляющим переходом.

57. Полевые транзисторы с изолированным затвором и индуцированным каналом. Структура и принцип действия.

58. Выходные статические характеристики и статические характеристики передачи полевых транзисторов с изолированным затвором и индуцированным каналом.

59. Полевые транзисторы с изолированным затвором и встроенным каналом. Структура и принцип действия.

60. Способы улучшения усилительных свойств полевых транзисторов.

61. Полевые транзисторы типа МНОП. Структура и принцип действия.

62. Полевые транзисторы с плавающим затвором. Структура и принцип действия.

63. Полевые транзисторы Шоттки. Структура и принцип действия.

64. Полевые транзисторы с высокой подвижностью электронов. Структура и принцип действия.

Тема 6. Тиристоры

65. Тиристор. Основные определения, параметры и характеристики. Классификация.

66. Динистор. Структура и принцип действия.

67. Тринистор. Структура и принцип действия.

68. Преимущества и недостатки тиристоров

69. IGB-транзистор. Структура и принцип действия.

70. Коммутация сигналов большой мощности области применения ключей на полевых транзисторах, тиристоров, IGВ-транзисторов.

Соседние файлы в папке ТТЭл МНЭ